全文获取类型
收费全文 | 5802篇 |
免费 | 3742篇 |
国内免费 | 3830篇 |
专业分类
化学 | 3580篇 |
晶体学 | 268篇 |
力学 | 519篇 |
综合类 | 196篇 |
数学 | 566篇 |
物理学 | 8245篇 |
出版年
2024年 | 79篇 |
2023年 | 260篇 |
2022年 | 293篇 |
2021年 | 276篇 |
2020年 | 224篇 |
2019年 | 234篇 |
2018年 | 213篇 |
2017年 | 260篇 |
2016年 | 296篇 |
2015年 | 334篇 |
2014年 | 687篇 |
2013年 | 613篇 |
2012年 | 574篇 |
2011年 | 674篇 |
2010年 | 651篇 |
2009年 | 596篇 |
2008年 | 693篇 |
2007年 | 576篇 |
2006年 | 587篇 |
2005年 | 554篇 |
2004年 | 540篇 |
2003年 | 486篇 |
2002年 | 394篇 |
2001年 | 425篇 |
2000年 | 361篇 |
1999年 | 265篇 |
1998年 | 264篇 |
1997年 | 243篇 |
1996年 | 209篇 |
1995年 | 225篇 |
1994年 | 224篇 |
1993年 | 192篇 |
1992年 | 212篇 |
1991年 | 174篇 |
1990年 | 177篇 |
1989年 | 152篇 |
1988年 | 32篇 |
1987年 | 43篇 |
1986年 | 30篇 |
1985年 | 22篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 11篇 |
1982年 | 3篇 |
1981年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
采用模匹配方法,研究了非均匀磁场下开放的四端量子波导中的电子输运性质. 结果表明,从一端入射的电子可以透射到两个与之垂直的输出端和一个与之平行的输出端. 在没有外加磁场的情况下,两个垂直输出端的输运概率是相同的,但垂直端与水平端的输运概率不同;在外加磁场下,由于磁边缘态效应,两个垂直输出端的输运概率也有着相当大的差别. 通过施加不同的磁场,我们能获得丰富的电子输运结构,如台阶,宽谷,尖峰等;通过调节磁场的大小和比例以及结构参数可控制该量子结构在各输出端的输运概率.
关键词:
电子输运
介观体系
磁效应 相似文献
82.
83.
应用密度泛函理论,本文系统地研究了O在Au(111)表面上的吸附能、吸附结构、功函数、电子密度和投影态密度,给出了覆盖度从0.11ML到1.0ML的范围内,O的吸附特性随覆盖度变化的规律.研究发现O的稳定吸附位为3重面心立方(fcc)洞位,O在fcc洞位的吸附能对覆盖度比较敏感,其值随着覆盖度的增加而减小;O诱导Au(111)表面功函数的变化量与覆盖度成近线性关系,原因是Au表面电子向O偏移,形成表面偶极子;O—Au的相互作用形成成键态和反键态,且反键态都被占据,造成O—Au键很弱,O吸附能较小.
关键词:
表面吸附
Au(111)表面
密度泛函理论
电子特性 相似文献
84.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
85.
采用准相对论性Hartree-Fock-Relativistic方法与不可分辨跃迁组模型相结合,对Au和Ta元素的类Ni离子的双电子复合速率,以及Au元素类Cu离子的电子碰撞激发速率进行了计算。计算结果表明,对于Au类Ni离子的3d10-3d94l5f-3d104l双电子复合过程以及类Cu离子的3d104l-3d94l5f电子碰撞激发过程,当电子温度高于1.0 keV时,电子离子碰撞激发速率随电子温度增加而增加,双电子复合速率随电子温度增加而减小,并且电子碰撞激发对谱线辐射的贡献要比双电子复合大得多。 相似文献
86.
87.
半个世纪以来,对半导体技术的深入研究和广泛应用推动了电子工业和信息产业的迅速发展。目前半导体技术正向高速度、高集成化方向发展,但这也不可避免地引发了一系列问题,例如电路中能量损耗过大导致集成片发热,如何进一步将电子器件小型化等。人们由此感到半导体器件的能力已基本达到了极限,转而把目光由电子投向了光子,因为光子有着电子所不具备的优势:速度快,彼此间不存在相互作用,一旦实现用光子替代电子传递信息, 相似文献
88.
89.
报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.
关键词:
高电荷态离子
经典过垒模型
电子发射产额 相似文献
90.
对Schr?dinger方程引入修饰势,并将波函数展开为Floquet分波,即可实施分离变量。强光场时弱耦合法选取合适微扰量,径向波动方程可逐步近似求解。以圆极化强光场为例,计算了散射波函数、散射矩阵和截面。重要结论是:强光场下将出现多光子过程,对应m次多光子过程有相应的共振谱线族,谱线能量约为m?ω,并给出谱线强度计算公式。
关键词: 相似文献