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陈建元 《中国惯性技术学报》2008,16(2):233-235
驱动轴与敏感轴的刚度耦合是硅微陀螺的机械耦合干扰是主要因素.敏感方向的电容对所有间隙变化进行检测,机械耦合造成了虚假的敏感信号输出,这种输出也会带来后续放大器的饱和问题.以往诸多相关检测方法,将敏感信号与耦合干扰一起送入乘法器.使有用的敏感信号的最后提取产生困难.文中分析指出存在干扰影响最小的可供对敏感信号采样时刻.这个采样时刻靠近敏感信号的峰值点.用取样积分的方法可以进一步提高信噪比.驱动电压也对敏感信号存在严重的干扰,因此使用了在采样时关断驱动信号的方法去除这种电气干扰.两方法结合减少了机械耦合干扰和电气耦合干扰,减少了系统误差. 相似文献
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Since the demand of metamaterial (MM) based devices for practical applications is increased, the method with input impedance of dipole aims to produce fast results with reasonable accuracy for its design proposed. In this work, the unit of MM is equivalent to a dipole and then MM could be treated as a dipole array. An analysis is performed based on classical microwave dipole and numerical simulation by using the finite-difference time- domain for different MM configurations in the form of dipoles array. Additionally, a quality factor (Q-factor) based analysis is shown to yield simulation results which are in good agreement with the experiment. In essence, this shows that we could use antenna theory and numerical method to analyze MM thus opening the doors for a more efficient parameter optimization method. 相似文献
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Research on the electrical characteristics of an organic thin-film field-effect transistor based on alternating-current resistance 下载免费PDF全文
In this article, an organic thin-film field-effect transistor (OTFFET) with top-gate and bottom-contact geometry based on pentacene as the active layer is fabricated. The experimental data of the I-V are obtained from the OTFFET device. The alternating-current (AC) resistance value of the OTFFET device is calculated using the derivation method from the experimental data, and the AC resistance trend curves of the OTFFET device are obtained with the region fitting method. We analyse the characteristics of the OTFFET device with an AC resistance trend curve. To discover whether it has a high resistance, it is proposed to judge the region of the source/drain voltage (VDS) less than the transition voltage, thereby determining whether the contact between the metal electrode and the organic semiconductor layer of the OTFFET device is Ohmic or non-Ohmic. The theoretical analysis shows that the field-effect mobility and the AC resistance are in reverse proportion. Therefore, we point out that reducing AC resistance is necessary if field-effect mobility is to be improved. 相似文献
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物理竞赛,既是物理课外活动的一项内容,又是推动物理课外活动的措施。在提倡素质教育、大力培养学生创新思维能力的今天,物理竞赛对于创造型人才、拔尖人才的培养,起到巨大的推动作用。 相似文献
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采用等离子体增强化学气相沉积类金刚石(DLC)薄膜、高真空磁控溅射镀膜设备溅射Ag靶的方法制备了不同厚度Ag、DLC层的DLC/Ag/DLC多层膜,分别用紫外可见分光光度计、四探针测试仪对样品的光学性能、电学性能进行了测试.结果表明,随着Ag层厚度的增加,DLC/Ag/DLC多层膜透射率先增后减,外层DLC薄膜和内层DLC薄膜对透射率影响基本一致,随着厚度增加透射率先增后减,在内外层厚度为40 nm,Ag夹层厚度为16 nm时,DLC(30 nm)/Ag(16 nm)/DLC(40 nm)膜在550 nm处的透射率高达94.4%,电气指数高达112.4 ×10-3Ω-1,远远超过现有透明导电膜的电气指数(FTC≈20×10-3Ω-1). 相似文献