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201.
Preparation of entangled simultaneous nonresonant atomic states through atom-field interaction
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A scheme is proposed for generating a three-atom maximal
entanglement W state. It is based on the simultaneous nonresonant
interaction of atoms with a single-mode cavity field. Our scheme is
insensitive to the cavity field, so the cavity field in our scheme
can be initially in thermal states. 相似文献
202.
High—Efficiency Organic Double—Quantum—Well Light—Emitting Devices Using 5,6,11,12—Tetraphenylnaphthacene Sub—monolayer as Potential Well
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XIEWen-Fa LIChuan-Nan LIUShi-Yong 《中国物理快报》2003,20(6):956-958
The double-quantum-well organic light-emitting devices of indium-tin-oxide (ITO)/NPB (50nm)/rubrene (0.05nm)/NPB (4nm)/rubrene (0.05nm)/Alq3 (50nm)/LiF (0.5nm)/Al were fabricated, in which N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N‘-diphenyl-1,1‘-biphenyl-4,4‘‘‘‘‘‘‘‘-diamine (NPB) is used as a barrier potential or hole transport layer, tris (8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq3) used as electron transport layer, and 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene) as a potential well and emitter. The brightness can reach 18610cd/m^2 at 13V. The maximum electroluminescent efficiency of the device was 6.61cd/A at 7V, which was higher than that of common dope-type devices. In addition, the electroluminescence efficiency is relatively independent of the drive voltage in the range from 5 to 13V. 相似文献
203.
204.
Effect of Bias Step on the I-V Curve in Double-Barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs Resonant-Tunnelling Devices
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We investigate the non-equilibrium electron transport properties of double-barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs resonant- tunnelling devices in nonlinear bias using the time-dependent simulation technique. It is found that the bias step of the external bias voltage applied on the device has an important effect on the final current-voltage (I - V) curves. The results show that different bias step applied on the device can change the bistability, hysteresis and current plateau structure of the I - V curve. The current plateau occurs only in the case of small bias step. As the bias step increases, this plateau structure disappears. 相似文献
205.
206.
利用GaAs量子阱中г谷束缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振г-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K窨 与光生空穴分离开来,从而在结构中形成了持久的电荷极化。这一效应已被C-V特性上所观察到的电容阶跃和正反扫描时所出现的双稳滞迟现象所证实。如果将我们的器件用作光存储单元,预期可以获得很长的存储时间Ts。同时,由于г-X混合隧穿速率很快,光子“读出”仍可以保持很快。 相似文献
207.
208.
本文根据空心阴极放电中电子能量分布的物理图象,分析了原子从低激态向高激态弛豫的可能途径。建立高低激态集居数密度增量的关系。讨论高激态集居数密度增量获得可观量的条件。根据此条件分别选取钠原子的基态3s~2S_(1/2)和铜原子的亚稳态4s~2D_(3/2)为与激光共振的下能级,并激发具有较大自发发射几率的3s~2S_(1/2)→3p~2P°_(1/2)(和3p~2P°_(3/2))和4s~2D_(3/2)→4p~2P°_(1/2)跃迁,在远离上能级的高激态上观测到敏化荧光,并精确测得这些态的自发发射系数比值,而在更高激态上没有观测到敏化荧光,表明讨论中提出的条件是合理的。 相似文献
209.
210.
本文较详细的研究了色氨酰酪氨酸二肽(TrpH-TyrOH)中的电子转移,电子该电子转移的速率,甚至电子转移的方向都强烈的依赖于溶液的pH。而且,该肽中的酪氨酸残基瞬态粒子浓度与色氨酸残基瞬态粒子浓度之比也强烈的依赖于pH。根据这种依赖性,求得了二肽中的pKa(TrpH^+)和pKa(TyrOH),其值分别为6.2和11.3。 相似文献