96MeV 16O+64Ni反应机制的研究

在96MeV ¹⁶O离子轰击下,测量了¹⁶O+⁶⁴Ni反应出射碎片(α直至O元素)的Wilczynski图和角分布,并提出DIC截面和反应时间等物理量;讨论了反应的DIC特征;看到了出射碎片α和Li主要来源于复合核蒸发的迹象.     

晶体中离子质量差异与激活离子光谱线热加宽和热位移

证明了基质晶体离子的质量差异对其中的激活离子光谱线的热加宽和热位移有贡献，对于单声子吸收或发射机制产生的热加宽和热位移而言，其贡献可以用一个乘积因子D^2表示，对于喇曼散射机制引起的热加宽，其贡献可以用乘积因子D^4表示，文中分别给出两种离子组成的晶体和三种离子组成的晶体的D的表示式。     

电子直线加速器束流均方根发射度变化方程

本文导出了考虑外场和束流效应后束流均方根发射度平方变化方程的一般表达式,并就仅考虑外场,仅考虑空间电荷场和仅考虑尾场等三种特殊情况进行了分析。     

高俘获效率电子辐照加速器的设计研究

加速管是一台加速器的核心部分. 一般电子辐照加速器的俘获效率在50%左右, 一半的电子都损失在加速管内. 丢失的电子打在加速管内壁, 产生轫致辐射、腔体发热量增加、真空变坏等许多负面影响. 采用一段等梯度加速结构, 相速沿加速管呈线形增加,调整相速变化规律及加速管腔体的尺寸参数, 设计出的加速管最终的俘获效率提高到90%以上, 同时平均加速梯度没有因此降低, 加速管总长度没有增加.     

c轴定向氮化铝薄膜的制备

利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。     

Fermi能区核－核碰撞的平衡前中子发射

利用ＢＵＵ模型模拟核－核碰撞３６Ａｒ＋１０８Ａｇ（３５Ｍｅｖ／ｕ）、１４Ｎ＋１０８Ａｇ（３５ＭｅＶ／ｕ）中的平衡前中子发射．模拟结果与唯象的运动源拟合给出的中等速度源成份相吻合．这说明中等速度源成份产生于核－核碰撞的早期，对应平衡前发射．并从级联碰撞的角度定量地研究了平衡前发射的持续时间     

小间隙高放大多丝室及其放电机制

对以强猝灭气体工作的小间隙多丝室及其放电机制进行了研究,实验表明,因为工作在饱和模式区,这种室同时具有很高的气体放大和相当快的时间特性.文中探讨了放电机制,雪崩中空间电荷效应以及电离光子的产生和作用是重要的因素,而其中后一因素又受到强猝灭气体的抑制.     

基于ECC的限制性部分盲签名及离线电子现金方案

本文简述了电子现金系统的研究成果及其发展现状，针对已有的基于椭圆曲线的限制性盲签名方案提出可能的攻击手段，并在此基础上提出安全的基于椭圆曲线的限制性部分盲签名方案，同时也构建了一个与已有方案相比更富应用价值的高效离线电子现金方案．