显像管调制特性的测量与分析

测试了显象管调制特性曲线，并分析了特性曲线与显像管工作原理．     

25MeV／u^6He十^9Be破裂反应的α碎片发射

测量了在25MeV／u^6He轰击^9Be靶的破裂反应产生的α碎片双微分截面及角分布，并在Ser—ber模型的框架下计算了在破裂反应中衍射破裂与擦去过程的贡献，并对结果进行了讨论．结果表明基于包含衍射破裂和擦去过程的Serber模型可以对^6He的直接反应进行较好地描述，擦去过程的贡献远大于衍射破裂的贡献．相对于^6Li而言，^6He较大的去2n微分截面源于它的弱束缚特性。     

三组元乳化液雾化特性的研究

采用Malvern粒度仪对柴油、甲醇和水三组元乳化液的雾化特性进行了研究。实验发现:对于压力雾化喷嘴来说,本文所涉及的乳化液由于粘度高于纯柴油,因此雾化效果比纯柴油差,而且喷射压力、乳化剂的粘度和乳化液的组份对乳化液的雾化特性具有显著的影响。随着喷射压力的升高,乳化液喷雾粒径将随之减小;若乳化液中柴油的含量(柴油不少于50％)降低,乳化液的雾化粒径将随之增加;若采用高粘度的乳化剂,相应乳化液喷雾的粒径也大。     

开关结构对a-SiTFT-LCD光学特性的影响

分析非晶硅薄膜晶体管在a-SiTFT-LCD中的开关特性，讨论这种开关结构中的主要功能膜材料尺寸与性能参量、光刻制备工艺，存储电容以及栅脉冲延迟效应等对a-SiTFT-LCD的通断电流比，信号响应与保持特性，图像亮度与对比度等光学特性的影响。     

聚丙烯酸长链酯的Huggins常数与其分子量的依赖性关系

聚丙烯酸高碳醇酯(PBA)及聚丙烯酸十八醇酯(POA)是具有长烷基侧链的梳状聚合物,在溶剂苯中的Huggins常数(k′)随其分子量(M)的变化而变化.在PBA-苯体系中发现,当M低于某一临界分子量(MLC)时,k′随分子量的降低显著增大;当M大于某临界分子量(MHC)时,k′随分子量的升高而增大;当M在MLC～MHC时,k′基本上保持不变.而在POA-苯体系中发现,当M低于某一临界分子量(MC)时,k′随分子量的降低显著增大;当M大于该临界分子量(MC)时,k′在0.33～0.43变化.文中同时给出了精确算法用来计算PBA-苯体系及POA-苯体系中PBA及POA的特性粘度.当k′＞0.758时,用稀释外推法计算;当0.758＞k′＞0.426时,用一点法公式[η]=ηsp/C(√)ηr计算;当0.426＞k′＞0.334时,用另一一点法公式[η]=(√)2(ηsp-lnηr)/C计算.     

X波段五腔渡越管振荡器的理论与实验研究

 提出了一种新结构的X波段五腔渡越管振荡器，进行了理论和实验研究。根据场分布进行了一维非线性分析，结果表明该结构可以产生高功率微波，并判断了工作模式，为TM₀₁模的3π/5模。采用粒子模拟验证了一维非线性分析的结论，并优化设计出五腔渡越管振荡器,优化结果为：输出功率约1 GW， 工作频率9.3 GHz，束波转换效率约22%。实验中，通过参数调节，得到频率约9.25 GHz，峰值功率约780 MW，脉宽（半高宽）21 ns的输出微波，束波转换效率约为16%。实验结果与模拟结果基本符合。     

基于半导体材料的新型光纤温度传感器

提出利用全反射定律以半导体材料作为敏感器件的光纤温度传感器，着重阐述半导体材料的温度敏感特性及传感原理，介绍传感器构造，并给出初步实验方案。     

高功率超宽带减小型锥削螺旋天线

随着超宽带（UWB）技术应用的发展，螺旋天线以其园极化辐射成为关注的焦点。高功率超宽带螺旋天线的设计难点是：对于较宽频带的超宽带脉冲信号，能否保证所设计的螺旋天线在较宽的频带内保持良好的方向性和园极化特性，且同时满足高功率容量，为此通过理论分析和数值模拟设计出减小型锥销螺旋天线，对其进行了相应的实验研究。     

Cu-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜的电导特性研究

用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为 10 % ,15 % ,2 0 %和 3 0 %的Cu MgF2 复合金属陶瓷薄膜 .用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特性进行了测试分析 .微结构分析表明 :制备的Cu MgF2 复合薄膜由fcc Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2 陶瓷基体中构成 ,Cu晶粒的平均晶粒尺寸随组分增加从 11 9nm增至 17 8nm .5 0— 3 0 0K温度范围内的电导测试结果表明 :当Cu体积分数qM 由 15 %增加到 2 0 %时 ,Cu MgF2 复合薄膜的电阻减小了 8个量级 ,得出制备的复合薄膜渗透阈qCM 应处于 15 %和 2 0 %之间 .qM 在 10 %和 15 %之间的薄膜呈介质导电状态 ,而在 2 0 %和 3 0 %之间的薄膜则呈金属导电状态 .从理论上讨论了复合薄膜中杂质电导和本征电导的激活能及其对电导的贡献 ,并讨论了Cu MgF2 复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈 ,得到了和实验一致的结果