神光Ⅱ上柱形黑腔辐射驱动冲击波

利用神光Ⅱ的八路三倍频激光装置，驱动柱形黑腔产生的x 射线作辐射源驱动台阶铝样品产生冲击波，获得了清晰的冲击波图像，通过冲击波过台阶样 品的时间差获得冲击波速度和压力分别为31.2km/s和17.5×10⁵MPa.采用软x射线能谱 仪通过激光注入孔测量的辐射温度与采用冲击波法测量辐射温度的结果一致. 关键词： 冲击波 辐射驱动 辐射温度     

遥感器CCD驱动器热设计及其在摄像过程中的温度变化

CCD驱动器是航天成像遥感器摄像过程中的主要热源之一。防止CCD驱动器过热是保证其正常工作的重要方面。介绍了遥感器的工作模式和对CCD驱动器采取的热控制措施。通过热平衡试验,利用回归的方法,对CCD驱动器在摄像过程中的温度变化规律进行了分析,同时对热控制效果进行了评估。CCD驱动器工作时升温速率在0.85℃/min左右,整个摄像过程中最高温度约为26℃,所实施的热控制措施效果理想。     

用化学试剂校正马弗炉的实用温度

在实验室计量认证中 ,马弗炉温度的校正要请专业计量部门对测温元件匹配作严格的电学测试。而在实际化验工作中 ,找一个更简便、直观的实用测温方法很有必要。许多实例表明 ,马弗炉控制器指示的温度与实际温度相差 5 0～ 10 0℃是常事。例如电学元件老化、新购热电偶规格有差异、热电偶受挥发性化学物质侵蚀、热电偶插入炉内深度不合适都会影响温度的指示值。而坩埚在炉内加热 ,因位置不同 ,炉前、炉后、炉边转角处、炉内电炉丝不均匀也都会影响加热的实际温度。用纯化学试剂放在瓷坩埚 (或镍坩埚 )中 ,在马弗炉内相同条件下加热 ,观察熔化…     

Deposition of Diamond-Like carbon Films by High-Intensity Pulsed Ion Beam Ablation at Various Substrate Temperatures

Diamond-like carbon (DLC) films have been deposited on to Si substrates at substrate temperatures from 255℃ to 400O℃ by a high-intensity pulsed-ion-beam (HIPIB) ablation deposition technique. The formation of DLC is confirmed by Raman spectroscopy. According to an x-ray photoelectron spectroscopy analysis, the concentration of sp^3 carbon in the films is about 40% when the substrate temperature is below 300℃ C. With increasing substratetemperature from 25℃ to 400℃, the concentration of sp^3 carbon decreases from 43% to 8%. In other words,sp3 carbon is graphitized into sp^2 carbon when the substrate temperature is above 300℃. The results of xray diffraction and atomic force microscopy show that, with increasing the substrate temperature, the surface roughness and the friction coefficient increase, and the microhardness and the residual stress of the films decrease.     

基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显徽镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态。用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻。结果表明：随衬底温度的升高，晶粒明显长大。膜内的缺陷和应力显著减小，而且增强了薄膜晶粒的[111]择优取向。结果表明，薄膜电阻率显著减小，而磁电阻显著增大。     

分子射线中分子的频率分布

由麦克斯韦速率分布率导出分子射线中分子按频率分布 ,并给出了分子射线中分子按频率分布中的三个特征频率、分界动能和分界温度。     

腔靶等离子体辐射温度空间分布测量

本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。     

Cr^4＋：YAG,Cr^4＋：Mg2SiO4近红外荧光辐射温度特性研究

测量了Ｃｒ＾４＋，ＹＡＧ、Ｃｒ＾４＋，Ｍｇ２ＳｉＯ４晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱，吸收光谱和激发态寿命，讨论了温度变化时，两种晶体中Ｃｒ＾４＋近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系，得出结论：在７７Ｋ￣３００Ｋ范围内，Ｃｒ＾４＋的＾３Ｔ２能级荧光辐射截面本身受温度影响不大，Ｃｒ＾４＋辐射荧光的变化，主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。     

浅谈油田开发钕铁硼永磁体温度和环境对其性能的影响

本文简述了工作温度和环境对油田开发用钕铁硼永磁体磁性能的影响，并探讨了改善钕铁硼永磁体耐热、耐蚀性的方法。