脂族酰基过氧化物分解动力学的研究X: 过氧化酰热分解反应的自旋捕获ESR研究

用亚硝基丁烷(TNB)、亚硝基苯和C-苯基-N-叔丁基硝酮作为自旋捕获剂来捕获和检出一些二酰基过氧化物类化合物分解时形成的短命烷基自由基. 报导了烷基自由基对自旋捕获剂加成的氮氧化物自由基的电子自旋共振谱, 并观察到2,4,4-三甲基戊基自由基中α-CH2的氢是非对映和非等价的. 据此, 认为与这一类自由基的加合物产生的电子自旋共振谱与其它类型自由基是不同的.     

酞花菁及金属酞菁化物紫外光解的ESR研究

在较强的紫外辐射作用下,即使较为稳定的酞菁化合物也可能发生光解。水文用自旋捕捉与ESR技术相结合的方法检出了在光解中生成的氮中心自由基。     

联吡啶桥联乙酰丙酮铜配合物的晶体结构和波谱研究

研究了联吡啶桥联乙酰丙酮铜配合物[μ-4,4-bipy-Cu(acac)~2]的晶体结构和电子结构,晶体属单斜晶系,空间群P2~1/n,晶胞参数:a=11.288(5), b=14.507(6),c=11.978(3)A;β=94.17`,Z=4.非权重偏离因子R=0.054.结构测定表明:在晶体中Cu(acac)~2与4,4-bipy是以1:1形成一维无限的链状结构.利用UV,IR,ESR等波谱,比较了[μ-4,4-bipy-Cu(acac)~2]和Cu(acac)~2成键情况的差异,近似地计算了分子轨道系数α1,α1'和ε~x.分析了1H NMR谱中接触位移,准接触位移和各向异性效应的存在和相对大小。     

锂在共轭双键高分子中的电化学嵌入反应3: 锂在聚萘中的电 化学嵌入反应

研究了锂在导电高聚物---聚萘中的嵌入反应。聚萘样品经650℃处理,作为锂电池的正极,组装成Li/(C~1~0H~6)~n电池。X射线衍射分析、ESR实验、X射线光电子能谱分析等一系列实验证实上述电池的正板反应是锂在聚萘中的电化学嵌入反应。通过XPS实验对嵌入聚萘的锂进行了价态分析,认为嵌进去的锂是以原子态及离子态两种状态存在,其结合能分别为55.7eV和57.4eV。采用电化学暂态测量技术研究了锂在导电高聚物---聚萘中的扩散,计算了锂在嵌合物中的离子电导率及淌度。用Hebb-Wagner直流极化法测量了嵌合物的电子电导。     

铜(II)与α, β-不饱和酸根形成的超分子配合物的合成、磁性 及晶体结构

合成了铜(II)与丙烯酸根和铜(II)与α-甲基丙烯酸根形成的两种超分子配合物,进行了元素分析、红外光谱、ESR谱和磁性等研究,确定分子单元的组成为Cu~2A~4(H~2O)~2,其中A=CH~2=CH-COO^-,CH~2=C(CH~3)-COO^-。测定了铜(II)与丙烯酸根形成的配合物的晶体结构。晶体属单斜晶系;C2/c群;晶胞参数:a=1.7009(9)nm,b=0.8060(5)nm,c=1.4429(4)n,β=109.31(5)ⅲ,Z=4;最终偏离因子R=0.0501。Cu(II)具有畸变的四角锥形配位环境,两个Cu(II)由四个丙烯酸根桥联,在Cu(II)的端位各有一个H~2O分子配位。Cu(II)-Cu(II)间具有一对称中心,Cu-Cu间距离为0.26096(14)nm,两个Cu(II)间具有反铁磁性偶合作用。每个分子单元以四根氢键与相邻的两个分子单元相连接,沿c轴形成一维链状超分子配合物。     

