热致相分离法制备食道组织工程用支架的研究

合适的支架是进行组织工程研究必需的条件之一．运用自制的具有较好弹性的无规聚合物聚（L-乳酸-co-己内酯，PLLC），并采用热致相分离法（TIPS）制备了具有不对称孔径的食道组织工程用三维支架．经过对不同成孔条件（包括粗化温度、粗化时间以及聚合物溶液浓度等）的比较和研究，使此支架上表面具有孔径〈10μm，而本体具有50～100μm，甚至〉100gm的不对称多孔支架．并模拟正常食道粘膜层构造，将提取自猪食道的原代上皮细胞和成纤维细胞分别种植于此支架的二面，经HE常规染色，发现在体外培养时间（14d）内，在支架上表面已形成一连续层的上皮细胞层，某些部位甚至多于一层，这与正常食道的上皮细胞层相似．对于成纤维细胞而言，在与上皮细胞层同一视野内所见成纤维细胞较少，因为如果细胞生长在支架内部就很难用常规方法观察得到．但从这些结果可以看到用PLLC制备的多孔支架对细胞没有毒性，且具有一定的支持细胞生长的作用．     

纳米SiC蓝光发射的研究

在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研究，认为纳米ＳｉＣ中与氧有关的缺陷可能是引起４７５ｎｍ蓝光发射的主要原因     

Synthesis and characterization of novel poly（aryl ether sulfone ketone）s containing phthalazinone and biphenyl moieties

A novel series of poly（aryl ether sulfone ketone）s （PPESKs） containing phthalazinone and biphenyl moieties were prepared by two-step nucleophilic polycondensation reaction. The ^-Mw values of these copolymers were between 38,330 and 67,900. The glass transition temperatures （Tg） and 5% decomposition temperatures were ranged in 253-269 ℃ and 488-500 ℃, respectively, The structures of these copolymers were confirmed by FT-IR and ^1H NMR. Moreover, all the resultant copolymers were amorphous determined by wide angle X-ray diffraction （WAXD）.     

热物理和热工研究开发的进展与机遇

兴起中的“工程热物理”，归属技术科学，成为沟通热物理研究和热工技术开发的桥梁，曾被原苏联学者称为“物理热工学”，也曾在我国使用过“热物理工程学”，亦即运用物理学知识的进展深化对热工问题的分析研究，容许按工程学分析处理的方法抓主要矛盾和矛盾的主要方面作渐近的合理假设，推动相关工程技术的开发创新．工程热物理的数值模拟计算要严肃对待物理模型的可信性．传统的划分方式认为：科学发现是为了认识世界，工程技术是为了改造世界，正确认识世界才能合理改造世界，但并不排斥在改造世界的过程中改进和丰富对客观真实的认识．…     

CuxO/rGO复合材料的制备及OER性能

利用氧化石墨烯(GO)的模板作用，通过喷雾热解法制备了Cu₂O/rGO，再通过空气氧化处理工艺对铜的价态进行调控，最后得到Cu_xO/rGO复合材料。使用SEM、XRD、TEM、电化学测试等手段对材料进行表征和测试。结果表明，Cu₂O/rGO具备良好的褶皱结构，在空气氛围中氧化处理后Cu⁺向Cu²⁺发生转变且褶皱形貌得到保留，并有Cu_xO颗粒负载在褶皱rGO表面。Cu-0.3-600-300-3的过电位由Cu-0.3-600的581 mV降低至442 mV,Tafel斜率为48.8 mV/dec，此时XPS结果为Cu⁺/Cu²⁺=0.41。这是因为rGO和Cu⁺与Cu²⁺之间产生协同效应，从而提高催化剂的电化学活性。     

新的压电薄膜——Ta2O5

据报道,日本Yasuhiko Nakagawa和Yasuo Gomi用磁控反应直流二极管溅射法将Ta_2O_5,沉积在石英基片上,得到了单晶薄膜,并且首次观察到了这种薄膜的压电现象.用叉指换能器在Ta_2O_5薄膜上成功地激发了声表面波.在Ta_2O_5/熔石英基片上,当薄膜厚度h在hk(=2πh/λ)=1.0时,其机电耦合系数k~2=0.5％,它可与熔石英基片上ZnO薄膜的机电耦合系数相比拟. 利用Ta_2O_5单晶的X射线衍射数据,推断出Ta_2O_5     

用Zn/F离子先后注入和热退火法实现ZnO量子点的可控生长

将Zn/F离子先后注入到非晶二氧化硅中并分别在400,600,700 ℃下进行了退火.用光学吸收谱、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对退火的样品进行分析,发现在600 ℃退火后ZnO量子点已经形成.二次离子质谱仪(SIMS)测试发现在溅射时间为2 s时Si,Zn元素同时出现,说明没有在衬底的表面形成ZnO薄膜.从原子力显微镜(AFM)图像看到有少量的颗粒被蒸发到衬底的表面,说明在衬底的内部形成了ZnO量子点.F离子注入的作用为在衬底的内部形成ZnO量子点提供了O2分子.