Ce3+-冠醚配合物的紫外有机电致发光

采用5d-4f跃迁的稀土Ce³⁺-冠醚配合物(Ce-二环己基并-18-冠-6,Ce-DC18C6)作为发光掺杂剂,4,4'-二(9-咔唑基)联苯(CBP)为基质,设计制备了紫外发光器件:ITO/CuPc/Ce-DC18C6:CBP/Bu-PBD/LiF/Al,首次观测到峰位于376nm的Ce³⁺离子的紫外电致发光。通过对比器件的EL谱与Ce³⁺-冠醚配合物薄膜的PL谱发现,EL光谱中有部分来自Ce³⁺配合物中的Ce³⁺离子的。这种5d-4f电子跃迁的掺杂质量分数为3%时,该UV-发光器件的最大辐射功率为13μW/cm²。     

三聚噻吩的表面光电压谱研究

采用表面光电压和电场诱导表面光电压技术研究了三聚噻吩在外电场作用下的电子运动行为,结合三聚噻吩的UV光谱、极化子概念以及前线轨道理论,指认了三聚噻吩能级跃迁性质,即380nm附近的峰为带－带跃迁峰,477,465和600nm附近的峰是与单极化子有关的电子跃迁;而在770和990nm附近的峰则是与双极化子有关的电子跃迁峰。     

Au等离子体M带5f-3d跃迁的电子离子碰撞激发速率系数

电子离子碰撞激发速率系数在超组态碰撞辐射模型中真实模拟非局域热动力学平衡Au激光等离子体M带谱 5f 3d跃迁中各种复杂电荷态离子的电离态特性 (譬如离子的平均电离度 ,相对丰度和能级布居数 )是必不可少的。基于准相对论多组态Hartree Fock方法和扭曲波玻恩交换近似 ,采用自编的扭曲波程序ACDW (9)和Fit(9) ,从头计算了Au等离子体M带 5f 3d电子离子碰撞激发速率系数。结果表明 :在“神光II”实验装置诊断的电子温度约 2keV ,电子密度约 6× 10 2 1cm-3 范围内 ,这些电子离子碰撞激发参数有利于采用超组态碰撞辐射模型模拟Au的激光等离子体M带 5f～ 3d细致谱的平均电离度和电荷态分布。     

国内多孔硅研究近况

 硅和砷化镓的电子结构不同.前者属于间接带隙半导体,电子在价带和导带间的跃迁需要伴随声子的吸收或发射;而砷化镓属于直接带隙半导体,电子可以直接在价带和导带间跃迁.正是由于这个原因,砷化镓的发光效率远远大于硅.目前半导体光电器件均由砷化镓等直接带隙半导体制成.多孔硅是在单晶硅表面上制成的厚度约1-10μm的薄膜,其中含有百分之几十的孔隙,孔隙的横向直径很小,其量级为10nm,而高度可达μm量级.多孔硅在硅器件上有一定的应用前景.多年来不断有论文发表.     

Ph(SiMe_2)_nPh体系π→π~*UV谱的研究

本文依据Spin-Free理论,使用Gelfand基构造多电子波函数,采用四轨道模型,对Ph(SiMe_2)_nPh体系(n=1～6)的π→π*跃迁进行了EHMO-CI计算,所得第一及第二跃迁能与UV谱的实验结果基本一致。当体系硅链原子数增加时,第一吸收带红移的现象起因于LUMO中d轨道成份增加,导致电子排斥作用变化。在LUMO中,硅链上的d轨道以πd的形式与苯环π~*轨道进行πd—π~*共轭互相作用,这种作用很可能与第一吸收带的强度有内在的联系。     

Sn-C60薄膜的紫外吸收光谱和X-射线衍射谱分析

对Sn-C60薄膜进行紫外可见光吸收，X-射线衍射和扫描电镜的测定结果显示，薄膜样品紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰比纯C60薄膜的吸收峰显著下降，说明Sn-C60薄膜的电子光吸收跃迁为间接跃迁，能带中有杂质能级的存在；样品的X射线衍射峰则对应于面心立方结构；扫描电镜结果显示薄膜为纳米级颗粒组成。     

类Be离子(Z=8-54)内壳层激发态1s2s~22p退激发过程的理论研究

采用基于全相对论框架的多组态Dirac-Fock方法,系统研究了类Be离子(Z=8-54)内壳层激发态1s2s22p的能量、辐射退激发和Auger退激发过程.详细讨论了电子关联效应对相关结构和退激发过程的影响.结果表明,来自于n=2和3壳层的电子关联效应最重要.另外,随着Z的增大,辐射退激发几率逐渐而平滑的增大,而Auger退激发几率的变化则不显著.本文计算结果与其它理论计算结果符合很好.     

浅光晶格中量子隧穿现象的实验观测

基于一维水平光晶格的锶原子光晶格钟实验平台,当系统的稳定度和不确定度达到10-18量级以上时,由量子隧穿效应引起的钟频移变得不容忽视.在浅光晶格中,量子隧穿效应会使钟跃迁谱线发生明显的展宽现象,因此,本文通过研究浅光晶格中的量子隧穿现象,为⁸⁷Sr原子光晶格钟系统不确定度的评估奠定基础.本实验在一维⁸⁷Sr原子光晶格钟平台上,利用超稳超窄线宽的698 nm激光激发⁸⁷Sr冷原子~lS₀(|g>)→~3P₀(|e>)跃迁(即钟跃迁),实现了对锶原子分布在特定量子态的制备.在深光晶格中,将原子制备到|e,n_z=1>态后,再绝热地降低光晶格阱深,然后在浅光晶格中,探测激发态的载波-边带可分辨的钟跃迁谱线.从钟跃迁谱线中观测到载波谱线发生了明显的劈裂,表明原子在光晶格相邻格点间产生了明显的量子隧穿现象.通过对光晶格中量子隧穿机制的理解,不仅有利于提高光晶格钟的不确定度,也可为观测光晶格中费米子的自旋轨道耦合效应提供基础数据.     

Fe对掺钕磷酸盐激光玻璃激光性能的影响

 在理论分析的基础上,具体讨论了Fe质量分数小于10^-4对1 053 nm处光吸收损耗和Nd³⁺无辐射跃迁几率的影响规律,发现Fe在1 053 nm处的光吸收损耗和Nd³⁺无辐射跃迁能量转移都与Fe质量分数成平方关系增长, Fe对1 053 nm光吸收的影响较大而Fe与Nd³⁺之间的能量转移不足50 Hz。这对生产过程中Fe含量的控制有重要指导意义。     

RhXⅥ-InXX离子n=4 Complex跃迁谱线和振子强度的计算

对类锌等电子序列ZnI–SnXXI离子n=4Complex组态的能级结构和组态相互作用进行了理论分析。通过分析HXR方法理论计算值与实验值之差DE随Zc的变化关系,找出了用于最小二乘拟合计算的半经验拟合公式,用此公式预测了CdXIX–InXX离子n=4Complex中至今还没有实验值的部分能级。给出了4s2-4s4p, 4s4p-4s4d跃迁波长和相应的HXR方法计算的振子强度,同时也对预测能级值的可靠性作了说明。