超氧化物歧化酶模型化合物[(tren)Cuim Zn(tren)](Clo_4)_3·CH_3OH的合成、结构和性质研究

本文研究超氧化物岐化酶标题模型化合物的合成、性质和晶体结构,EPR参数g_⊥=2.191,g_‖=2.007,A_⊥=114×10~(-4)cm~(-1),A_‖=61×10~(-4)cm~(-1),晶体属空间群C_2~2-P2_1,a=8.924(2),6=11.590(4),c=16.356(6),z=2,Cu(Ⅱ)和Zn(Ⅱ)被咪唑基桥联,其间距离为5.84,每个金属呈畸变三角双锥构型,用计算机模拟咪唑桥在溶液中随pH改变的行为,证实在pH<8时,咪唑桥在锌端断裂,其它物理性质也做了报道。     

四氮杂大环四烯镍(Ⅱ)配合物[Ni(TIM)]X催化BrO 氧化双有机底物的振荡反应

本文报道了四氮杂大环四烯镍(Ⅱ)配人事物[Ni(TIM]X[TIM为2,3,9,10-1,4,8,11-甲氮杂环十四-1,3,8,10-四烯;X=(ClO~4)~2,ZnCl~4,(SCN)~2]催化BrO CH~2(CO~H)~2-(CO~2H~2)-H~2SO~4体系的新型振荡化学反应.对该振荡反应体系进行了多方面的研究,并提出了简要的机理.     

1,4-苯醌衍生物的合成、氧化还原电位和生物活性的研究

合成了一系列具有不同的醌环结构(醌环上的取代基不同,如甲基、甲氧基、氢、氯和溴,或取代基的排列位置不同)的6-正癸基-1,4-苯醌衍生物。系统地研究了它们的结构、氧化还原电位和在线粒体琥珀酸-细胞色素 c 氧化还原晦中生物功能的关系。     

制备高比表面积碳化硅的几种影响因素

采用溶胶凝胶法，以蔗糖和正硅酸乙酯(TEOS)为原料，草酸为TEOS水解的催化剂，制备均相碳化硅前驱体，在氩气氛和高温条件下(1 350～1 600 ℃)将碳化硅先驱体进行碳热还原，制备出高比表面积的SiC。考察了水/TEOS物质的量的比、碳/硅物质的量的比及镍盐等因素对碳化硅比表面积的影响。结果表明，当n_water/n_TEOS=7.5，n_C/n_Si=4时，适宜的镍催化剂(n_Ni/n_TEOS=0.005)，凝胶形成的时间最短，镍盐的加入可使碳热还原温度降低200 ℃。     

(NiV13O38)7-的电子结构和催化性质的探讨

使用SCC－DV－Xα方法研究了高钒杂多化合物（NiV13O38）7-的电子结构，并探讨了它的催化性质·结果表明，（NiV13O38）7-是一种比Keggin结构更强的催化剂。分析了该阴离子中的键的强弱关系，认为配位数越少的氧与V形成的键越强．并分析了前线轨道HOMO，LUMO的组成，从而得出它的催化活性中心是Ni，V、一配位端氧，二、三配位桥氧，五配位中心氧的结论。     

镉(Ⅱ)与对苯二甲酸和2,2''''-联吡啶配合物光谱性质的理论研究

对镉(Ⅱ)与对苯二甲酸和2,2'-联吡啶配合物进行几何优化,在优化构型的基础上分析了其吸收光谱.结果表明主要贡献的激发态为16,17和26激发态而不是第一激发态,振子强度f为0.205 2,0.320 2和0.323 4,对应的吸收波长为308.57,307.33和258.35 nm,与实验值310和253 nm相近.     

N-对三氟甲基苯基-α-氨基烷基膦酸酯的合成、晶体结构及生物活性

采用活性基团拼接法将氟原子引入α-氨基烷基膦酸酯中,合成了一系列含氟芳基α-氨基烷基膦酸酯类新化合物,结构经元素分析,IR,1H NMR及MS确认.对所合成的化合物进行了抑制烟草花叶病毒(TMV)田间生物测试,结果表明,该类化合物具有良好的抑制TMV活性,其中4d化合物在0.0005%浓度下对烟草花叶病毒(TMV)防效达到了67.03%.就此对4d化合物作了单晶培养,并就晶体结构进行了X衍射分析.结构表明4d化合物分子属单斜晶系,空间群P21/c.晶胞参数a=1.1957(5)nm,b=1.0664(5)nm,c=1.5943(7)nm,α=90°,β=97.623(8)°,γ=90°,V=2.0150(15)nm3,Z=4.Dc=1.336 Mg/m3,μ=0.189nm-1,F(000)=840.     

螯合型二甘醇钛酸酯的合成及其催化性能研究

报导了两种新的螯合型二甘醇钛酸酯的合成方法，进行了ＩＲ和ＵＶ鉴定，并作为酯化反应催化剂催化合成了邻苯二甲酸二辛酯。研究了酯化反应转化率与反应时间、反应温度及催化剂用量的关系，探讨了催化剂结构与催化性能的关系。     

代铬刷镀层的耐腐蚀机理的考察

对新型的代铬刷镀层Ni-Fe-W-P-S进行了耐腐蚀性能机理的分析研究。用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、扫描隧道显微镜(STM)、X射线衍射及电子能谱(XPS)等的分析表明，基体组织为非品结构是代铬刷镀层优异耐腐蚀性的主要原因.