电化学扫描隧道显微镜的研制及银、镍的现场电沉积研究

本文报道电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)的研制技术,包括电子线路及绝缘探针尖的制备。研制的ECSTM中,试样和探针的电位能同时控制。绝缘探针的制备包括先用电化学腐蚀形成针尖,然后再在光学显微镜下绝缘,用扫描电子显微镜评定了绝缘针尖的性能。最后用研制的ECSTM现场研究了银、镍在高定向裂解石墨(HOPG)上的电沉积。     

半导体的化学刻蚀

半导体的化学刻蚀，俗称湿法刻蚀，它是半导体器件制作中的一个重要工艺，按照化学作用的原理，它可分为化学反应刻蚀、电化学刻蚀和光电化学刻蚀，半导体的化学刻蚀是在众多刻蚀方法中最基本和最终不能全部被取代的一种方法，它在高新技术中有着各种挂用途，如选择准刻蚀、各向异性刻蚀和计算机控制无掩模刻蚀等。     

电化学免疫分析法研究进展

电化学免疫分析法是将免疫分析与电化学分析技术相结合的一种免疫分析新方法，近十多年来，电化免疫分析的研究有了迅速的发展。本文对电化学的免疫分析法的标记物、免疫方法、电化学检测技术进行了概括总结，并展望了电化学免疫分析的发展前景。     

电化学方法获得具有表面增强拉曼活性镍电极的研究

利用纯电化学手段获得了具有较强表面增强拉曼活性的镍电极, 改进了原有的镍电极表面预处理方法. 结果表明, 在0.5 mol/L的NaClO4溶液中, 结合电化学阶跃技术和循环伏安技术, 可以得到合适的粗糙镍电极; 同时, 还得到了探针分子吡啶在该粗糙镍电极表面随电极电位变化的表面增强拉曼光谱(SERS), 此时谱峰强度获得了极大的增强; 还研究了粗糙镍电极的扫描电子显微镜(SEM)图像, 并估算出其SERS增强因子约为104, 此结果比以前的镍电极表面粗糙方法所能达到的增强因子高一个数量级.     

多晶Hg0.09Cd0.91Te薄膜的光电化学行为

富镉Hg_(1-x)Cd_xTe是一种新型的光电转换材料,已用于固体结太阳能光伏电池:ITO/CdS/Hg_(1-)Cd_xTe/Au。我们曾对Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积机理作过研究。最近我们用电沉积制备的Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te多晶薄膜做成了液体结太阳能光电化学电池并观察到明显光电响应。     

ZnO纳米线的电化学制备研究

High-quality ZnO nanowires have been synthesized at relatively low temperature via one-step electrochemical anodization technique. In this method, Zn sheet acted as the anode and Pb sheet served as the counter electrode, and the complex solution of HF-C₂H₅OH-H₂O was used as electrolyte. ZnO nanowires were characterized by Field Emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM), Transmission Electron Microscopy (TEM) and Selected Area Electron Diffraction (SAED) and X-ray Diffraction (XRD). The results show that the nanowires were wurtzite crystalline ZnO, and the ZnO nanowires with the diameters of 70 nm and 30～40 nm were obtained by adjusting preparation conditions, respectively.     

Cu(II)-Cu(Hg)体系在蔗糖水溶液中的电化学行为

糖及其聚合物有着重要的生理功能,研究它们的热力学性质具有重要的意义[1 5]。本文考察Cu(II)在蔗糖水溶液中的电化学行为,获得了一些重要信息。1　实验部分使用试剂均为分析纯。蔗糖(北京化学试剂总厂)在343K时真空干燥6h。LiClO4(上海化学试剂总厂)在403K时减压干燥后保存在干燥器中。硝酸铜(北京化学试剂总厂)。所用溶液均采用重量法用二次蒸馏水配制。配好的溶液测定前用通过焦性没食子酸溶液的氮气来除氧。测定温度为298±1K。极谱和伏安测定在微机电化学分析系统(LK98A型)上进行,该机由天津市兰力科化学电子高技术有限公司制…     

用CR传输线模型研究涂层/金属体系阻抗谱

根据CR传输线模型和QR电路之间的关系,建立了拟合其初值的计算方法,借助Z-View软件,可求得各元件精确值.根据电容（Ci）和电阻（Ri）随特征频率（f*）的分布,推导了元件相对增量与恒相位角元件（Q）指数参数n的关系. 结果表明, 当n小于0.5时,Ci比Ri增加得更快,从新的角度说明了n的物理意义及其和界面脱层之间的关系.作为应用实例,拟合了不同特征的电化学阻抗谱,分析了有机涂层/金属腐蚀体系阻抗变化的具体过程,区分了点蚀和脱层因素对阻抗谱的影响,从高阻抗体系同时得到了与不同空隙率有关的涂层电容和电阻值,并根据涂层体系的不均匀特征探讨了模型结构的物理意义.