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111.
史鹏  李炬 《低温与超导》2007,35(2):118-120,132
依据SMM-601型超导量子干涉显微镜检测部分构建计算模型,采用电磁场有限元方法分析了残余应力引起的非磁性金属材料铍电导率变化对超导量子干涉仪(SQUID)检测信号的影响,并讨论了该方法实际应用于非磁性金属材料残余应力检测的条件和可能性。  相似文献   
112.
超导故障限流器的研究现状及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
超导故障限流器(Superconducting Fault Current Limiter,SFCL)是利用超导体的基本特性,有效限制电力系统故障短路电流,提高电网安全性和稳定性的一种新型电力设备。文中在综合大量文献的基础上,对超导故障限流器进行了一种较为系统的分类。基于该种分类,结合目前国内外的研究现状,就电阻型、磁屏蔽型、饱和铁芯电抗器型、桥路型SFCL的工作原理作了详细的分析介绍,还给出了它们在电力系统中的安装位置。最后,对超导故障限流器的研究中存在的问题及其发展趋势做了说明。  相似文献   
113.
导出圆电流的磁感应强度的简便方法   总被引:6,自引:0,他引:6  
刘耀康 《大学物理》2007,26(7):32-33
避开繁琐的椭圆积分推导,用微积分导出了圆电流在空间各点的磁感应强度的定积分公式,再变换成用椭圆积分表示的精确解.  相似文献   
114.
于凤军 《大学物理》2007,26(9):17-19
给出了一个关于勒让德多项式的积分公式及其证明,用该公式和叠加法方便快捷地导出了圆形带电环和电流环的静态电磁势.  相似文献   
115.
作为一类重要的光电极材料,α-Fe2O3在太阳能转化方面有着潜在的应用前景.但是,光生电子空穴对的再复合导致α-Fe2O3的光电量子产率很低.为了抑制光生电子空穴对的再复合,提高α-Fe2O3的光电量子产率,采用Spin-coating方法在透明导电玻璃FTO(SnO2:F)衬底上制备了SrTiO3/α-Fe2O3异质结薄膜光电极,并对该光电极进行了XRD、SEM、紫外-可见透射光谱的表征.在三电极光电化学测试系统中对薄膜的光电流-电压特性、入射光子电流转化效率(Incident photon to current efficiency,IPCE)对波长的依赖性进行了表征.在相同的Xe灯照射条件下,SrTiO3/α-Fe2O3异质结光电极的光电流及IPCE值大于单一的SrTiO3、α-Fe2O3各自的光电流及IPCE值,这与理论预测的结论一致.  相似文献   
116.
用高功率脉冲激光轰击Zn1-xCoxO,得到锌、钴和氧的原子、分子和团簇等混合体,并在p型单晶Si表面反应生成n型Zn1-xCoxO.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究表明,这层材料是结构致密均匀、呈c轴高度择优取向的薄膜,与p型Si材料形成n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结.在Zn1-xCoxO中加入H,生成了Co-H-Co聚合体,异质结的势垒高度随着Co含量的增加而增加,同时深能级的Co-d轨道捕获作为浅施主的间隙H提供的电子,造成的体系n型半导体层的载流子浓度降低,电阻率提高,使得n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结在6.5V时漏电流降致6×10-3 mA,反向击穿电压超过20V,电学性能得到显著改进.  相似文献   
117.
在pH=1.30的H2SO4和3,4-二羟基苯甲醛(DHB)底液中,采用差分脉冲极谱法,测得无机锗的脉冲极谱波.其峰电位为Ep=-0.53V.Ge(Ⅳ)浓度在1.03×10-3-1.04×10-4mol·L-1范围内与峰电流呈线性关系,样品中总锗和无机锗的回收率分别是95.72%和96.43%.  相似文献   
118.
Considering the TDFC controlled current-mode Buck converter featuring periodicity we propose a Fourier-decomposition based method for the bifurcation analysis of this system, hence the theoretical range of control gain of TDFC is determined. In addition, the power-stage experiment circuit is built and the control part is realized in a digital controller. The experimental results show that either bifurcation or chaos in the current-mode Buck converter can be controlled into the expectant period-1 orbit rapidly.  相似文献   
119.
改进了传统电压表的面板设计,使电压表不仅能测两端的电压,还能测量自身的电流.于是在测量元件的伏安特性实验中,使用该电压表可以不考虑被测器件电阻的大小,均采用电流表外接的接线方式,即让电压表分流.再利用电压表的电流测量功能,测出自身分流电流的大小,从而可以准确得出被测器件的电流与两端的电压.  相似文献   
120.
Characteristics of single- and multi-finger mesa InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) are compared. The current gain decreases with the increasing number nf of the emitter fingers due to the mutual thermal interaction between the fingers. The Kirk current can be as high as 150mA for four-finger DHBT. No degradation of the peak of the current gain cutoff frequency ft is found for multi-finger DHBTs. The peak of the maximum oscillation frequency fmax decreases with an increase of nf due to the increasing parasitic resistance of the base. The results are very helpful for applications of the common-base DHBTs in power amplifiers operating at very high frequencies.  相似文献   
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