两款原子吸收光谱仪的塞曼背景校正装置

讨论了永久磁场塞曼背景校正原子吸收光谱仪的外光路和磁场的设计工艺,描述了可以同时获得交流磁场和直流磁场塞曼背景校正测定结果的新系统,以及可以克服洛伦兹力对测定产生影响的磁场和石墨炉的供电系统.     

高压直流远距离输电

 现代远距离输电工程中并存着高压交流输电和高压直流输电两种方式。现行高中物理第二册第111页指出:“实际(交流)输电线路中,导线的电感和电容的影响也会引起很大的电压损失。要彻底解决这个问题就要用直流高压输电”。     

Self—Consistent Description of nitrogen dc Glow Discharge

A self-consistent hybrid Monte Carlo Fluid model is presented to describe the nitrogen dc glow discharge.The movement of fast electrons is simulated by the Monte Carlo method while the dynamics of slow electrons and ions is by fluid equations.The spatial features of the charged species and the corresponding electric field throughout the discharge have been calculated,which include the creation rates of ions and slow electrons,densities of the charged species,the electric field and the potential distribution.These closely related results can give a selfconsistent explanation of the discharge characteristics throughout the space of nitrogen dc glow discharge.The calculated ion density is also compared with the corresponding experimental result.     

直流高压加速管轴向绝缘的优化设计

 为了降低500 mA直流高压加速管高梯度区的电位梯度，对加速管轴向绝缘结构进行优化设计。首先分析了沿面闪络的机理和该加速管轴向绝缘体结构。根据SEEA理论并通过数值模拟，发现阴极、真空和绝缘体三结合点处电场畸变是产生高场强的原因，并分别对4种绝缘体结构进行模拟分析，最终确定出比较理想的结构：绝缘体沿面与阴极电极夹角为+45°，绝缘体两端开槽并均匀嵌入金属电极环，绝缘体均匀嵌入阳极电极片内。     

LIA注入器发射度增长机理研究及其抑制措施

根据直线感应加速器(LIA)的特点采用了轴对称直流模型,结合E.P.Lee的理论导出了发射度增长的微分方程,提出了一种直线感应加速器发射度增长的机理,根据该机理计算了从均匀分布到高斯分布的演变过程中发射度增长的大小,指出直线感应加速器(LIA)注入器阶段束流发射度增长主要是由于非线性效应导致的束刨面电流密度分布变化引起的.根据研究结果,提出了相应的抑制发射度增长的措施.     

紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究

采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影响,发现生长过程中的退火处理提高了薄膜质量和晶面取向.通过优化生长条件,在衬底温度为350℃,氧氩比为1:2的条件下生长出了XRD半高宽为01°、C轴取向高度一致的ZnO薄膜.     

直流电表的选择使用

测量仪器的准确度指测量仪器的示值接近真值的能力。     

直流磁控溅射制备YBCO高Tc超导薄膜过程中靶成分的在线监测

本阐述了用单色仪和光电倍增管对平面直流磁控溅射制备ＹＢＣＯ高Ｔｃ超导薄膜过程中靶的放电成分变化情况进行在线监测的实验方法，设备和过程，得到了Ｏ２：Ａｒ＝１：４时，靶表面成份随时间变化的关系和相应薄膜的质量，并对实验结果进行了讨论。