首次测定短寿命缺中子同位素153Er和157Yb的EC/β+衰变纲图

利用¹⁶O重离子束轰击¹⁴²Nd和¹⁴⁷Sm同位素靶分别生成¹⁵³Er和¹⁵⁷Yb.借助氦喷嘴带传输系统和X-γ、γ-γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质.首次建立了¹⁵³Er和¹⁵⁷Yb的EC/β⁺衰变纲图.从中指认出¹⁵³Ho的一个新三(准)粒子态和两个新单粒子态,指认出¹⁵⁷Tm的一个新的同质异能态和一条新转动带.低位能级系统分析表明:在Ho和Tm这两条奇A核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数86和88之间.     

取样平均法提高CCD多道探讨器信噪比

应用取样平均法有效地提高了ＣＣＤ光学多道探测器信噪比，当采样次数为ｍ时，信噪比提高√ｍ倍，应用于实验得到了高信噪比的各种光谱谱图。     

普物教学中如何讲述电磁场变换

从洛伦兹力公式和运动电荷磁场出发，导出了两惯性系间电磁场的变换关系．     

产生特殊聚焦图形的二元光学元件

通过面积编码将伽博（Gabor)波带片的透过率函数的余弦分布等效为二元分布，研制了能产生各种特殊聚焦图形的二元光学元件。根据透镜聚焦的物理原理制作的二元振幅型波带片可以方便地产生多种聚焦线，给出了相应的实验结果，并讨论了改善聚焦效果的优化条件。     

带对流的稳态Stefan问题的有限元逼近

关于带有对流情形的稳态Stefan问题,其中假设液相部分的流动由Stokes方程确定,Canon,DiBennedetto,Knightly曾作过理论研究.本文将讨论其有限元逼近问题,并且得到了在合理正则性假设下的误差估计.     

电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收

研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％相似文献   

堵塞效应与“全同带”的微观机制

利用处理推转壳模型的改进了的粒子数守恒方法(严格计及堵塞效应),对原子核的转动惯量进行了计算,计算中无任何自由参数,所得转动惯量(包括¹⁷⁰Yb,¹⁷¹Lu¹⁷¹Yb各转动带)及其奇偶差,与实验非常符合,转动惯量的奇偶差灵敏地依赖于被堵塞的能级位置及其对Coriolis力的响应。     

200A GeV硫核及其重碎片与铜核作用的电荷改变总截面的测量

测量了200A GeV的³²S及其碎片P,Si,Al,Mg,Na和Ne与Cu靶作用的电荷改变总截面.观察到次级碎片的电荷改变总截面比相同电荷的初级粒子的要高.导出的电磁散裂截面与弹丸电荷的平方成比例,与理论预言一致.     

一维介观结链中电荷孤子的控制

研究了一维介观结链中的电势分布随各岛上门电压和电子数分布的变化关系,并发现在一个岛上加一个门电压会产生一个静电势孤子.通过调节门电压可以较好地控制静电势孤子的形状及其位置,从而达到对电荷孤子的有效控制. 关键词： 电荷孤子 介观结 单电荷隧穿