变梯度倾斜场加速管的简化场型公式

本文导出了中心粒子轨迹具有“零进、零出”约束条件的变梯变倾斜场加速管工艺段的简化场型公式。     

10MeVLIA加速电压、电子束流测试

描述了中物院流体物理研究所１０ＭｅＶ电子直线感应加速器（１０ＭｅＶＬＩＡ）加速电压、电子束流波形测试方法，主要介绍了为探测加速腔电压波形而设计的电容性高压脉冲探头（ＣＶＰ探头）及其测试方法，并介绍了用电阻环四象限点监测束流质心位置及束流强度的方法。     

加速器电子枪控制器的设计及其远程光纤通讯的实现

 介绍了合肥国家同步辐射实验室200 MeV电子直线加速器新型脉冲电子枪控制器的工作原理，以及I²C总线和嵌入式微控制器在电子枪控制器中的应用，详细分析了加热灯丝的数控电流源、引出电子束的数控电压源和脉冲电压源等模块的硬件实现，并给出了光纤通讯和后端微机控制软件的设计过程。该电子枪已成功应用于加速器的实际运行中，性能稳定，工作可靠，完全替代了以前的机械控制方式。     

Ultraviolet and Deep-Ultraviolet Emissions from c-MgxZn1-xO/MgO Ultrathin Multilayer Heterostructures

Cubic phase MgxZn1-x O/MgO multilayer heterostructures （c-Mgx Zn1-xO/MgO MHs） are grown on Si（100） and quartz substrates by reactive electron beam evaporation at low temperature （250℃）. Cross-sectional morphology observations by field-emission scanning electron microscopy show the legible interfaces of c-MgxZn1-x O/MgO MHs. X-ray diffraction demonstrates that c-MgxZn1-xO/MgO MHs are of highly （100）-oriented. Optical trans- mission investigations of c-Mgx Zn1-x O/MgO MHs on quartz substrates reveal the coexistence of the two phases, c-MgxZn1-xO and MgO. Photoluminescence examination indicates the emergence of deep-ultraviolet emission centred at about 290nm along with the blue shift of the ultraviolet emission from 405nm to 39Gnm when the nominal thickness of c-MgxZn1-xO well layers of MHs is diminished to 3nm, which is probably originated from quantum confinement effect.     

激光驱动高亮度电子束源

采用激光驱动光阴极和１００ｋＶ直流加速间隙可产生宽度为５０～１００ｐｓ的高亮度脉冲电子束，该装置主要由光阴极制备室和直流加速间隙组成，可以用化学气相沉积，离子注入和离子束增强沉积等方法制备光阴极，通过用ＥＧＵＮ和ＰＯＩＳＳＯＮ程序模拟，给出了直流间隙的物理设计，光源采用一台主被动双锁的Ｎｄ：ＹＡＧ激光器，可工作在１０６４、５３２和２６６ｎｍ三个波长，重复频率为１０Ｈｚ，此外，也论述了光阴极制备室与