高精度直流传感器DCCT标准测试系统

在北京正负电子对撞机二期改造工程(BEPC Ⅱ),磁铁电源系统大量使用了电流型直流传感器(DCCT)作为电源的反馈和回采器件.为了能够对DCCT的性能进行检测和校准,设计研制了高精度直流传感器DCCT标准测试系统.该测试系统主要由PC工控机、7又1/2数字万用表、超高精度直流传感器和高精度直流稳流电源构建而成.论文中主要介绍了测试系统的功能和系统软、硬件结构,并给出了测试系统在实际DCCT检测中的测量数据.     

全气相化学激光体系的直流放电研究

为了提高化学激光体系(AGIL)中F原子的产率，采用直流放电引发方式，对棒式电极的放电特性进行了研究。在对NF3/He混合气体进行解离时，通过选择不同平衡电阻，得到了3 kW左右的放电注入功率。用光谱分析仪对F原子产率进行了测量。通过拟合计算可得:一个NF3分子能够解离出1.3～1.5个F原子。     

直流辉光放电光谱分析铜合金的基本特性研究

用自行组装的直流辉光放电原子发射光谱（ｄｃ Ｇ Ｄ Ａ Ｅ Ｓ）仪器对分析铜合金的某些基本特性进行了研究 探讨了光源放电室结构、放电气体压力、放电电压等操作参数以及试样尺寸大小对放电性能及元素谱线强度的影响,并进行了优化 考察了在不同放电气压条件下样品的溅射率和优化条件下辉光放电的稳定性最后,分析了铜合金标准样品中的 Ａｌ和 Ｍｎ,结果较满意     

超导储能系统用斩波器的原理及设计

超级储能系统(SMES)的特点是,储能密度大,超导电阻为零,并且容易控制.这使得超导储能不仅能在微秒、毫秒放电领域与电容器竞争,在秒级放电领域与旋转储能装置和电池组竞争,而且使它能在其他许多领域大显身手.本文介绍了超导储能系统(SMES)用斩波器的原理和特点.根据超导储能磁体的要求,提出了一种适用于超导储能用斩波器的电路拓扑结构,并分析了斩波器的工作原理和特点.通过计算机仿真验证了峰值电流控制方式的正确性.     

直流磁控溅射Cr-Cr2O3复合金属陶瓷薄膜光学特性研究

采用直流反应磁控溅射技术在不同靶电流条件下制备了Cr-Cr2O3金属陶瓷薄膜,并利用椭偏仪测量了薄膜的光学常数.采用修正的M-G(Maxwell-Gannett)理论对不同靶电流条件下沉积的Cr-Cr2O3金属陶瓷薄膜的光学常数进行了理论计算,并将理论计算结果与实验数据进行了比较.结果表明:随着靶电流的增加,膜层中金属微粒体积百分比增加,金属微粒的平均半径随之增加,且金属微粒逐渐趋于扁圆形,理论计算结果与实验结果吻合较好.     

非对称阻力元件抑制直流的实验研究

简要分析了双向进气型脉冲管制冷机中存在的直流现象及其抑制措施;使用所研制的两台非金属同轴脉冲管制冷机,通过测量其蓄冷器外壁温度分布的方法,实验验证了基于闭合回路的固有直流的方向;通过分析其降温曲线及对冷头最低无负荷温度的影响,验证了可以利用非对称阻力元件产生相反方向的附加直流以消除系统中的固有直流,从而取得较好的制冷效果。实验对其效果进行了量化分析。     

超导直流限流断路器研究

针对柔性直流电网的短路故障电流上升速度快、幅值大的特点,基于超导材料的特性,提出一种基于电阻型超导限流单元产生过零点的直流限流断路器拓扑。在理论分析的基础上,结合超导带材在直流冲击试验下的电阻变化情况,建立了电阻型超导限流单元的等效模型。在分析超导直流限流断路器工作原理的基础上,基于MATLAB/Simulink建立了系统仿真模型,对该拓扑进行验证。仿真结果表明,该超导限流断路器对直流系统稳态运行无影响,系统发生短路故障后,能够迅速限制和分断短路电流,提高了柔性直流电网运行的可靠性。     

高效阴离子交换色谱-铜/铂修饰电极安培法测定大观霉素

采用阴离子交换色谱分离,在CuSO4溶液中加入少量镧系化合物,经电沉积制备La3+-Cu/pt/CME工作电极,建立了直流安培电化学法(DC)直接检测硫酸大观霉素的方法。考察了流动相浓度、测定电位等参数对色谱分离和测定的影响。在固定相为CarboPac PA10阴离子交换柱、流动相为26mmol/L NaOH,流速为0.6mL/min的色谱条件下,检测电位为0.68V时,硫酸大观霉素峰面积与其浓度在0.12～12mg/L(r=0.9991)和12～280mg/L(r=0.9995)两个范围内呈线性。本方法不需要柱前和柱后衍生化,能同时测定硫酸大观霉素中的主要组分和杂质。修饰电极制作方法简单,催化稳定性好,可作为电化学传感器测定硫酸大观霉素中的各组分。     

D-和L-丙氨酸的低温磁相变——磁场变化下的比热和直流磁化率(英文)

为了解D-和L-丙氨酸单晶晶格在极低温下是否存在磁手性相变,在2-20 K下改变磁场强度(0,1,3,5T)测定其比热.实验结果表明比热和温度之间的函数关系很好地符合C(T)=aT3+b/T2方程,其中aT3项为晶格声子的贡献,可由公式CV=(12/5)π4R(T/ΘD)3来描述(ΘD为德拜温度),b/T2项为磁场对比热的贡献.实验发现,在2-20 K范围内D-和L-丙氨酸单晶在不同磁场强度下均存在Boson峰(在Cp/T3-T曲线中表现为一个最大值).磁的贡献导致D-和L-丙氨酸单晶的四条Cp/T3-T曲线在2-12 K时不重合,且在12-20 K时消失,此即Schottky反常.零磁场下,D-和L-丙氨酸的Boson峰分别为9.44和10.86 K;德拜温度分别为151.5和152.7 K.结合磁场强度1 T下的直流磁化率测定,发现在温度低于5 K时,D-和L-丙氨酸单晶有相反的磁化率行为,反映了核自旋和电子自旋弱相互作用的手性表现.     

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采用二维轴对称双温度化学非平衡(2T-NCE)模型,模拟了带有水冷约束管的大气压直流电弧氩等离子体发生器.得出了不同工作参数下等离子体中电子温度、重粒子温度的变化关系,表明直流电弧等离子体有很强的非平衡特性,且变化规律十分明显.