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991.
Effect of interface-roughness scattering on mobility degradation in SiGe p-MOSFETs with a high-k dielectric/SiO2 gate stack*
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A physical model for mobility degradation by interface-roughness scattering and Coulomb scattering is proposed for SiGe p-MOSFET with a high-k dielectric/SiO2 gate stack. Impacts of the two kinds of scatterings on mobility degradation are investigated. Effects of interlayer (SiO2) thickness and permittivities of the high-k dielectric and interlayer on carrier mobility are also discussed. It is shown that a smooth interface between high-k dielectric and interlayer, as well as moderate permittivities of high-k dielectrics, is highly desired to improve carriers mobility while keeping alow equivalent oxide thickness. Simulated results agree reasonably with experimental data. 相似文献
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提出一种计算多肽中N-H…O=C分子内氢键键能的新方法.并将新方法应用于计算甘氨酸和丙氨酸二肽、三肽中N-H…O=C分子内氢键键能.利用密度泛函理论B3LYP/6-31G(d)方法优化几何构型和计算频率.对全部结构计算MP2/6-311 G(3df,2p)水平上的单点能量.结果表明:在甘氨酸二肽中氢键键能为-6.38 kcal/mol,在丙氨酸二肽中氢键键能为-7.09-、6.25 kcal/mol;在甘氨酸三肽中氢键键能为-5.62 kcal/mol,在丙氨酸三肽中氢键键能为-5.37,-5.74 kcal/mol. 相似文献
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997.
郭可信先生是我国著名物理冶金学家、晶体学家.他在物理冶金、特别是在合金中晶体结构与缺陷及准晶研究等方面取得了卓越的成就,为国家做出了突出贡献.1985年第8期的《物理》发表了郭先生撰写的《五次对称与准晶态》一文,介绍和评述了他领导的研究组发现五次对称和Ti-Ni-V二十面体准晶的重要创新成果,这项成果在国际学术界产生了重要影响并获高度评价,被称为“中国相”,并于1987年获得国家自然科学一等奖.此后郭可信先生和《物理》结下了深厚情谊,并不断以深入浅出的方式评述和介绍他领导的研究组取得的在国内外有重要影响的成果,如1991年第1期的《物理》发表了他撰写的《8次、12次对称及有关准晶的发现——王宁、陈焕获第二届吴健雄物理奖项目》一文,受到读者广泛关注.2006年12月13日,郭可信先生不幸逝世,我刊特组织纪念郭先生的专题,以表达我们对先生的深切悼念和哀思,先生的创新精神和风范长存.[编者按] 相似文献
998.
在物理实验教学中,教师通过对实验的改进优化、比较分析、探索探究和创新设计,可以达到对学生思维的求异性、类比性、深刻性和发散性的培养的作用.本文主要对实验教学过程中如何培养学生的创新思维能力谈谈体会· 相似文献
999.
1000.
采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了-10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明:随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出:该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义. 相似文献