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研究平面单位区域内的二次函数的混沌特性,发现标准二次跌射是Li-Yorke混沌的,也是Devaney混沌的;在满足一定条件下,还存在大量的二次函数是混沌的.一些二次函数可以使用平移与缩放等变换化为标准二次函数,其混沌特性不变;同时,对单位区域上的非标准二次函数进行了初步的研究.通过计算Lyapunov指数以及绘制分岔图等对二次曲线的混沌特性进一步分析,其中参数变化的分岔图以及混沌曲线控制点的区域分布图等有一定的研究价值.另外研究表明,使用多个二次曲线交叉迭代能够产生较好的混沌序列,该混沌序列可以应用于图像加密等一些实际应用领域. 相似文献
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经上海市环保产业协会批准,2001年5月22日上海市环保产业协会噪声与振动控制专业委员会在上海市机电环保研究所挂牌成立并进行了学术交流活动。专业委员会设名誉主任1人,主任兼秘书长1人,副主任5人,副秘书长3人以及委员25人。章奎生教授任名誉主任,吕玉恒高级工程师任主任兼秘书长。挂靠单位及办公室均为上海市机电环保研究所。 市环保局领导、市环保产业协会领导出席会议并讲话。高等院校、科研设计单位以及公司、厂家等50余人参加了会议。会上学术交流的中心是噪声与振动控制新技术、新材料、新设备、以及大家关心的… 相似文献
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报道了一种基于硅光电信增管(SiPM)的时间相关多光子计数(TCMPC)技术并将其应用于时间分辨拉曼散射测量。相比于常规基于光电倍增管(PMT)或单光子雪崩二极管(SPAD)的时间相关单光子(TCSPC)技术,由于SiPM可以分辨信号脉冲的具体光子数,基于SiPM的TCMPC技术消除了信号脉冲包含的光子数必须小于等于1的限制,光子计数效率提高了10倍以上,大大节省了测量时间。此外,多光子测量比单光子测量能够得到更好的时间分辨率,时间分辨拉曼散射系统的仪器响应函数(IRF)从单光子81.4 ps缩短至双光子59.7 ps,因而可以用更窄的时间门限抑制荧光本底等噪声对拉曼散射测量的影响。使用TCMPC技术测量CCl4在0.5和1.5 p.e.两个不同光子数阈值的拉曼峰的峰本比,后者较高的光子数阈值能进一步降低SiPM暗计数噪声的影响,增加了拉曼信号测量的信噪比,测量得到的CCl4 459 cm-1拉曼峰的峰本比是前者的6.4倍。将所述新的拉曼散射测量技术与基于PMT和锁相放大器(LIA)的传统拉曼散射测量技术进行了比较研究,前者由于可以使用仅有数十皮秒的测量门限,可以有效抑制荧光、环境杂散光和SiPM暗计数等噪声的影响,所得光谱具有更好的峰本比,测得CCl4的459 cm-1拉曼峰和Si的一阶拉曼峰的峰本比分别是后者的3.9倍和5.5倍。 相似文献
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56.
现代机构精度分配理论的发展方向和关键 总被引:1,自引:0,他引:1
本文分析、探讨了机构精度分配理论和方法的组成和发展概况及其发展方向,在此基础上指出了发展现代机构精度分配理论问题的关键及其前景。 相似文献
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由中国声学学会检测声学分科学会,中国岩石力学与工程学会岩石力学测试专业委员会联合组织召开的以研讨“岩土混凝土声测技术新进展”为主题的学术与信息交流会,于1990年3月26至3月28日在湘潭市召开。来自全国13个省市的铁道、交通、水电、能源、地矿、冶金、建筑、中科院、高校以及仪器生产厂家等37个单位65位代表参加了会议。 相似文献
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Multipeak-structured photoluminescence mechanisms of as-prepared and oxidized Si nanoporous pillar arrays 下载免费PDF全文
Silicon dominates the electronic industry, but its poor optical properties mean that it is not preferred for photonic applications. Visible photoluminescence (PL) was observed from porous Si at room temperature in 1990, but the origin of these light emissions is still not fully understood. This paper reports that an Si nanocrystal, silicon nanoporous pillar array (Si-NPA) with strong visible PL has been prepared on a Si wafer substrate by the hydrothermal etching method. After annealing in O2 atmosphere, the hydride coverage of the Si pillar internal surface is replaced by an oxide layer, which comprises of a great quantity of Si nanocrystal (nc-Si) particles and each of them are encapsulated by an Si oxide layer. Meanwhile a transition from efficient triple-peak PL bands from blue to red before annealing to strong double-peak blue PL bands after annealing is observed. Comparison of the structural, absorption and luminescence characteristics of the as-prepared and oxidized samples provides evidence for two competitive transition processes, the band-to-band recombination of the quantum confinement effect of nc-Si and the radiative recombination of excitons from the luminescent centres located at the surface of nc-Si units or in the Si oxide layers that cover the nc-Si units because of the different oxidation degrees. The sizes of nc-Si and the quality of the Si oxide surface are two major factors affecting two competitive processes. The smaller the size of nc-Si is and the stronger the oxidation degree of Si oxide layer is, the more beneficial for the luminescent centre recombination process to surpass the quantum confinement process is. The clarification on the origin of the photons may be important for the Si nanoporous pillar array to control both the PL band positions and the relative intensities according to future device requirements and further fabrication of optoelectronic nanodevices. 相似文献