过电离等离子体复合升温和绝热膨胀

给出了类H—C离3d5/2-2p3/2跃迁复合机制产生X光激光的电子密度-电子温度增益目标区域，研究了电离转复合处等离子体特征、复合阶段电子密度变化规律及影响电子温度的两个主要因素：作功冷却与复合升温，并给出了这两个因素的近似表达式．     

夸克胶子等离子体中的次带头阶得拜屏蔽质量

采用实时有限温度下的QCD,考虑到胶子的衰减率计算了QGP中次领头阶得拜屏蔽质量的贡献,克服了通常计算中的红外发散的困难,且不必引入非微扰的磁屏蔽质量作红外截断.指出了所得结果的正定性和规范无关性并与格点模拟的结果进行了比较.     

MgO:Cr3+和MgO:V2+的能谱随温度移位的拟合计算

全面计入电-声子耦合导致的热移位(其中包括~2T_1贡献的单声子项,Raman项,光学支项)与热膨胀导致的热移位,对MgO:Cr~(3+)与MgO:V~(1+)的R线热移位作了理论计算,结果与热移位、热膨胀系数,高压移位、声子谱与光谱、晶体密度、弹性常数与晶格常数等大量实验数据符合得很好.进而,将完全的d~3能量矩阵对角化,得到能谱与波函数,再通过电-声子相互作用矩阵元等一系列计算,从微观上算出单声子项的参量,结果与拟合实验得到的值符合得很好.结果表明:单声子项起主导作用(导致红移),而Raman项(导致 关键词：     

多电子原子和离子的等电子系参数的研究 (Ⅰ)——k系数的引入与节点数的校正

从分析比较标准量子亏损理论与最弱受约束电子势模型理论中能量的不同表征方式出发,试引入可以反映原子(离子)体系中屏蔽效应的k校正系数。不同方次的平均值及其它计算结果表明,引入的k系数,不但使直接使用有关等电子系参数进行里德伯系性质的描述很准确,而且在一定程度上反映了这两种系列之间的区别和联系。关于价电子轨道波函数节点数的校正,亦是本文的核心内容之一。 关键词：     

Cr3+和Eu3+、Nd3+在不同基质中荧光谱线峰值的压力移动和温度移动关系间的异常

红宝石Cr3+离子的R1荧光谱线的波长随压力作线性移动为基础的压力标是目前世界上高压光学实验中最通用的测压标准.由于许多材料的低温荧光比室温时强,因此高压光学实验常常在低温下做.     

有限温度U(1)格点规范模型的高阶累积展开之研究

在N3σ×N_τ(N_τ=1)的高温格点U(1)模型中,对序参数Polyakov线〈L〉作累积展开计算到五级近似.重点在于讨论累积展开在中间耦合区的行为,从累积展开与关联长度的联系阐明在中间耦合区高阶展开的必要性.采用n级展开对零级展开的修正为零的条件定n级计算中的变分参数,结果显示,不仅在强、弱耦合区,而且在中间耦合区(除了相变点附近)都与蒙特卡罗模拟有较好的符合,随着近似级别的增高,可信的计算可以越来越逼近相变点.这可能是变分累积展开方法作为近似解析方法的一大优点.     

某些迭代矩阵谱半径的上下界及有关迭代法的收敛性

设线性方程组Ax=b,系数矩阵A=D-L-U或A=D-L-E-U,其中D非奇异。不妨设D=I,为讨论求解Ax=b的AOR法,EAOR法和TOR法的收敛性,[1—4]中分别给出了它们的迭代矩阵L_(γω)=(I-γL)~(-1)[(1-ω)I+(ω-γ)L +ωU],_(γω)=(I-γL)~(-1)[(γ-ω~2)I+ω~2U+(ω~2-γ~2)L]/γ,_(αβq)=(I-aL-βE)~(-1)[(1-q)I+(q-α)L+(q-β)E+qU],γ,ω,α,β,q∈R谱半径ρ(_γω),ρ(_γω)和ρ(_γω)的上下界,[5]曾就一般迭代矩阵M(-1)N的谱半径ρ(M_(-1)N)的上下界,给出了下列结果:     

有矩形脉冲内热源的平板中非傅里叶导热研究

 对矩形激光短脉冲能量以内热源形式在有限厚绝热平板内释放所导致的非傅里叶导热过程进行了理论研究，利用格林函数与有限积分变换方法求得了绝热平板内温度分布的解析解,分析了平板内热波传播与反射行为以及温度场的特征。研究结果表明，温度波动频率取决于平板厚度和材料的热弛豫时间，而其幅值则与内热源释放区域的大小和脉冲宽度的长短有关。     

Dehydroaromatization of Methane with a Small Amount of Ethane for Higher Yield of Benzene

The dehydroaromatization of methane was investigated with addition of a few ethane. A high benzene yield was achieved at a higher space velocity. The addition of CO2 could improve the stability.     

温度对纳米ZnO膜电学光学性质影响的研究

关键词：