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931.
本文提出并研究了一些诊断检验工具,用于一般参数型的时间序列向量自回归模型的拟合优度检验.该检验在零假设下渐近服从卡方分布,并能侦察到以参数速度收敛到零假设模型的备择模型.检验涉及到权函数,因此可以灵活地选择权函数以提高检验功效,尤其是在可能的偏离方向已知情形.如果备择不是方向型的,而只知道其属于某一个模型类中,此时可构造一个渐近分布自由的极大极小(maximin)检验.对于饱和备择,基于得分型思想给出了构造万能(omnibus)检验的可行性构想.本文对提出的检验从理论上进行了功效研究.另外,为提高检验在小样本情形的功效,本文把非参数Monte Carlo检验方法推广到相依数据情形.最后,通过模拟研究和实际数据分析进一步表明检验的有用性. 相似文献
932.
933.
934.
Let E be a real Banach space and K be a nonempty closed convex and bounded subset of E. Let Ti : K→ K, i=1, 2,... ,N, be N uniformly L-Lipschitzian, uniformly asymptotically regular with sequences {ε^(i)n} and asymptotically pseudocontractive mappings with sequences {κ^(i)n}, where {κ^(i)n} and {ε^(i)n}, i = 1, 2,... ,N, satisfy certain mild conditions. Let a sequence {xn} be generated from x1 ∈ K by zn:= (1-μn)xn+μnT^nnxn, xn+1 := λnθnx1+ [1 - λn(1 + θn)]xn + λnT^nnzn for all integer n ≥ 1, where Tn = Tn(mod N), and {λn}, {θn} and {μn} are three real sequences in [0, 1] satisfying appropriate conditions. Then ||xn- Tixn||→ 0 as n→∞ for each l ∈ {1, 2,..., N}. The results presented in this paper generalize and improve the corresponding results of Chidume and Zegeye, Reinermann, Rhoades and Schu. 相似文献
935.
936.
以结晶四氯化锡( SnC14·5H2O)为原料,聚乙二醇(PEG)为模板剂,采用微波水热法制备了单分散性良好的SnO2微球.通过XRD、SEM、TEM等对产物的结构和形貌进行分析,初步研究了SnO2微球的生长机理并以罗丹明B为模拟污染物研究其光催化活性.结果表明:SnO2微球是由大量细小晶粒堆积而成的,微球直径约1.3 μ,m.PEG分子在超声分散及搅拌作用下形成小球模板,后续的水热反应使生长单元在模板上不断地沉积、长大,进而形成规则SnO2微球.光催化实验表明所制备的SnO2微球具有较高的光催化活性. 相似文献
937.
对副猪嗜血杆菌86个分离株的7个看家基因,包括ATP合成酶β链(atpD)、翻译起始因子IF-2(in-fB)、核糖体蛋白β亚基(rpoB)、苹果酸脱氢酶(mdh)、6-磷酸葡萄糖脱氢酶(6pgd)、3-磷酸甘油醛脱氢酶(g3pd)和延胡索酸还原酶B(frdB)进行了PCR扩增;对扩增产物进行了测序;对序列编辑、队列 相似文献
938.
基于拟群的非线性伪随机序列在密码学中有着重要的应用,尤其是周期长的非线性伪随机序列,但该序列的拟群目前只能通过计算机做统计实验的方法得到.笔者从理论上给出了周期增长率高的拟群的代数与组合特征以及其构造方法. 相似文献
939.
以硝酸银为前驱物,乙二醇为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮为表面活性剂,在金晶种存在条件下成功制备出一维银纳米线.对所得样品进行了X射线衍射,场发射扫描电镜,透射电子显微镜以及EDS分析.结果表明,制备的银纳米线为面心立方结构,长度在2~8μm范围,直径约为75~150 nm,产率较高.不同反应时间以及不同PVP(单体)与银离子摩尔比值均对最终纳米形貌产生影响.反应所得银纳米线为五重孪晶结构,最后对纳米线的生长机制进行了详细讨论. 相似文献
940.
利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)及原子力显微镜(AFM)研究了低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响.结果表明,低温AlN插入层不同的生长温度会导致AlGaN/GaN量子阱不同的表面粗糙度及穿透位错密度,并且当生长温度达到640℃时样品中表面粗糙度及穿透位错密度达到最低,同时具有最高的载流子迁移率及带边发光峰强度.在不同的生长温度,低温AlN表面具有不同的表面形貌.不同的表面形貌将直接影响界面处位错主滑移系的开动及位错阻挡机制.通过分析可以得知,低温AlN不同的表面形貌是由于Al原子在不同温度下的不同的迁移机制造成. 相似文献