吨染料与反胶束体系中CdS的光敏电子转移

用ＡＯＴ／异辛烷／水反胶束体系制备出了不同尺寸大小的纳米ＣｄＳ,并以曙红（ＥＯ）和孟加拉玫瑰红（ＲＢ）为探针分子,研究了它们与硫化镉微粒间的光致电荷转移相互作用,用光照实验和ＥＳＲ技术研究了这些染料向ＣｄＳ的导带注入电子的过程并讨论了作用机理     

γ辐照 聚全氟乙丙烯(F46)的电子自旋共振研究 I.真空中俘获自由基的定量研究

A method for determining respectively the concentration of free radicials...CF2-CF2.(RI), ...CF2-CF-CF2...(RII)and...CF2- C(CF3)-CF2...(RIII) trapped in γ-irradiated F46 in vacuum at room temperature by analysing the ESR overlapping spectra is proposed. A quantitative relation between the concentration of free readicals and the total dose of γ-irradiation has been studied. The generating rate o free radicals caused by irradiation, i.e. G-value, has been calculated; it is 2.0 for RIII, 1.2 for RI, and 0.59 for RII. the magnitude of G value of free radicals is in the reverse order of their stability. Hence, we assume that the G value of free radicals in F46 mainly depends on the escaping rate of F2 and other fluorine-containing small molecules from surface of polymer into space. Therefore the looser the molecular chain, the larger becomes the G value of free radical. From that, we consider that both unstable free radicals RIII and RI with larger G-value mainly locate in the amorphous region, and the stable free radical RII with lower G-value is in the crystalline region. Recombinations between free radicals RII and RIII, or between RII and RI are forbidden at the temperature lower than 80C. An explanation for the saturation phenomenon of concentration of free radicals is given.     

衬底对N@C60分子电子自旋共振谱的影响

N@C₆₀内嵌富勒烯是一种在量子科技领域有较高应用前景的分子。科学家们设计了一系列以内嵌富勒烯分子为基本量子单元的量子计算机模型,而构筑这样的模型具有极高的挑战。其中,由于内嵌富勒烯分子阵列的制备通常需要合适的衬底,而衬底与分子之间的相互作用会影响甚至破坏内嵌N原子的自旋信号。因此研究和理解衬底与内嵌富勒烯分子的相互作用具有重要的意义。本文制备了高质量的N@C₆₀分子,并采用扫描隧道显微镜对其在Au(111)表面的结构及电子态进行表征。通过对比N@C₆₀分子在Au(111)、Si(111)、SiO₂表面的电子自旋共振(ESR)信号随时间及其抽真空处理的变化,表明Au原子的核自旋与内嵌N原子的电子自旋的耦合作用是Au(111)表面N@C₆₀单分子层的ESR谱中内嵌N原子的信号衰减的主要原因。     

CaO-B2O3-SiO2：Eu^2＋玻璃的合成及荧光光谱分析研究

在还原气氛中合成了CaO-B2O3-SiO2：Eu^2＋玻璃体系,研究了该玻璃体系中Eu^2＋的激发光谱和发射光谱,并归属了其相应的跃迁发射。研究了掺杂Eu^2＋浓度对其发光强度的影响,结果表明,Eu^2＋掺杂量在0.20%时发光强度达到最大值,在该玻璃体系中没有观察到浓度猝灭现象。研究了合成条件与Eu离子在玻璃中发光性质的关系,说明还原能力H2〉CO〉空气,空气几乎不具备还原能力。研究了玻璃中Eu^2＋的电子自旋共振谱（ESR）性质,证实了玻璃体系中Eu^2＋的存在,得到了玻璃体系中Eu^2＋的能级图。     

LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性

利用电子自旋共振波谱（ESR）仪,分析由低压化学气相沉积（LPCVD）法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位（V_C）及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR谱线半高宽较大及峰谷不对称现象的主要原因是测试温度较高.同时,吸收谱中峰谷不对称现象及较大半高宽现象的出现还与不对称的晶格结构及缺陷浓度的不均匀分布有关.在110 K测试温度下,能级上的电子分布对ESR谱特性影响很小. 关键词： 低压化学气相沉积 高纯半绝缘4H-SiC 电子自旋共振 本征缺陷