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951.
新型高效的纳米光波导器件的研制纳米集成光学的核心技术之一。Y分支波导作为最基本的分光和光路连接元件是纳米光学器件设计与制备的基础。运用时域有限差分(FDTD)法,模拟计算了基于表面等等离波子(SPP)的纳米Y分支波导的传输特性。结果表明,该新型Y分支波导在光通信波段可以实现大角度的分光功能,且在180°分支情况下,传输效率仍高达92.8%以上。另外,该波导还具有导波性能良好、对分叉处间隙缺陷大小不敏感及制作容差较大和器件尺寸在纳米量级等特点。对该新型光波导器件的研究为未来纳米集成光学器件的研制和应用有一定的指导意义。 相似文献
952.
953.
测量了氢气离子转动分辨的真空紫外脉冲场电离光电子谱.涵盖了15.30?18.09 eV能量范围内的H2+(X2§+g , v+=0?18,N+=0?5)?H2(X1§+g , v00=0, J00=0?4)的电离跃迁. 通过基于Buckingham-Orr-Sichel(BOS)模型的光谱拟合和对氢气离子振动带H2+(X2§+g ,v+=0?18)的转动光谱的分析, 发现实验上只观察到对应于¢N=N+-J00=0,§2的转动跃迁. 振动量子数v+ 越高,¢N=0的转动跃迁越占主导地位, 而转动谱线强度受邻 相似文献
954.
" 在Pt/Ti/SiO2/Si基片上用溶胶-凝胶法与快速退火工艺制备了300 nm厚的锆钛酸铅Pb(Zr0:95Ti0:05)O3 (PZT95/5)反铁电薄膜.结果显示600~700 ℃晶化处理的钙钛矿PZT95/5薄膜具有高度(111)取向生长特性.薄膜的电性能测量采用金属-铁电-金属电容器结构.在20 V电压作用下,600~700 ℃晶化处理的PZT95/5薄膜显示出饱和电滞回线.在1 kHz下,600、650和700 ℃晶化的薄膜介电常数与损耗分别为519与0.028、677与0.029、987 相似文献
955.
利用Raman光谱对结晶紫(Crystal Violet,CV)在纳米磷化镓(GaP)粉体表面的吸附状态进行了分析.结果表明:与普通拉曼散射谱(Normal Raman Scattering,NRS)相比,结晶紫表面增强拉曼散射(Surface Enhanced Raman Scattering,SERS)谱的4种振动模式,即:中央键的呼吸振动、环-C -环面外弯曲振动、环C-H面外弯曲振动以及N-环伸缩振动,在纳米GaP粉体表面得到增强;通过分析吸附前后结晶紫拉曼散射峰相对强度的变化,确定了结晶紫在纳米GaP粉体表面的吸附取向,并对其表面增强散射机理进行了探讨. 相似文献
956.
957.
958.
959.
考虑核间相互作用,利用修正的库仑玻恩模型(MCB-PT)计算了入射能量为16 MeV 的O7+碰撞氦单电离的全微分截面,并将计算结果与最近的实验数据和三体库仑波(3C)模型及含核间相互作用的连续扭曲波程函初态 (CDW-EIS-PT)模型所得结果进行了比较,发现MCB-PT理论结果在中间动量转移条件下binary峰的位置与实验结果符合得很好,且位于动量转移的方向上。此外,分析了扭曲效应对全微分截面的影响,表明随着动量转移的增加,扭曲效应更加明显。 相似文献
960.