MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。     

混合序列加权和的完全收敛性和强收敛性

讨论了 ρ混合序列加权和的完全收敛性和强收敛性 ,推广了Stout和Thrum定理     

两类记录值之和的中心极限定理

该文给出了Ｌｏｇｉｓｔｉｃ分布纪录值序列部分和的中心极限定理；对于Ｐａｒｅｔｏ分布纪录值序列的部分和T_n，获得了ｌｎT_n的中心极限定理．这一工作不仅具有概率论的极限理论方面的研究价值，而且在金融、保险等领域也具有相当重要的应用前景．     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

Banach空间中广义拟变分包含解的存在与逼近

研究了Banach空间中含k-次增生映射和φ-强增生映射的一类无紧性条件的广义拟变分包含解的存在惟一性与逼近问题，给出了一新的迭代算法和具混合误差的ishikawa迭代序列强收敛到变分包含解的充要条件，所得的结果改进和推广了近期许多相关结果．     

广义风险过程中渐近方差的非参数估计

本文对广义风险过程中的渐近方差作了非参数估计,得出并证明了两个定理,为广义风险过程中破产概率的区间估计作了理论准备．     

生长曲线模型中回归系数阵的极大似然估计的精确分布

对于生长曲线模型,基于理论发展和应用效果的考虑,本文引入了Gauss型误差．在此误差下,本文研究了模型中回归系数阵的极大似然估计的精确分布,求出了此分布的密度和特征函数．     

两两序列比对的一种新方法

本文研究DNA的两两序列比时,提出了基于快速沃尔什变换的新方法。经过计算模拟分析可知,比对的时间复杂度和空间复杂度明显降低.     

多值渐近φ-半压缩型映象三步迭代集合序列的强收敛性

利用新的分析方法,在任意实Banach空间中证明了具(随机性)误差的三步迭代集合序列强收敛于多值渐近Φ-半压缩型映象的不动点集．得到一些新的结论．     

球面稳定同伦中的复合元素α1β1γs的非平凡性

本文证明:当p≥7任意奇素数,3≤s相似文献