ArCCo~3(CO)~9~-~nL~n的化学ETC合成及其电化学研究

利用由化学还原剂BPK引发的电子迁移催化反应(ETC)合成了两个系列八种新的三核钴簇合物p-RC_6H_4CCo_3(CO)_(9-n)L_n(L=PPh_3,n=1;L=P(OEt)_3,n=2)。用m.p.、元素分析、IR及~1H NMR对簇合物进行了表征。对簇合物在Pt电极上的循环伏安(CV)研究表明,p-RC_6H_4CCo_3(CO)_9及PPh_3单取代物在室温下均经历一个可逆的单电子过程。p-RC_6H_4CCo_3(CO)_9的E_(1/2)与R的σ_m的线性关系表明R通过诱导效应影响簇合物的氧化还原性。取代簇合物的还原电势相对于母体簇合物的负移表明P的配位增大了CCo_3上的电荷密度,导致簇合物难被还原。     

荧光素酯与蒽甲酸酯之间的光致相互作用

我们合成了以不同链长连接的荧光素酯与蒽甲酸酯的四种二元化合物.在溶液中的构象研究表明.链呈不同程度的弯曲,但分子内两个发色团的相互作用是微弱的.激发蒽甲酸酯,无论是在分子间还在分子内,其单重态能量几乎都传递给了荧光素酯.激发荧素酯时,并未观测到分子内的光致电子转移,尽管计算和模型化合物分子间的对照实验都表明它们之间是可以发生这种电子转移的.最可能的原因是这个系列在溶液中,分子内的两个发色平面没有好的匹配,或者说 ,这些二元化合物在所研究的溶液中,不能满足分子内的光致电子转移对构象的要求.     

若干中性配体对Mo—Fe—S簇合物自兜的影响

通过电子吸收光谱的变化研究了一些含N和含P中性配体对MoS_4~(2-)-nFeCl_2-DMF体系形成立方烷型Mo-Fe-S簇合物的可能影响。     

杂多蓝的研究 I. 具有Dawson结构的钼砷杂多蓝的制备及性质

本文详细地研究了具有Dawson结构的钼砷杂多酸(H6As2Mo18O62)的两电子、四电子、六电子还原杂多蓝的制备条件, 离析出了它们的钾盐、铵盐及四丁基胺盐。找到了合适的电解电位。通过电位滴定、极谱、电子光谱、红外光谱、X射线粉末衍射和光电子能谱的研究, 确证了所希望得到的产物。研究表明, 杂多蓝的结构与还原前相比未发生明显变化。水溶液稳定性的研究指出, 杂多蓝要比还原前的杂多阴离子稳定, 存在的PH范围加宽, 指认了可见-红外区出现的谱带。     

卟啉镍分子的激发态和反饱和吸收

用INDO/CI方法研究了卟啉镍分子的电子结构、紫外光谱、激发态,并从理论上指出卟啉镍分子存在反饱和吸收的微观机制.     

(NiV13O38)7-的电子结构和催化性质的探讨

使用SCC－DV－Xα方法研究了高钒杂多化合物（NiV13O38）7-的电子结构，并探讨了它的催化性质·结果表明，（NiV13O38）7-是一种比Keggin结构更强的催化剂。分析了该阴离子中的键的强弱关系，认为配位数越少的氧与V形成的键越强．并分析了前线轨道HOMO，LUMO的组成，从而得出它的催化活性中心是Ni，V、一配位端氧，二、三配位桥氧，五配位中心氧的结论。     

激光诱导等离子体中的电子密度和电子温度的测量

脉冲激光诱发等离子体的谱诊断技术用来对其电子密度和电子温度的测量结果与理论计算进行了比较，同时讨论了运用这个方法的物理条件．     

GC-MS法测定焦化厂气溶胶中多环芳烃

利用气相色谱-质谱(GC-MS),电子轰击离子化(EI)法测定焦化厂气溶胶中多环芳烃的含量。超声波抽提气溶胶样品,用GC-MS的选择离子监测(SIM)方式测定EPA提出的优先监测的16种多环芳烃的含量。该法的检出限为0.167pg·m~(-3),PAHs的回收率为85.1％～110.5％,相对标准偏差为4.62％～19.4％。应用该法测定气溶胶中PAHs获得满意的结果。     

单分子器件电子输运性质的理论研究

对当前单分子器件的理论和实验的研究进展作了简短评述,并简要介绍电子输运理论,最后给出一个基于非平衡态格林函数电子输运理论的全自洽方法,研究单个水分子在Au(111)电极之间的输运性质的计算实例.研究结果表明由于水分子与电极之间存在较强的杂化作用,水分子的分立能级间距大,在小偏压范围内,水分子的特征已经被淹没在杂化能级之中.体系的电势变化主要发生在水分子局域区间,其电子输运行为主要是一个单通道过程.     

推拉电子取代基对二茂铁衍生笺性质及电子结构的影响

根据前线轨道理论分析３种具有推拉电子取代基的二茂铁衍生物循环伏安曲线，电子上光谱衣光谱电子化学行为，为给出了分子轨道能级图。实验结果表明，ＰⅡ有两对可逆氧化还原峰，Ｅ＾ｏｘ１，Ｅ＾ｏｘ２分别为０．３３，０．５９Ｖ，第一氧化态ＰⅡ＾＋（Ｄ－Ｆｃ＾＋－Ｒ）在６１３ｎｍ有强的ＬＭＣＴ（ｌｉｇａｎｄ－ｔｏ－ｍｅｔａｌ－ｃｈｇａｒｇｅ－ｔｒａｎｓｆｅｒ）带，是一种良好的光学特性氧化还原开关。ＰⅡ在３５４ｎｍ