伏打（Volta，Alessandro Giuseppe Antonio Anastasio，count，1745—1827）意大利物理学家（Physicyst，Italy）

伏打出生在一个没落的贵族家庭。伏打决非神童。4岁才会说话。到了7岁，才赶上了其他孩子，接着就超过了他们。14岁时便决心当一个物理学家。伏打对电现象有兴趣。1775年他发明了起电盘。伏打的名声因此传开。1779年，接受了帕维亚大学的教授职位，他发明了静电有关设备。1791年，他获得了英国皇家学会的科普利奖章。1800年，伏打制成能产生很大电流的电池——“伏打电堆”。电池的发明使伏打的名声达到登峰造极的地步。     

巧用指针式多用表

指针式多用表内一般有一块1.5V低电压池和一块9V或15V高电压池.其黑表笔接内部电源的正极,红表笔接负极,指针表读取精度较差,但指针摆动过程较直观,其摆动速度幅度也能比较客观地反映被测量的大小.指针表较适用于相对来说大电流高电压的模拟电路的测量.     

高性能MgB2长线材制备及性能表征

采用原位粉末装管工艺,分别以Mg粉(99.5%),无定形B粉(99.9%)为原料,以纳米SiC(10-30 nm)作为掺杂材料制备铁基MgB2线.首先将已混合的原料在丙酮介质中球磨,真空干燥后,将粉末填入铁管内,然后通过孔型轧制、旋锻和拉拔等冷加工工艺得到11 m长外径Ф1.75 mm铁基MgB2超导线.用扫描电镜,电子能谱,X射线衍射仪和超导量子干涉仪测试发现,样品微观结构整齐,晶粒大小均匀,内部仅含微量MgO,TC(onset)= 35.1 K,ΔTC＝5.3 K.纳米SiC掺杂后,其中C造成MgB2晶格畸变,形成有效磁通钉扎中心,C元素在MgB2中分布均匀.标准四引线测试结果表明,11 m线均分10段后,各点的Jc(4.2 K,10 T)均超过1.0×104 A/cm2,最高值达到1.2×104 A/cm2.在10-18T范围各点临界电流值分布均匀,变化率小于10%.     

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基于当前应用较广泛的应变下临界电流测量装置Pacman,利用有限元方法对应变盘及超导线进行受力分析,得到了超导线轴向及横向的应变分布情况。结合Nb3Sn超导线偏应变临界电流定标律,分析了在两种极限假设情况(低丝间电阻和高丝间电阻)下超导线截面应变分布对临界电流的影响。     

多极板电流变阀应用于避震器之研究

以流动模式（flow mode)多极板之电流变阀（electrorheological valve)进行避震器阻尼力特性的研究。由于电极板的大小直接影响到流体流动的剪力及避雷器的阻尼力,因此使用多极板型式来探讨避震器的特性。设计有1－5个流道之并联及1－3个流道之串联多极板电流变阀的电流变避震器,并使用自制的电流变液进行实验。由研究结果显示,流动式并联极板之电流变避震器,一个流道之阻尼力最大,流道极板增加则阻尼力反而下降,而流动式串联多极板之电流变避震器之阻尼力则随极板数递增,故需要高阻尼力之避震器较适合使用串联多极板型式。     

背景磁场下Y系超导带材临界电流的测量

高温超导电力装置一般工作于低磁场情况下,测量超导带材在低场下的临界电流特性非常重要.文中通过自行设计的实验平台,采用四引线法对Y系超导带材低场下的临界电流特性进行了测量,得到了带材临界电流随外加磁场变化的曲线,并与Bi系带材低场下的临界电流特性进行比较.     

The modulation effect of substrate doping on multi-node charge collection and single-event transient propagation in 90-nm bulk complementary metal-oxide semiconductor technology

Variation of substrate background doping will affect the charge collection of active and passive MOSFETs in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technologies, which are significant for charge sharing, thus affecting the propagated single event transient pulsewidths in circuits. The trends of charge collected by the drain of a positive channel metal-oxide semiconductor (PMOS) and an N metal-oxide semiconductor (NMOS) are opposite as the substrate doping increases. The PMOS source will inject carriers after strike and the amount of charge injected will increase as the substrate doping increases, whereas the source of the NMOS will mainly collect carriers and the source of the NMOS can also inject electrons when the substrate doping is light enough. Additionally, it indicates that substrate doping mainly affects the bipolar amplification component of a single-event transient current, and has little effect on the drift and diffusion. The change in substrate doping has a much greater effect on PMOS than on NMOS.     

引入电流负反馈后电路输出阻抗变化的测试难点及解决方案

引入电流负反馈会使放大电路的输出电阻变大,这种变化在实验测量时几乎没有出现。我们在分析原因后,提出了一种简单、易行的解决方案,并且对电路参数进行了合理化设计,使实验效果非常理想。     

利用DIS传感器研究通断电自感现象

将DIS传感器应用到通断电自感演示实验中,可直接测量出小灯泡的电流和电压曲线,使学生可以定量的观察实验现象,加深对其对自感现明的理解.