Gd激光等离子体的双电子复合过程研究

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

接枝羧基的有限长碳纳米管电子结构的第一性原理研究

基于局域密度泛函理论，采用第一性原理方法，建立了对(5,5)型和(9,0)型有限长碳纳米管接枝羧基官能团的原子模型，通过计算其电子分布和态密度的变化，讨论羧基官能团对碳纳米管电子结构和电子输运特性的影响. 计算表明，接枝羧基的碳纳米管,其电子结构明显改变，其费米能级上的电子态密度下降；最高占据轨道上的非定域程度减弱,致使电子输运性能呈下降趋势. 关键词： 碳纳米管 密度泛函理论 电子结构     

Al12N、Al12B团簇结构和电子性质的密度泛函计算

利用密度泛函理论研究了Al12N和Al12B团簇的原子结构和电子性质,通过各种异构体的比较,发现两种掺杂团簇的最低能量结构都是完好的二十面体(Ih)结构,N(B)原子占据在二十面体的中心.高对称性团簇形成稀疏离散的电子态密度和大的电子能隙.在Al-N之间发生较大的电荷转移.因此我们建议把Al12N团簇看作是碱金属超原子,Al12B团簇看作是卤素超原子,用来构造团簇组装固体.     

小而神奇的电子

朋友，当你闭合开关即刻感受到明亮灯光的时候，当你调试着亲手绕制的飞转着的电机的时候，当你聆听着收音机播出的起伏悠扬音乐的时候，当你欣赏着彩色电视机里那色彩绚丽的画面的时候……你是否意识到，是小而神奇的电子在起着魔力般的作用。     

基于内生信息的股票发售机制比较研究

本文在内生信息成本的基础上，通过引入投资银行的信息成本函数，考察了国际上主要股票发售机制的内在机理，并用一个统一的框架比较了各种发售机制的差异及演进趋势。本研究表明，在投资银行和投资者信息成本相同的情况下，由于固定价格发售机制须用额外的折价去解决投资者之间的信息问题，因而相对于累计投标询价制是一种处于劣势的机制选择。同时指出，具有信息成本优势的机构投资者的出现和发展，是固定价格发行向询价发行过渡的一个必要条件。     

高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心发射的影响

本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。     

物理系毕业的共和国两弹一星元勋

■王淦昌Wang Ganchang(1907-1998)核物理学家.江苏常熟人.1929年毕业于清华大学物理学系,是物理学系第一批毕业生之一.1933年获德国柏林大学博士学位.20世纪40年代初提出通过轻原子核俘获K壳层电子释放中微子时产生的反冲中微子的创造性实验方法.20世纪50年代领导建立了云南落     

东南大学物理系南京培中科技开发研究所

特别推荐 LEM-2型洛仑兹力演示、电子比荷测定仪 LEM-2型洛仑兹力演示、电子比荷测定仪（彩照一）的早期产品为153W-2型洛仑兹力演示仪（彩照二）．是东南大学物理系马文蔚教授、潘人培教授于1978年和某电子管厂合作开发生产的，并于1981年通过鉴定，彩照二的仪器为1983年的产品，目前东南大学物理系仍在使用，且电子柬轨迹仍清晰明亮。现经潘人培教授在153W-2型仪器的基础上，作了改进．可同时用于测量电子比荷仪器的主要特点有：     

外加电场下激光诱导Al等离子体特性的实验研究

由Q-Nd:YAG脉冲激光(波长1.06μm,脉宽10 ns)烧蚀Al靶产生等离子体.观测了在低气压和直流电场条件下的Al等离子体发射光谱.研究了激光功率密度和直流电场对各谱线强度的影响,分析了谱线半高全宽与外加电压,等离子体电子温度与激光能量的变化规律.结果表明,直流电场对铝原子谱线强度有显著的增强,铝原子谱线的半高全宽与直流电场的外加电压基本上呈线性关系.     

化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)

 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.