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本文研究了DCEL器件在AC条件下,亮度、效率、有功电流、无功电流及损耗角正切与频率的关系.指出了发光区有效电场强度、发光区的宽度及电压分配系数等都是与频率有关的物理量.证明了有功电流和损耗角正切随频率的变化可分为两个区,在低于1kHz的低频区,有功电流和介质损耗分别以漏导电流和漏导损耗为主,可称为漏导电流区.在大于1kHz的高频区,有功电流中与各种松弛极化形式有关的吸收电流占主导且随频率增加较快.与其相关的,和各种极化有关的介质损耗急剧增加并超过漏导损耗而成为损耗的的主要成分,从而导致发光效率下降.这一区域可称为吸收电流区. 相似文献
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HUANGYu-Hua ZHAOYou-Yuan OU-YANGXiao-Ping LIFu-Ming DINGJian-Dong LIQing-Guo 《中国物理快报》2003,20(6):959-961
A theoretical model was assumed to describe the kinetic processes of light-driven proton pump and motion. The calculation shows that the photovoltage signals are greatly affected by experimental conditions including pulse width of excitation and impedance of measurement system. At the same excitation, only a negative photovoltage signal can be observed with small impedance and both the negative and positive signals can be observed with large impedance. With the same impedance, shorter response time of the pulsed photoelectric signals is responsible for shorter pulsed excitation. All these phenomena are in good agreement with the experimental results. 相似文献
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Frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) measurements have been performed on modulation-doped Al0.22 Ga0.78N/GaN heterostructures to investigate the characteristics of the surface states in the AlxGa1-xN barrier. Numerical fittings based on the experimental data indicate that there are surface states with high density locating on the AlxGa1-xN barrier. The density of the surface states is about 10^12cm^-2eV^-1, and the time constant is about 1μs. It is found that an insulating layer (Si3N4) between the metal contact and the surface of AlxGa1-xN can passlvate the surface states effectively. 相似文献
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ZhangXianlai YanHuaihai XinJunye ZhangShu 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报》2003,(1):136-136
The main magnetic field power supply is used for establishing main magnetic field of SFC, therefore excellent current stability and low ripple are required. Its DC output current range is 0~1300 A and max output voltage is 230 V. The power supply has been put into operation since Sep. in 2000, and was replaced in 033 room from 166 room of No.2 Building. We have improved the performance of power supply in this period. 相似文献
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