微机电系统微尺度间隙的脉冲击穿特性

利用微机电系统(MEMS)工艺制备了5~40 m间隙的金属铝薄膜电极,测取了不同间隙下施加纳秒方波脉冲时的击穿电压,得到击穿电压和平均场强随电极间隙的变化规律,研究了脉宽、极性对击穿电压的影响,结合击穿后微电极扫描电镜观察结果讨论了其击穿机理,并与相同试样在直流下的结果进行了对比。研究表明:击穿电压随微间隙距离的增大而增大,击穿场强则随着间隙的增大迅速减小;与直流同间隙的击穿电压相比,脉冲作用下的击穿电压并不像宏观尺度下那样高出很多;试样击穿机理应为流注理论。在脉冲作用下,阳极出现了分层熔化现象,由于作用时间很短,阳极表面并未出现类似于直流击穿时留下的坑洞;阴极则出现了溅射沉积现象,只是沉积物质相对较少。     

气相色谱–串联质谱法测定电子电气制品中7种新型溴系阻燃剂

基于气相色谱–串联质谱技术,建立并优化电子电气产品中1,2-二溴–4-(1,2-二溴乙基)环己烷(TBECH)、五溴甲苯(PBT)、五溴乙苯(PBEB)、(2,3-二溴丙基)(2,4,6-三溴苯基醚)(DPTE)、1,2-双(2,4,6-三溴苯氧基)乙烷(BTBPE)、四溴邻苯二甲酸双(2-乙基己基)酯(TBPH)和三...     

基础设施投资对经济增长推动作用的动态计量模型与分析

本文通过建立误差修正模型定量分析中国及其东、中、西部地区基础设施对经济增长推动作用。在模型中,分析了中国及其东、中、西三大地区基础设施投资GDP的弹性系数,其弹性大,推动效率高。因此得出基础设施投资在国民经济中起重要作用,能够极大地刺激GDP增长。     

加速溶剂萃取-高效液相色谱/紫外检测电子电气塑料中十溴联苯醚

采用加速溶剂萃取、自制固相萃取柱净化和高效液相色谱/紫外检测对电子电气塑料中的十溴联苯醚进行定量分析,建立电子电气塑料中十溴联苯醚的分析方法.该法回收率达86.6%,采用标准添加法时RSD为4.7%.S/N=3时,检出限为0.5 mg/L.     

热解析-裂解-气相色谱/质谱联用法测定电子电气产品中的多溴二苯醚

建立了热解析-裂解-气相色谱/质谱法测定电子电气中多溴二苯醚(PBDEs)的方法。采用气相色谱-质谱总离子流和选择离子流对PBDEs进行定性和定量测定。对热解析温度,热解析时间,热解析升温速率和附件初始温度进行了优化,并进行了线性关系、精密度等试验。本方法线性范围200~1000 mg/kg,相关系数为0.995,检出限为50 mg/kg,相对标准偏差小于15%。本方法可直接固体进样,简化了前处理步骤,适用于电子电气产品中PBDEs的测定,满足欧盟Ro HS指令限量的检测要求。     

硅——二氧化硅界面电气特性及其对器件性能的影响

在硅——二氧化硅之间有个过渡层,过渡层中存在着界面态和固定电荷,它们能影响晶体管和集成电路的性能。本文简单介绍了界面态和固定电荷的特性,以及它们如何影响器件性能的。同时也介绍了控制界面态密度和固定电荷密度的一些方法。这些方法能有效地提高半导体器件的性能。     

微波消解-电感耦合等离子体原子发射光谱法测定电子电气产品陶瓷和玻璃中的铅、镉、铬和汞

采用微波消解技术,将电子电气产品中陶瓷和玻璃样品用HNO3-氟硼酸-H2O2在210℃的温度下加热约Ih溶解后,用全谱直读ICP—AES同时测定电子产品中陶瓷和玻璃里的铅、镉、铬和汞,方法的检出限为0．0015～0．012μg／mL。方法的回收率和精密度分别为90．5％～97．5％和0．16％-3．74％。可用于电子电气产品中陶瓷和玻璃里铅、镉、铬和汞的日常检验。     

RoHS指令新增四项限制

<正>不久前,在历经近8年的有限评估和考察后,欧盟拟将邻苯二甲酸酯等4种物质纳入到RoHS指令附件II中,成为新的受限物质。RoHS指令即《关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令》,是由欧盟立法制定的一项强制性标准。该标准最早于2006年7月1日起开始实施,主要用于规范电子电气产品的材料及工艺标准,使之更加有利于人体健康及     

超声萃取/HPLC-MS检测电子电气产品聚合物中的六溴环十二烷

通过优化超声萃取时间、萃取次数、萃取溶剂类型等条件,建立了电子电气产品中六溴环十二烷(含α,β,γ3种同分异构体)的高效液相色谱-质谱(HPLC-MS)测定方法。经条件优化,采用甲苯超声萃取样品,重复萃取3次,每次15 min,离心取上清液,合并后经氮气吹干,用甲醇-水溶液重新溶解定容后进行检测。六溴环十二烷各同分异构体的线性范围为50~5 000μg/L,线性相关系数均大于0.999,方法检出限为1 mg/kg,样品加标回收率为88.3%~104.5%。该方法快速、简便、准确、稳定,用于实际样品的检测,阳性样品均为发泡聚苯乙烯材料。