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将三阶微扰理论应用于单晶GaAs半导体,结合与实际相接近的能带结构,得到了GaAs中三光子吸收系数的解析式表达式,在考虑了激发电子的逃逸过程的情况下,进而推导了负电子亲和势GaAs光电阴极中三光子光电发射的发射系数的解析表达式.两表达式得到的理论数值分别与用ns量级脉宽、2.06μm波长的激光测得的GaAs中三光子吸收系数和GaAs(Cs,O)光电阴极中三光子发射系数的实验值相比较,吻合较好. 相似文献
112.
113.
本从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手,应用二支模型理论,分别对GaAs和ZnO两种材料计算了外表面电子的量子像势及其极化子的基态能量,计算结果表明,利用二支模型理论求出的外表面极化子的基态能量与利用一支模型理论求出的外表在面极化子的基态能量相差较大,对GaAs,误差约为31.1%, 对ZnO,误差约为14.8%。 相似文献
114.
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116.
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120.
Excitation Properties of the Biological Neurons with Side-Inhibition Mechanism in Small-World Networks 总被引:3,自引:0,他引:3
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We have studied the excitation properties of biophysical Hodgkin-Huxley neurons with the side-inhibition mechanism in small-world networks. The result shows that the excitation properties in the networks are preferably consistent with the characteristic properties of a brain neural system under external constant stimuli, such as fatigue effect, extreme excitation principle, and the brain neural excitation response induced by different in- tensity of noise and coupling. The results of the study might shed some light on the study of the brain nerve electrophysiology and epistemological science. 相似文献