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Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4/H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 总被引:4,自引:0,他引:4
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Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H. 相似文献
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热等离子体裂解天然气制备C2烃 总被引:1,自引:0,他引:1
采用氮气热等离子体来裂解天然气制备乙炔乙烯,着重研究了天然气转化率和乙炔、乙烯收率随氮气流量和天然气流量的变化.结果表明,天然气流量与氮气流量之比为11时,可得到较好的结果.当等离子体功率为15kW、天然气流量为3Nm3*h-1、氮气流量为3Nm3*h-1时得到最好的结果.这时天然气转化率为57%,乙炔、乙烯的收率分别为34%和9%;乙炔在反应气中的体积浓度为7.5%,与部分氧化法相似;扣除不参加反应的氮气,乙炔在气相产品中的体积浓度为13.2%,与热力学平衡计算结果基本符合. 相似文献
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工况图在热电厂的设计和运行中具有广泛的用途。本文根据引进型双抽非再热200MW供热机组的技术特点,通过编程在纯凝汽工况、单抽工业抽汽工况、单抽采暖抽汽工况和双抽供热等典型变工况计算的基础上,完成了当新蒸汽负荷、工业抽汽负荷和采暖抽汽负荷发生改变时的变工况计算,并绘制了该机组的运行工况图. 相似文献