Electrical Characterization of Copper Phthalocyanine Thin-Film Transistors with Fluoride Gate Insulator

Different fluoride materlals are used as gate dielectrics to fabricate copper phthalocyanine （CuPc） thin film transistors （OTFTs）. The fabricated devices exhibit good electrical characteristics and the mobility is found to be dependent on the gate voltage from 10^-3 to 10^-1 cm^2V^-1 s^-1. The observed noticeable electron injection at the drain electrode is of great significance in achieving ambipolar OTFTs, The same method for formation of organic semiconductors and gate dielectric films greatly simplifies the fabrication process. This provides a convenient way to produce high-performance OTFTs on a large scale and should be useful for integration in organic displays.     

智能照明系统KNX与DALI协议网关的设计及实现

先进控制算法在实际应用过程中,往往伴随着算法难以实现、调试繁琐等问题。为将先进控制算法高效地部署到DCS上,提出了一种方便快捷的实现方法。首先,在MATLAB自身集成的先进控制算法与实际工业对象之间建立OPC通讯,反复调试后得到与被控对象特性相匹配的控制算法;其次,通过MATLAB RTW将该MATLAB/Simulink先进控制算法生成C++代码;最后,使用软PLC高级语言编程技术,将算法的C++代码无缝集成到DCS当中。实践中设计了一种基于双容水箱液位控制的模糊控制算法。实验结果表明,以该方式设计的控制算法具有良好的控制特性和较高的实际应用价值。该方式缩短了以往控制算法的部署周期,为先进控制算法在DCS中的实际应用提供了强有力地解决方案。     

基于Profibus-DP的液体灌装-装箱一体机设计

采用PLC技术、变频、伺服技术、Profibus现场总线控制技术,将S7-200 CPU通过EM277 Proibus-DP从站模块连入Proibus-DP网,建立S7-300与S7-200之间通信的方法,设计了集输送、灌装、加盖、装箱四合一体的液体灌装-装箱一体机,详细介绍了该系统的方案设计,硬件配置和程序设计;试验证实,该系统可靠性高、安全性好;在传送模块使用PLC控制变频器不仅能平稳启停电机,安全可靠输送玻璃瓶,同时能大大降低系统能耗;在装箱过程中使用伺服电机控制三自由度机械手,可实现精确的多位置控制;同时该系统具有很强的扩展性和灵活性,可以在空瓶传送过程中再加装空瓶清洗模块,次瓶剔除装置等,同时可与六自由度机械人结合,组成新的灌装生产线;该系统可应用于各种液体产品的包装生产线中。     

ICP–AES测定电子电气产品中铅的不确定度评定

建立了ICP–AES测定电子电气产品中铅含量的方法,根据该方法的定量数学模型分析了不确定度的来源,对各不确定度分量进行了评定和量化,计算了合成不确定度和扩展不确定度。结果表明,标准系列溶液配制、标准曲线拟合、测量重复性和加标回收率是不确定度的主要来源。电子电气产品塑胶部件中铅含量为149.07 mg/kg时,扩展不确定度为3.55 mg/kg(k=2)。     

The electrical characteristics of a 4H-silicon carbide metal-insulator-semiconductor structure with Al2O3 as the gate dielectric

A 4H-silicon carbide metal-insulator-semiconductor structure with ultra-thin Al₂O₃ as the gate dielectric, deposited by atomic layer deposition on the epitaxial layer of a 4H-SiC (0001) 8⁰N-/N+ substrate, has been fabricated. The experimental results indicate that the prepared ultra-thin Al₂O₃ gate dielectric exhibits good physical and electrical characteristics, including a high breakdown electrical field of 25 MV/cm, excellent interface properties (1×10¹⁴ cm^-2) and low gate-leakage current (I_G = 1 × 10^-3 A/cm^-2@E_ox = 8 MV/cm). Analysis of the current conduction mechanism on the deposited Al₂O₃ gate dielectric was also systematically performed. The confirmed conduction mechanisms consisted of Fowler-Nordheim (FN) tunneling, the Frenkel-Poole mechanism, direct tunneling and Schottky emission, and the dominant current conduction mechanism depends on the applied electrical field. When the gate leakage current mechanism is dominated by FN tunneling, the barrier height of SiC/Al₂O₃ is 1.4 eV, which can meet the requirements of silicon carbide metal-insulator-semiconductor transistor devices.     

浅谈工科院校的固体物理教学

固体物理学在当代高新技术的发展中起着关键的作用．因此在工科院校本科专业,特别是机械电子工程、硅酸盐工程、工业电气自动化等专业开设固体物理课程,使工科专业学生掌握一定的固体物理知识及其研究方法,不仅有助于他们知识结构的理工结合,扩大科学视野;而且为今后的发展奠定牢固的知识基础．     

采用Ga掺杂的具有低泄漏电流和高稳定性避雷器ZnO压敏电阻

为了获得性能更为稳定的ZnO压敏电阻,研究了含有Ga掺杂的ZnO压敏电阻的稳定特性,对所获得的实验样品的微观结构和电气特性进行了电子显微镜扫描测试、电压-电流非线性特性测试、电容-电压特性测试、X-射线衍射谱测试、能谱扫描测试、介质损耗测试及交流加速老化测试.实验结果表明,随着Ga掺杂量的进一步增加, Ga离子占据了ZnO晶格上的空位,增加了界面态密度,提高了肖特基势垒高度,一方面降低了ZnO压敏电阻的泄漏电流密度,另一方面抑制了耗尽层中自由电子的迁移,提高了ZnO压敏电阻在高荷电率环境下的稳定特性. Al离子固溶到ZnO晶格当中,产生大量的自由电子,降低了ZnO晶粒的电阻率,从而有效降低了ZnO压敏电阻在通过大电流时的残压比.当Ga的掺杂摩尔分数达到0.6%时,泄漏电流密度为0.84μA/cm²,残压比为1.97,非线性系数为66,其肖特基势垒高度为1.81 eV.在115℃环境下,对试验样品施加87%E1 mA,89%E1 mA和91%E1 mA的交流加速老化电压,老化时间为1000 h,老化系数分别为0.394, 0.437和0.550.此研究将有助于进一步...