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c轴定向氮化铝薄膜的制备 总被引:3,自引:0,他引:3
利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。 相似文献
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TAN Xiaojiang 《数学年刊B辑(英文版)》2002,23(4):531-538
Lei X be an arbitrary smooth irreducible complex projective curve, E (?) X a rank two vector bundle generated by its sections. The author first represents E as a triple {D1,D2,f}, where D1 , D2 are two effective divisors with d = deg(D1) + deg(D2), and f ∈ H0(X, [D1] |D2) is a collection of polynomials. E is the extension of [D2] by [D1] which is determined by f. By using f and the Brill-Noether matrix of D1 + D2, the author constructs a 2g X d matrix WE whose zero space gives Im{H0(X,[D1]) (?) H0(X, [D1] |D1)}(?)Im{H0(X, E) (?) H0(X,[D2]) (?) H0(X,[D2] |D2)}. From this and H0(X,E) = H0(X, [D1]) (?) Im{H0(X, E) (?) H0(X, [D2])}, it is got in particular that dimH0(X, E) = deg(E) - rank(WE) + 2. 相似文献
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本文对于用电荷交换方法或低杂波涨落的方法测量高能α粒子作了简短的评述,建议用核反应13C(α,n)16O测量氘-氚聚变等离子体中的高能α粒子,并提出了一种减少杂质污染,增加穿透深度的方法。 相似文献
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本文简述了电子现金系统的研究成果及其发展现状,针对已有的基于椭圆曲线的限制性盲签名方案提出可能的攻击手段,并在此基础上提出安全的基于椭圆曲线的限制性部分盲签名方案,同时也构建了一个与已有方案相比更富应用价值的高效离线电子现金方案. 相似文献