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21.
后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。 相似文献
22.
消色差谱相位延迟器的光谱特性测试研究 总被引:6,自引:1,他引:5
本文应用归一化偏振调制原理建立的测试系统,对常规菲涅耳菱体,改进型菲涅菱体,斜入射型以及直角棱镜组合型的消色差相位延迟的光谱特性进行了测试研究,得到了各延迟器的消色差特性曲线,并对测试结果进行了分析。结果表明改进型菲涅耳菱体以及直色棱镜组合型型消色差相位延迟器,是目前较理想的实用型消色相位延迟器。 相似文献
23.
24.
各位专家、学者和来宾:
上海珠协与华东师大数学教育研究所联合举办的,旨在弘扬中华珠算文化专题研讨会,非常好,为珠算学、珠算史、数学史、数学教育、素质教育各相关学科进行学术交流提供机会。 相似文献
25.
26.
Nd扩渗BaTiO3陶瓷的电性能与XPS研究 总被引:4,自引:1,他引:4
采用气相法对钛酸钡陶瓷扩渗Nd元素,
经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的电性能发生了十分显著的变化. 通过正交实验,
确定了最佳扩渗条件, 当Nd的浓度为2%, 扩渗时间为4 h, 扩渗温度为860
℃时, BaTiO3陶瓷的导电性最好,其室温电阻率从4.3×109 Ω*m下降为37.45 Ω*m,
而且随着温度升高, 交流电导逐渐增大, 导电性更强. Nd扩渗使BaTiO3陶瓷的介电常数增加,
而介电损耗降低, BaTiO3陶瓷的介电性能得到了显著改善. 经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的介电常数随着温度的变化呈明显的PTC效应,
其居里温度降低为118.1 ℃. 经XPS测试分析, 给出了Nd扩渗BaTiO3陶瓷体系中各元素结合能位置的峰值,
并表明 Nd扩渗BaTiO3陶瓷中Nd, Ba, Ti都存在变价, 因而导致了BaTiO3陶瓷导电性的增强. 相似文献
27.
28.
29.
将钛酸四丁酯和硬脂酸在熔融状态下混合均匀后置于冷水浴中,使其凝固成凝胶,通过控制烧结过程中氧气的含量,成功地制备出粒度均匀、介电性能好的纳米晶TiO2.通过采用X射线光电子能谱和表面光电压谱对纳米晶TiO2表面状态的分析发现,材料表面存在大量的氧空位缺陷,暴露在粒子表面上的主要是一些金属Ti4+.纳米材料的这种表面状态对其极化性质具有重要的影响,使其在接近静态条件下的低频介电常数远大于常规材料的介电常数. 相似文献
30.
用CALPHAD技术优化计算了稀土卤化物熔盐TbCl3-ACl(A=Li,Na,K,Rb,Cs)五个二元系相图以及其热力学性质。优化采用了短程有序-扩展似化学模型,得到了热力学性质和相图自洽一致的结果,并与相应的实验相图进行了比较,对其中差异的部分进行了分析和修正。讨论了热力学优化结果,并探讨了过剩热力学性质变化的规律和特征。 相似文献