瞬态电磁场测试的无源电光式传感器

 介绍了一种用于瞬态电磁场测试的无源电光式传感器及其应用系统,其信号输入动态范围约为60dB,频率响应范围为10kHz～700MHz,这种探头部分无源化的传感器具有抗电磁干扰能力强、体积小等优点,可用于复杂电磁环境下或小空间内的脉冲电磁场测量。     

超形变原子核全同带的判断与角动量增量顺排量子化

给出了一个新的从能量角度判断超形变带全同带的方法,并运用这种方法分析了100多条超形变带.给出了全同带数目随判断参数的变化关系.还引进了量子化区间的概念,从统计角度分析角动量增量顺排的量子化问题,得出了全同带增量顺排随判据加严而趋向于量子化的性质,而正常形变全同带则不具有这一性质.讨论了新方法与粒子转子模型之间的关系.     

双原子正方晶格光子晶体边界模式的光传输特性

利用平面波展开法,发现双原子正方晶格光子晶体中ΓM方向边界面存在着快慢两类边界模式,并且通过计算色散关系和电场分布研究了边界参量对这两类边界模式传输特性的影响.依据两种模式的色散关系,计算了群指数和群速度色散参量,结果表明边界参量的变化对第一类边界模式传输特性的影响较小,该模式的平均群指数始终维持在5.0左右;第二类边界模式与第一类模式明显不同,边界参量的变化能够有效地影响到这种模式的传输特性,该模式的最大平均群指数可达178左右.利用时域有限差分法记录了不同时刻电场强度在边界附近的分布及监测点处的电场幅度变化情况,结果表明,两类模式都能够被限制在边界附近并向前传播,时域有限差分法得到的群速度与平面波展开法的结果完全吻合.     

测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．     

手征材料构成的简立方光子晶体光子带结构计算——平面波法

发展了适于计算由手征材料组成的光子晶体的光子带结构的平面波法。在此基础上，研究了由手征材料组成的简立方光子晶体的光子带结构。计算表明：手征材料“球形原子”在电介质中排列所组成的科立方光子晶体和电介质“球形原子”在手征材料中排列所组成的简立方光子晶体，不仅都存在光子带隙，而且存在截止频率，在该频率以下的区域无传播模存在，本语文认了这种光子晶体的潜在应用。     

双狭缝透射光栅软X光时空分辨谱仪

 利用双狭缝、透射光栅配亚仟X光条纹相机做了具有一维空间、时间和能谱分辨的三维软X光测量仪器(双狭缝透射光栅软X光时空分辨谱仪), 并成功地获得了金盘靶的N带X光(中心波长1.7nm)时空分辨图象 。该仪器空间分辨可达23μm, 时间分辨可达003ns, 能谱分辨(当源大小为100～300μm时对波长1.7nm的X光)可达0.4～ 0.7nm, 只需稍加改动, 即可用于其它波段的X光测量。     

CH^35Cl3和CH^35Cl2^37Cl分子V=3的傅里叶变换光谱研究

采用傅里叶变换光谱技术（ＦＴＳ）记录了ＣＨ＾３５Ｃｌ３和它的同位素分子ＣＨ＾３５Ｃｌ２＾３７Ｃｌ的Ｖ＝３的高分辨光谱，由于０．０２ｍ＾－１分经不足以分辨Ｋ结构，我们将所观察到的谱线近似归属为Ｋ＝０的转动能级，归属了ＣＨ＾３５Ｃｌ３岔子４〈Ｊ〈７３，ＣＨ＾３５Ｃｌ＾３７Ｃｌ分子６〈Ｊ〈５３的转动级。最后采用最小二乘法拟合，得到了关于Ｊ的转动常数和振动带心。     

A～190区超形变带自旋指定的再讨论(Ⅰ)偶偶核

在γ跃迁能量中扣除了ΔI=4分岔的影响后,根据ab公式,系统讨论了A～190区偶偶核超形变带,给出了绝大多数超形变带的自旋值. 部分超形变带的自旋指定值,不同于其它方法得到的结果.     

79Kr中Kπ=5－/2转动带的带交叉及其形状演化

通过⁵⁵Mn(³⁰Si,αpn)反应研究了⁷⁹Kr的高自旋态. 利用GASP阵列配以由40个△E-ESi(Au)望远镜所组成的带电粒子球实现γγγ-带电粒子符合测量,在K^π=5－/2转动带上发现了由10条新γ跃迁所构成的9条新能级,将其中(a=+1/2)和(a=－1/2)伴带分别推位于(37－/2)8992keV和(59－/2)20132keV能级. 并用推转壳模型作了分析讨论.     

高K带中的能量Staggering问题

引入Staggering指数S(I)描写γ一刚性和γ一软性核的能谱可清楚地显示其K=2带的两类不同的S(I)-I锯齿图,它们可分别用带振动一转动耦合的三轴转子模型和带三体势的IBMI的O(6)极限或角动量投影形变HF方法(PDHF)来描述.同时,还对3≤K≤8的高K带中的Staggering进行了理论预测.分析了质量数160≤A≤184区域中若干原子核的高K带能谱数据,证实了高K带中Staggering的存在,同时还发现了由S(I)的锯齿相变指出的核形状转变的证据.