W-模型辨识及其统计特性

本文选用三位式伪随机序列作为输入 ,充分利用其激励信号的各种特性 ,辨识非线性系统 Wiener模型的线性子系统脉冲响应函数 ,对非线性增益环节 ,则由其奇数和偶数项多项式系数分别进行估计 .同时研究线性与非线性子系统辨识的统计特性 ,给出各部分参数估计的置信区间 .     

动态特性的参数设计在差示光度法测金中的应用

本文提出对动态特性参数设计使用相关系数与信噪比作为内表指标进行分析 ,并使用该分析方法优化了差示光度法测较高浓度金矿样的试验条件。     

聚合物基片对柔性有机发光器件性能的影响

以聚合物基片柔性ITO膜为透明电极，制备了ITO／TPD／Alq3／Al结构柔性有机发光器件，并与在相同条件下制备的玻璃基片相同结构器件作了比较。研究了不同基片对有机材料及器件性能的影响，指出选择不易吸湿、耐温高、热胀系数小的聚合物材料，提高柔性ITO膜的附着力和导电性，结合柔性ITO膜的具体特性。优化有机层的蒸镀条件，是提高柔性有机发光器件发光亮度和稳定性的重要途径。     

气炮用锰铜应力计

本文介绍一种气炮用锰铜应力计测量系统,并给出了两种锰铜计的标定实验数据和曲线。     

Analysis and modeling of resistive switching mechanisms oriented to resistive random-access memory

With the progress of the semiconductor industry,the resistive random-access memory(RAM) has drawn increasing attention.The discovery of the memristor has brought much attention to this study.Research has focused on the resistive switching characteristics of different materials and the analysis of resistive switching mechanisms.We discuss the resistive switching mechanisms of different materials in this paper and analyze the differences of those mechanisms from the view point of circuitry to establish their respective circuit models.Finally,simulations are presented.We give the prospect of using different materials in resistive RAM on account of their resistive switching mechanisms,which are applied to explain their resistive switchings.     

室温生长ZnO薄膜晶体管的紫外响应特性

在室温下采用射频磁控溅射法制备了以ZnO薄膜为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).研究表明ZnO薄膜在紫外区具有较高的吸收率,并且ZnO-TFTs对紫外光照射较为敏感.因此,进一步深入研究了ZnO-TFTs紫外光照下的输出和转移特性,结果表明,紫外光照将引起较为明显的光响应电流,且经过光照的器件在光源移除7天后,ZnO沟道层中仍能观察到残余电导现象,其原因可以归结为紫外光辐射在ZnO沟道层中引入了一定数量的氧空位施主态缺陷.     

分形烟尘簇团粒子的消光特性研究

根据物质的电结构,将烟尘簇团粒子离散为一系列的偶极子,利用离散偶极子近似方法,获得了不同波长电磁波入射情况下分形烟尘簇团粒子不对称因子、吸收和散射效率因子的值.结合偶极子在电磁场中的力学性质,分析了烟尘簇团粒子在外加电磁场中所受的力和力矩,给出三种分形结构烟尘簇团粒子的电磁辐射压力及电磁辐射力矩效率因子随入射波波长变化的数值结果,分析了烟尘粒子对电磁能量吸收的宏观表现和微观机理.结果显示:入射波长、烟尘簇团粒子的分形维数及所含原始微粒数目都将影响烟尘粒子的消光特性.     

Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响

众所周知, 双极型晶体管的设计主要是基区的设计. 一般而言, 基区的杂质分布是非均匀的. 本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响, 发现增益和截止频率具有正温度系数, 体内温度较高. 随后研究了基区Ge组分分布对这些器件参数的影响. 均匀Ge组分分布和梯形Ge组分分布的SiGe 异质结双极型晶体管增益和截止频率具有负温度系数, 具有较好的体内温度分布. 进一步的研究表明, 具有梯形Ge组分分布的SiGe 异质结双极型晶体管, 由于Ge组分缓变引入了少子加速电场, 不但使它的增益和截止频率具有较高的值, 而且保持了较弱的温度敏感性, 在增益、特征频率大小及其温度敏感性、体内温度分布达到了很好的折中.     

带有增益介质层的混合脊状等离子体波导的传输特性

在传统脊状等离子体波导的基础上设计了一种带有增益介质层的新型混合脊状等离子体波导,其结构中的介质层部分包含两个区域:前区为单一介质,后区的脊是由2种介质构成的双层脊区。采用二维时域有限差分方法分析了波导结构的传输特性,得到了TM模下的电场分布图,并对输出功率以及传输损耗与结构参数和介质折射率的变化规律进行了讨论。结果表明,在波导中引入的增益介质材料磷化铟后其损耗达到-6 dB/μm。此种波导结构对于光集成芯片的研究与制作具有重要意义。