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刘亚雯 《物理》1993,22(10):614-618
掠入射、全反射技术应用于化学的微量及超微量元素分析和表面分析,给X射线荧光分析技术带来了突存性的发展。目前,利用全反射X荧光分析技术对微量元素进行分析,其检测限已达到pg级,硅片表层杂质分析的检测限达到10^9个原子/cm^2。文章介绍了该技术的基本理论和特点、近年来国内外发展情况及应用的例子。  相似文献   
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The double-quantum-well organic light-emitting devices of indium-tin-oxide (ITO)/NPB (50nm)/rubrene (0.05nm)/NPB (4nm)/rubrene (0.05nm)/Alq3 (50nm)/LiF (0.5nm)/Al were fabricated, in which N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N‘-diphenyl-1,1‘-biphenyl-4,4‘‘‘‘‘‘‘‘-diamine (NPB) is used as a barrier potential or hole transport layer, tris (8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq3) used as electron transport layer, and 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene) as a potential well and emitter. The brightness can reach 18610cd/m^2 at 13V. The maximum electroluminescent efficiency of the device was 6.61cd/A at 7V, which was higher than that of common dope-type devices. In addition, the electroluminescence efficiency is relatively independent of the drive voltage in the range from 5 to 13V.  相似文献   
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研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)晶体结构与辐射效应的关系 .利用不同的热处理条件 ,获得了 7种不同规整性、不同结晶度的样品 ;通过对其辐射效应的研究 ,探讨了材料结晶区和晶区内不同部位的辐射效应以及这些不同的结构对材料辐射效应的影响 .使用示差扫描量热分析 (DSC)测量样品零熵产生相变温度、结晶度等随吸收剂量的改变 ,以及不同退火条件样品的辐射效应 .讨论了PVDF样品晶体辐射损伤与样品结构的关系 .利用电子自旋共振谱仪 (ESR)测量不同辐照后样品残余自由基的浓度及这些残余自由基加热条件下的不同命运 .结合DSC分析及X射线衍射分析得到晶体辐射损伤是从晶体表面折叠圈区和晶体茎杆内部缺陷区同时开始的结论  相似文献   
88.
本文根据空心阴极放电中电子能量分布的物理图象,分析了原子从低激态向高激态弛豫的可能途径。建立高低激态集居数密度增量的关系。讨论高激态集居数密度增量获得可观量的条件。根据此条件分别选取钠原子的基态3s~2S_(1/2)和铜原子的亚稳态4s~2D_(3/2)为与激光共振的下能级,并激发具有较大自发发射几率的3s~2S_(1/2)→3p~2P°_(1/2)(和3p~2P°_(3/2))和4s~2D_(3/2)→4p~2P°_(1/2)跃迁,在远离上能级的高激态上观测到敏化荧光,并精确测得这些态的自发发射系数比值,而在更高激态上没有观测到敏化荧光,表明讨论中提出的条件是合理的。  相似文献   
89.
本文较详细的研究了色氨酰酪氨酸二肽(TrpH-TyrOH)中的电子转移,电子该电子转移的速率,甚至电子转移的方向都强烈的依赖于溶液的pH。而且,该肽中的酪氨酸残基瞬态粒子浓度与色氨酸残基瞬态粒子浓度之比也强烈的依赖于pH。根据这种依赖性,求得了二肽中的pKa(TrpH^+)和pKa(TyrOH),其值分别为6.2和11.3。  相似文献   
90.
用充氧气的气凝硅胶作仲态电子偶素源,用192Ir精密γ能量作标准,以时间选择能谱仪和滑动比较法改进测量仲态电子偶素2γ湮没能量,得到hv=510995.34±0.69eV.经电子偶素结合能修正,得正、负电子对静止质量,与电子质量比较,表明正、负电子质量在1.4ppm内一致.  相似文献   
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