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41.
本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。  相似文献   
42.
采用平面波超软赝势描述多电子体系,利用密度泛函理论和广义梯度近似,计算出C54相和C49相TiSi2的晶格常数、体弹性模量、形成能、电子态密度(DOS)和Mulliken电荷布居等性质.通过比较这两种物质的性质,发现尽管两者形成能很相近,但C49相结构对称性差、体弹性模量小、熔点低,Ti原子d轨道的反键强、离子性弱.这些性质上的差异和C49相TiSi2在固相反应中优先形成有关.  相似文献   
43.
王洪  顾峻岭 《分析化学》1998,26(11):1293-1297
通过流动相中电解质浓度对毛细管电色谱柱效能的流动相平均线速度的影响,研究了CEC中双电层叠加现象。提出选择合适电解质组成的浓度及在制备色谱柱过程中避免细小和破碎的固定相颗粒进入柱中,以有效地减小双电层叠加作用。  相似文献   
44.
M~++BrCN─→MCN~++Br气相反应的从头算研究朱荣顺,戴树珊(云南大学化学系,昆明,650091)关键词气相反应,过渡金属阳离子,溴化氰,从头算,相对论赝势对过渡金属离子与一些小分子的气相反应已有大量的实验和理论研究[1~5],MichelS...  相似文献   
45.
在所有电极过程中研究最多的是析氢反应,其重要性一直为化学界所关注。提高电极活性的各种方法中,普遍采用电沉积法,它价廉简便、效果明显。但涂层不够牢固,在使用过程中易脱落,使用寿命短。为了克服上述缺点,作者将电沉积和离子注入技术联合使用,即在Ni、W镀层上注入Mo离子,利用Mo离子的能量将Ni、W打入表面内层,进行离子束混合。这既  相似文献   
46.
T'-214相化合物R2-xCexCuO4(R为稀土离子)成为超导体决定于R3+的离子半径大小、Ce4+的取代量和化合物的热处理时的稳定性.从Raman光谱实验结果提出热处理过程中发生电荷转移.Ce4+的取代引起TN(Cu)下降,当TN(Cu)降到0时,超导性出现。不同的稀土离子TN(Cu)不同,稀土离子的反铁磁性(AFM)与超导性(SC)共存。热电势的测量结果可以用双通道模型解释,n型超导体中电子与空穴共存.  相似文献   
47.
液晶电视由于其优异的显示性能将会越来越受到青睐。本文简要综述了近年来电视用液晶材料的研究进展,归纳总结了这些液晶材料的合成方法及其热性能、介电各向异性、双折射率、粘度等特性。  相似文献   
48.
用循环伏安法研究NaCl-KCl-YCl3熔体中Y^3+在钨电极的电还原。Y^3+一步可逆电沉积为钇。用循环伏安法、卷积伏安法、恒电位电解断的电位-时间曲线及X射线衍射法研究了Y^3+在铁电极上的还原过程。在金属钇析出前,电极形成多种钇与铁的金属间化合物。用电位阶跃的电流-时间曲线测定了钇在Y6Fe23相中的扩散系数及扩散活化能,结果表明钇在其合金相中的扩散相当缓慢,该步骤对电极过程可以起控制作用  相似文献   
49.
铜在HOPG上电沉积过程的现场ECSTM研究   总被引:3,自引:1,他引:3  
谢兆雄  毛秉伟 《电化学》1996,2(2):164-169
用自制的电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)现场研究Cu在HOPG上的电沉积过程.结果表明Cu在HOPG上的电沉积为三维成核的过程.当电位较低或Cu2+离子浓度较低时,铜在本体金属生长主要沿着台阶方向.过电位较高时,铜的成核数目增加,沉积层的晶粒有所细化.同时,非现场ECSTM比较研究表明,STM针尖对针尖局部区域的电沉积起屏蔽作用,针尖所在区域Cu的沉积速度比其它区域明显减小  相似文献   
50.
米非司酮的吸附伏安特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾泳淮  张光润 《分析化学》1997,25(11):1278-1281
在PH7.0Britton-Robinson缓冲溶液中,米非司酮(Mifepristone,RU486)在汞电极上有2个不可逆的线性扫描还原峰,峰电位分别为-1.23V和-1.68V。本文探讨了第一峰的电化学行为。  相似文献   
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