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41.
本文得到了正定Hermitian阵的Hadamard积的Schur补的一些不等式,进而,给出了他们的一些应用,这些改进了近期的一些结束. 相似文献
42.
43.
在长脉冲高功率微波源研究中关键的部件是二极管,由于阴极爆炸发射产生的阴极等离子体的热扩散,为防止二极管短路,长脉冲二极管通常比一般二极管阴阳极间距大,尺寸也相应较大。原有的长脉冲加速器使用的二极管如图1所示,这也是美国BANSHEE加速器采用的二极管结构。使用的二极管是为满足L波段高功率微波器件的需要,产生电子束电压500kV,电流3kA,脉宽1.5μs,束截面内外径为φ5.7,φ7.3cm。现在为了满足开展S波段相对论速调管研究需要,设计了新的小型化二极管,产生电子束环内外直径约φ4.3,φ3.7cm。 相似文献
44.
矩阵对角占优性的推广及应用 总被引:38,自引:1,他引:37
§1.引言设 A=(a_(ij))_(n×n)为一复矩阵,若有一正向量 d=(d_1,d_2,…,d_n)~T 使得d_i|a_(ij)|≥sum from j≠1 d_j|a_(ij)|,(1)对每一 i∈N={1,2,…,n}都成立,则称 A 为广义对角占优矩阵,记为 A∈D_0~*;如若(1)式中每一不等号都是严格的,则称 A 为广义严格对角占优矩阵,记为 A∈D~*.特别地,当 d=(1,1,…,1)~T 时,A∈D_0~*及 A∈D~*即是通常的对角占优与严格对角占优,分别记作 A∈D_0及 A∈D.利用矩阵的对角占优性质讨论其特征值分布是矩阵论中的重要课题,文献[5]—[10]给出了这方面的重要结果.n 阶实方阵 A 称为 M-矩阵,如果 A具有形式:A=sI-B,s>ρ(B),其中 B 为 n 阶非负方阵,ρ(B)表 B 之谱半径,利用广义严格对角占优的概念,文[1]给出了 M-矩阵的等价表征:若 n 阶实方阵 相似文献
45.
Sn+11中不存在Ⅳ型洛伦兹等参超曲面 总被引:2,自引:2,他引:0
欧氏球面Sn 11中的等参超曲面的分类问题还没有完全解决.对洛伦兹球面Sn 11中的洛伦兹等参超曲面,情况有所不同,可能会有复的特征值.对Sn 11中的Ⅳ型洛伦兹等参超曲面进行了研究,将M.Magid在洛伦兹空间Rn 11中的有关结果推广到Sn 11中,证明Sn 11了中不存在Ⅳ型洛伦兹等参超曲面. 相似文献
46.
杜玉越 《高等学校计算数学学报》1993,15(1):86-90
文[1、4]和[2、3]分别研究了求解实对称特征值问题的Davidson方法和Davidson Lanczos(简称DL)方法。本文推广了DL方法,给出并研究了块DL方法。 相似文献
47.
文[1]研究了一个非线性双曲型方程 u_(xt) [(uu_xu_t)/(1-u~2)]-u(1-u~2)=0.方程(*)可以用来描述沿类脂膜扩张波的传播,它所对应的特征值问题的谱是不变的,随着科技的发展,非均匀介质中的传播问题日益受到重视。类问题相应的特征值问题是非保谱的,因此,在[2]中研究了谱变形的特征值问题和发展方程.这本文研究谱变形的非线性双曲型方程 相似文献
48.
星状四芳胺类空穴传输材料的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
有机电致发光器件 (OELD)是继阴极射线管平板显示器 (CRT)和液晶显示器 (LCD)之后的第三代平板显示器。它具有主动发光、驱动电压低(2伏左右 )、发光亮度高 (1 3 0 0 0cd m2 以上 ) ,无软X 射线污染 ,响应速度快 (1 0 -6 ~ 1 0 -8秒 )等优点。从 1 987年美藉华人邓清云等提出多层结构的OELD的器件结构以来的十多年间 ,OELD以及其材料的研究已成为显示技术以及显示材料等方面的研究热点 ,发展很快[1~ 3] 。在 1 999年日本先锋公司已开发出了单色的汽车用OEL平板显示器商品 ,今年东芝公司又开发出了 2 .7英寸的彩… 相似文献
49.
孙艳梅黄亚魁 《高等学校计算数学学报》2022,(3):255-266
1引言Stiefel流形上的优化问题一般形式可以表示为:min x∈S_(n,p) f(X)(1.1)其中目标函数f:R^(n×p)→R为连续可微函数,S_(n,p)表示Stiefel流形,即S_(n,p)={X∈R^(n×p):X^(T)X=Ip,p相似文献
50.
氢氯混合气光照爆炸是氯气性质的重点难点之一,该实验是中学化学实验中的重点和难点.做好此实验,对于学生掌握氯气这一性质是很有必要的. 相似文献