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81.
以喇曼光谱和红外测温仪为表征手段,研究了聚合物电致发光器件在施加不同电流密度的工作条件下器件内部热效应对器件老化的影响.通过实验得到器件内发光层的斯托克斯喇曼信号和反斯托克斯喇曼信号强度的比值,代入波尔兹曼方程计算得到该层对应的温度,从而达到精确测量器件内部工作温度的目的.通过对器件施加0~169 mA/cm2的电流密度,发现器件内部工作温度逐渐升高,最终达到有机层的玻璃化转变温度后,发光层材料发生相变,变成游离状的液态,这种状态不稳定,造成发光层材料的局部缺陷,使得器件阴阳极短接导致器件短路,从而发光失败.实验表明喇曼光谱是一种探测薄膜器件内部工作层温度的有效手段, 相似文献
82.
以硬焊料传导制冷,30%填充因子半导体激光器阵列为例,建立了三维有限元模型,对阵列内部各发光单元之间的热串扰行为进行了分析研究。结果表明,当其连续波工作时间大于1.2 ms后,阵列内发光单元之间出现热串扰现象;当次热沉由CuW合金改为铜金刚石复合材料时,阵列内发光单元自热阻和相邻发光单元的串扰热阻降低,有效地降低了各发光单元之间的热串扰行为。保持阵列宽度、发光单元数目及发光单元周期不变,发现随阵列填充因子的增加,器件热阻以指数衰减趋势逐渐降低,而发光单元间的热串扰特性对此变化并不敏感;保持阵列单个发光单元输出功率,发光单元尺寸及阵列宽度不变,增加发光单元个数后,阵列内各发光单元之间热串扰加剧,填充因子越高阵列升温速率越快;但在最初约70 s内,包含不同数目发光单元的阵列最高温度差异仅约0.5 ℃,有利于多发光单元高填充因子器件高功率输出。 相似文献
83.
高功率8 mm波辐照时,大小鼠均产生热应激反应,依次经历平静期、警戒期、相持期和衰竭期。鼠的热痛阈值温度为(43.1±1.8) ℃,这一阈值与鼠的质量、初始温度、辐照功率密度等无关。 辐照3 s时:辐照功率密度为3.5 W/cm2时体表温升为(8.4±1.0) ℃;辐照功率密度为7.0 W/cm2时温升为(21.1±3.0) ℃。实验还测定了警戒期持续时间,结果表明动物应激反应的剧烈程度与警戒期持续时间相关。建立了小鼠警戒期持续时间与小鼠体表面积、有效辐照面积、辐照功率密度之间的关系,并将这一实验结果推广到大鼠。 相似文献
84.
85.
86.
SONGMei WANBao-Nian XUGuo-Sheng LINGBi-Li 《中国物理快报》2003,20(6):865-868
Measurements of boundary fluctuations and fluctuation driven electron fluxes have been performed in ohmic and lower hybrid current drive enhanced confinement plasma using a graphite Langmuir probe array on HT-7 tokamak. The fluctuations are significantly suppressed and the turbulent fluxes are remarkably depressed in the enhanced plasma. We characterized the statistical properties of fluctuations and the particle flux and found a non-Gaussian character in the whole scrape-off layer with minimum deviations from Gaussian in the proximity of the velocity shear layer in ohmic plasma. In the enhanced plasma the deviations in the boundary region are all reduces obviously. The fluctuations and induced electron fluxes show sporadic bursts asymmetric in time and the asymmetry is remarkably weakened in the lower hybrid current driving (LHCD) phase. The results suggest a coupling between the statistical behaviour of fluctuations and the turbulent flow. 相似文献
87.
The grain-oriented CxGo1-z (x = 0.9, 0.5) samples were fabricated by the hot.pressing method. The microstruc-ture was observed by an x-ray diffractometer and a scanning electron microscope. The resistance against the applied magnetic field was measured by a standard four-polnt probe method at different temperatures. The magnetoresistance and the magnetization ratio were studied as a function of magnetic field in the range of -1800 kA/m-1800 kA /m at different temperatures from 50 K to 300 K. The magnetoresistance of grain-oriented GxGo1-x is positive. The maximum positive MR of 98% at 50 K and 34% at 300 K was obtained under 1800 kA/m magnetic field in the C0.9Go0.1 sample. 相似文献
88.
国内外关于金属中氦行为的热解析研究报道尚不多见,特别是关于高固氦合金材料设计、制备、性能快速评价的研究尤为缺乏。本工作从室温到1273K全程线性升温,采用四极质谱计实时测量的方法,研究金属氚化物中^3He的热解析行为。 相似文献
89.
AN/VAS-5 DVE是一种被动式非制冷热成像系统,供战斗或战术轮式车的驾驶员使用。它可以在有烟、雾和灰尘等天然或人为障碍物的情况下昼夜连续地工作。DVE的传感器包括第二代热像仪,热像仪可以为高质量的平板显示器和控制单元(商用有源矩阵液晶显示器)提供模拟视频信息。DVE的视频图像还可以传送给车辆其他显示器。显示器有一个显示地图和数字化战场信息的输入端口。 相似文献
90.
我们知道,在金属中散射作用是电阻产生的主要原因,这包括杂质散射和晶格热运动引起的电声子互作用。根据动量定理,电子在时间间隔△t内受到电场E的作用而产生的定向漂移速度. 相似文献