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11.
报道 2 ( 5H)呋喃酮及其椅式 反式二聚体 (t c DFN)的PES谱 ,谱带的指认借助于谱带形状、类似基团分子的PES结果和对两研究分子的RHF计算 .并提供了二聚体HOMO电离能比单体HOMO电离能低的实验和理论证据 .  相似文献   
12.
Since the early works of A. J. Heeger, A G. MacDiarmid and Hideki Shirakawa on semiconducting polymers, π-conjugated oligomers and polymers have been actively investigated for a variety of optoelectronic applications, such as field effect transitors (FET…  相似文献   
13.
通过动态力学谱试验(DMS)、应力-应变测量,研究了以丙烯腈、苯乙烯、醋酸乙烯酯等单体为共聚组分引入全(甲基)丙烯酸酯L′IPN(胶乳型互穿聚合物网络)中对共混体系阻尼性能、力学性能的影响,发现通过无规共聚引进不同链结构能有效调节材料室温域的阻尼水平;初步探讨了IPN(互穿聚合物网络)中某些组分侧链(基)结构对阻尼性能的影响规律及可能原因;本文所研究的IPN体系在力学(物理)状态上处于皮革态,而交联密度、组分含量等对IPN的力学性能具有较为复杂的影响。  相似文献   
14.
用电子散斑干涉法测量材料热膨胀系数   总被引:5,自引:1,他引:5       下载免费PDF全文
 利用双光束电子散斑干涉法(ESPI)对试件受热变形进行了实时观测,针对一次实验过程中得到的图片较多(300~500幅)的特点,在图像处理时摒弃了以往的手动识别等位移线的办法,用MATLAB语言编写了批处理程序,能够在采集的大量散斑图片中自动快速准确地标定等位移线,得到相应的位移和应变,并结合实时测量的温度值,获得了45钢和LY12铝合金在不同温升率下的热膨胀系数及其随温度的变化。实验结果表明,在涉及的温升率范围内,温升率的改变对材料热膨胀系数的影响不明显,材料的热膨胀系数随温度的升高略有上升。  相似文献   
15.
建立电热消解–光能电子滴定法测定土壤中有机质的检测方法。称取0.050 0~0.500 0 g土壤样品,置于定制的消解管中,加入10.00 mL 0.4 mol/L重铬酸钾的硫酸溶液,用电热消解仪在180 ℃下消解6 min,消解液冷却后,以邻菲啰啉为指示剂,使用光能电子滴定器,以0.1 mol/L硫酸亚铁标准溶液滴定剩余重铬酸钾,根据消耗的硫酸亚铁标准溶液量计算土壤中有机质的含量。耕层土壤样品5次测定结果的相对标准偏差为0.70%~1.24%;6种土壤标准样品测定值均在标准值不确定度范围内,相对误差为0.40%~2.15%。该方法测定结果与NY/T 1121.6—2006 《土壤检测 第6部分:土壤有机质的测定》方法的测定结果呈极显著相关。  相似文献   
16.
本文使用光学多道分析器测定了氢原子光谱的计Hα、Hβ、Hγ、Hδ,谱线波长,利用最小二乘法处理测量数据:建立了测量数学模型,得到氢原子光谱里德伯常量RH,按国家计量技术规范JJF1059—1999标准对测量的不确定度进行了分析与评定。  相似文献   
17.
一种高性能太阳敏感器复合光学系统设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
以夫朗禾费衍射理论为基础,结合微透镜,设计了一种高性能的数字式太阳敏感器复合光学系统。分析了光学系统的组成,建立了光学系统的数学模型,设计了光学系统的焦距、孔径和微透镜参量,并进行了成像的数值仿真。仿真结果表明,与基于掩模的光学系统相比,这种新型的复合光学系统成像光斑能量分布集中,保证计算光斑中心位置的高精度,使敏感器具有大视场和高精度的特点。  相似文献   
18.
运用第一性原理计算方法研究了过渡族金属TM(TM=Ru、Rh、Pd)掺杂GaSb的电子结构和光学性质,结果表明:TM掺杂GaSb主要以TM替代Ga(TM @Ga)缺陷存在,并可增强GaSb半导体材料对红外光区光子的响应,使体系光学吸收谱的吸收边红移;TM@Ga所引入的杂质能级分布于零点费米能级附近,这极大地增强了体系的介电性能,促进了电子-空穴对的产生和迁移,因而提升了掺杂体系的光电转换效率;Ru 掺杂对GaSb光学性质的改善最为明显,当掺杂浓度为6.25%(原子数分数)且均匀掺杂时,Ru掺杂GaSb体系对红外光区光子的吸收幅度最大,有效提升了GaSb光电转换效率和光催化活性。  相似文献   
19.
采用第一性原理杂化泛函HSE06方法对Fe掺杂α-Bi2 O3的电子结构和光学性质进行了计算研究.结果表明,Fe掺杂α-Bi2 O3体系有较小的结构变形,本征α-Bi2 O3的禁带宽度为2.69 eV,Fe掺杂使α-Bi2 O3的禁带宽度减小(约为2.34 eV).对其光学性质研究得出Fe掺杂扩展了α-Bi2 O3对可...  相似文献   
20.
缺陷工程被认为是提高光催化剂分解水制氢性能的关键策略之一,然而有关缺陷诱导半导体材料电子结构演变并增强光生载流子传输机制尚不明确。在本研究中,我们通过简单的一步水热合成法成功构建了富含S缺陷的In2S3半导体光催化剂(VS-In2S3),在模拟太阳光辐照下其光催化分解水产氢性能相比传统的In2S3(P-In2S3)提升了近一个数量级(达到221.18 μmol/g/h)。此外,利用自主研发的原位X射线光电子能谱(SI-XPS)结合相关密度泛函理论计算证实:S缺陷可诱导强还原性的低价态In(In(3-x)+)暴露,进而增强In位点对H2O的吸附和活化能力,因此,S缺陷型In2S3表现出显著增强的光催化析氢活性。此外,可视化观测到H2O分子在原位光照下脱质子转化为OH的分解水制氢过程。该研究为缺陷型光催化剂设计及光催化分解水反应机制和过程研究提供了一定的见解。  相似文献   
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