基于微观IBM对电子—核散射及核电磁性质的研究——（Ⅰ）BE理论方案

从价核子自由度出发构造出核跃迁电荷／电流密度算符,采用Dyson玻色子展开技术给出了获取核玻色子形式跃迁电荷／电流密度有效算符的一种微观方法（BE方法）。利用微观相互作用玻色子模型（IBM）提供的波函数可在玻色子态空间中求出核跃迁电荷／电流密度,结合电子－核散射以及核电磁跃迁的形式理论,建立了可研究电子－核散射各种形状因子,微分散射截面以及核约化跃迁几率、电磁多极矩、核态g因子等物理量的理论方案,在一种微观sdIBM-2框架下,结合现有理论方案,初步计算^192Os核的能谱、ES跃迁皮色子结构函数（BSF）以及21^＋态到01^＋态的跃迁电荷密度(TCD）,理论结果能够对上述物理量作出较合理的描述。     

BaFClxBr1－x:Sm2+中5D2→7F0跃迁几率及其对烧孔效率的影响

本文以BaFClxBr1－x:Sm2+中5D2→7F0的跃迁几率随x变化为中心对BaFClxBr1－x:Sm2+体系4f5d带的激发光谱、5D2→7F0跃迁的荧光衰减随温度的变化特性、5D2→7F0的跃迁几率等进行了研究。从而得出结论:在BaFClxBr1－x:Sm2+中,随Br含量的增大,4f5d带与5D2能级更加接近,使7F0→5D2的吸收截面增大,从而可能提高在5D2:能级烧孔的效率。     

VO分子2^Δ3/2-1^2Δ3/2电子跃迁P线系发射谱线的研究

本文利用孙卫国课题组建立的能精确计算（预言）某双原子分子电子态P线系发射谱线的物理新公式, 首次研究了VO分子从电子态^2Δ3/2跃迁到电子态1^2Δ3/2的（0, 0）跃迁带中的P线系发射谱线. 获得的研究结果不仅重复了实验上已知的低转动态谱线数据,而且还正确预言了该跃迁带在 实验上难以精确测量的转动量子数J=80.5以内的高振转激发态的P线系发射光谱. 为研究VO分子内部结构提供了重要的物理信息.     

酮缺陷对中性和带电六卟啉芳香性影响的直接可视化研究

利用含时密度泛函理论研究了酮缺陷对中性和带电六卟啉芳香性的影响,并使用多维可视化技术给出了该体系基态电荷分布和电子跃迁的直观图像. 研究结果表明,芳香性是决定这类体系基态密立根电荷分布的主要因素;酮缺陷效应使得体系基态的密立根电荷分布更多地局域在六卟啉基团上,在这类体系的五氟苯基取代基上密立根电荷布居较少,同时使得体系的芳香性发生改变. 进一步,通过计算体系的跃迁密度和电荷差分密度,可视化了酮缺陷对中性和带电六卟啉芳香性的影响. 结果表明,酮缺陷加强了体系电荷转移的能力.     

PdⅩⅣ-CdⅩⅥ离子4s24p3和4s4p4组态精细结构能级与跃迁的扩展分析

用多组态HXR理论方法对KrⅣ-CdⅩⅥ离子4s^24p^3和4s4p^4组态的精细结构能级进行了分析计算。在已有研究工作的基础上,通过对4s^24p^3和4s4p^4组态能级的实验观测值与HXR计算结果之差AE沿等电子序列变化规律的分析．找出了△E随有效核电荷数Zc变化的规律,预言并计算了PdⅩⅣ-CdⅩⅥ离子4s^24p^3和4s4p^4组态能级,大部分预言计算值与实验结果的偏差小于100cm^-2。由此还进一步计算了PdⅩⅣ-CdⅩⅥ离子4s^24p^3—4s4p^4跃迁的谱线波长、振子强度和跃迁概率。结果表明：除了4s^24p^3D5/2-4s4p^4^2D5/2跃迁的谱线波长(29．992nm)与实验值相差0．018nm外．对于其余5条谱线．预言值与实验值的偏差均不超过0．005nm。     

CS2中对苯醌n-π*单-三态跃迁的可见吸收光谱及其共振拉曼光谱

测量了对苯醌(p-benzoquinone,PBQ)在CS2中的可见吸收光谱,论证了该实验中发现的507 nm带来源于PBQ的n-π*单-三态跃迁.基于液芯光纤内共振拉曼散射可以提高拉曼光谱强度109倍这一技术,在10-3～10-6 mol·L-1的浓度范围首次探测到514.5 nm激光激发该跃迁而产生的共振拉曼光谱(1 439cm-1).分析认为该谱线来源于PBQ的n-π*单-三态跃迁的羰基伸缩振动(v c-o).实验发现,随着PBQ溶液浓度的降低,该谱线的拉曼频移发生蓝移.文章的研究结果将有助于理解PBQ电子结构与其光物理特性的相互关系,便于获得更丰富的分子结构信息.     

ν↓型三能级原子系统中Raman跃迁增强的Kerr非线性效应

在理论上研究了ν↓型三能级原子系统Raman跃迁中的线性和非线性极化率．研究表明：Raman跃迁中，如果原子完全被抽运到与控制光作用的基态时，将导致介质对探针光的线性极化率为零，而三阶非线性极化率不为零．通过减小原子两基态间的无辐射衰减速率γ12，可以极大地增强交叉Kerr非线性效应．     

46.8MeV的 ~(12)C非弹性散射

在Glauber多重散射理论框架下,使用跃迁密度方法和三种N-N湮没势,计算了46·8MeV的反质子在~(12)C上的非弹性散射微分截面.理论曲线与实验数据符合得较好.     

Quantum-Confined Stark Effect in Ensemble of Colloidal Semiconductor Quantum Dots

The presence of a strong, changing, randomly-oriented, local electric field, which is induced by the photo-ionization that occurs universally in colloidal semiconductor quantum dots （QDs）, makes it difficult to observe the quantum-confined Stark effect in ensemble of colloidal QDs. We propose a way to inhibit such a random electric field, and a clear quantum-confined Stark shift is observed directly in close-packed colloidal QDs. Besides the applications in optical switches and modulators, our experimental results indicate how the oscillator strengths of the optical transitions axe changed under external electric fields.     

氮分子A3Σu+、B3Пg、C3Пu电子态的高温高振转光谱研究

采用态平均（CASSCF）/高度相关多参考组（MRCI）方法,对N2分子A3Σu+、B3Пg、C3Пu电子态的势能、跃迁偶极矩进行了高度相关的精确计算．计算的势能在平衡位置附近与RKR拟合的势能曲线非常一致,获得的跃迁偶极矩与已有实验值符合很好。首次对A3Σu+、B3Пg、C3Пu电子态的振转光谱常数随振动量子数v的变化进行系统定量计算,其结果与已有的实验观测数据相符．同时,获得了N2分子第一正带系的0-1、0-2、1-0、1-2、1-3、2-0、2-1、2-3、3-0、3-1和3-2光谱带分别在300,3000,6000,10000K时的谱线强度,如1-0带在3000,6000,10000K时的高温谱线带强度分别为1.58543×10-16 cm-1/(分子 cm-2)、6.07889×10-17 cm-1/(分子 cm-2)和2.3781×10-17 cm-1/(分子 cm-2)．这些结果对N2分子进一步的理论研究、实际应用和高温大气的建模与研究具都有一定的参考价值．