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1.
2.
建立了一个四组分一维混合模型,对电子束注入大气产生大尺度等离子体的过程进行了数值模拟.结果表明了能量为140keV、流强为50mA/cm2的注入电子束,可以产生线度为0.5m,密度为1012cm-3量级的大气环境下等离子体.电子束所伴随的空间电荷效应由于等离子体的产生会很快消失,不影响后续的等离子体产生过程.电子束注入流强主要影响产生等离子体的密度,而电子束能量则同时影响其空间线度和密度.
关键词:
电子束
碰撞
电离 相似文献
3.
4.
强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大,理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数,并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明,随着入射角的增大,靶材表面层单位质量中沉积的能量增大,电子在靶材料中穿透深度减小,能量沉积系数减小,相应的束流传输系数也减小;能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。 相似文献
5.
电子束流品质对自由电子激光小信号增益影响的计算 总被引:1,自引:0,他引:1
对电子束有一定初始能量分散或角度分散时的自由电子激光小信号增益用较简便的方法进行了分析计算,并给出了一个渐近公式,结果与用计算机模拟解自由电子激光微分方程组得到的结果一致。 相似文献
6.
2MeV直线感应加速器注入器系统由电子束产生器和脉冲功率系统组成。电子束产生器包括由感应腔组成的阴极电压叠加器、阳极电压叠加器和真空二极管及束输运系统。脉冲功率系统则包含初级功率源Marx、次级功率源Blumlein线和触发系统,其作用是为感应腔提供一个具有数十纳秒平顶宽度的高压脉冲,激发感应腔在感应腔间隙上获得一个加速电场。在2MeV注入器功率系统中,4个Blumlein线的充气开关是由发散装置的输出触发信号进行导通控制的。通过控制发散输出触发信号到达Blumlein线开关的时间,即可以实现Blumlein线开关在不同时间内触发导通,使Blumlein线依据所设定的时间顺序输出激励脉冲,从而在真空二极管上获得高压脉冲串。由于功率系统采用的是182C结构,即一根Blumlein线驱动两个感应腔,因此最多可以实现四脉冲串列。 相似文献
7.
研制成功的6MeV高能工业CT集成检测系统采用磁控管驱动的6MeV射频加速器作为X射线源,成像系统与9MeV高能工业CT相同,扫描方式采用三维锥束扫描。主要技术指标与9MeV工业CT系统接近,其空间分辨率也达到21p/mm(10%的调制度下)。 相似文献
8.
束晕-混沌的复杂性理论与控制方法及其应用前景 总被引:18,自引:0,他引:18
本文系统论述涉及强流加速器等强流离子束装置中产生的束晕-混沌的复杂性理论与控制方法及其应用前景。强流离子束在核材料生产与增殖、洁净核能、放射性废物嬗变、放射性药物生产、重离子聚变、高能物理、核科学与工程、国防与民用工业和医疗等许多方面都有极其重要的应用潜力和诱人的发展前景。尤其是,近年来强流加速器驱动的放射性洁净核能系统是国内外关注的热门课题,因为它比常规核电更安全、更干净、更便宜。但是,强流离子束形成的束晕-混沌的复杂性现象已引起了国内外广泛关注,需要加以抑制、控制和消除这类现象,解决这一难题已经成为强流离子束应用中的关键问题之一。目前不仅必须深入研究这类束晕-混沌的复杂特性及其产生的物理机制,而且需要研究如何实现对束晕-混沌的有效控制,并寻求和发展其新理论、新方法和新技术。这就向强流离子束物理和非线性-复杂性科学及其技术提出了一系列极富挑战性的新课题。本文结合国内外的研究概况,根据我们多年来的研究成果,特别是我们首创性地提出了一些束晕-混沌的有效控制方法,它们包括:非线性反馈控制法,小波反馈控制法,变结构控制法,延迟反馈控制法,参数自适应控制法等,进行重点的介绍。对上述课题当前的主要进展及相关问题进行系统的总结和比较全面综述的评论。最后,指出该领域今后的研究方向,以推动这个崭新领域的深入研究和应用发展。 相似文献
9.
We present a compact improved model of the magnetically insulated line oscillator with new-type beam dump and other novel features. In the experiments, high-power microwave of the TM01 mode is generated from the device with a frequency range of 1.73-1.78 GHz and a peak power level of above 2 GW, when the diode voltage is taken in the range 520-540kV, and the diode current is in the range 58-62kA. This confirms the simulation results. 相似文献
10.