具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

电阻温度系数的微机测定系统

本文介绍一种电阻温度系数微机测定实验的系统。     

突体剖面线型的流噪声机理分析和试验研究

本文在分析突体马蹄涡和湍流脉动压力特性的基础上，在中国船舶科学研究中心０３Ｂ水筒，试验比较了不同剖面线型的突体模型流动噪声，降噪效果３－５ｄＢ，提出了突体部面低噪声设计的实验依据和具体方法。     

紫膜（BR）水溶液共振Raman光谱的温度相关性

本文报道了ＢＲ水溶性Ｒａｍａｎ光谱的温度相关性及吸收光谱变化。讨论了导致光谱变化的热诱导引起的结构变化。     

退火温度对钙钛矿型氧化物La0.68Pb0.32FeO3的结构及其乙醇气敏性能的影响

采用sol—gel法，分别在不同温度下退火2h，制得一系列纳米氧化物La0.68Pb0．32FeO3粉体，并测定了该材料对乙醇的气敏性能。随退火温度的升高，所得样品逐渐向单一钙钛矿结构转化。应用Scherrer公式对退火温度分别为200，400，600，800，1000℃的样品粒径进行了计算，样品粒径依次为11．5，13．6，16．4，20．0，25．3nm。这说明，随着退火温度的升高，样品粒径逐渐增大。对乙醇气敏性能的测定结果表明，随退火温度的升高，材料对乙醇的最佳灵敏度先升高、又降低，退火温度为800℃的样品最佳灵敏度达到51．7。     

跳浓弛豫法研究钇与DBC-偶氮氯膦配位反应

推荐一个用跳浓弛豫法测定钇与DBC 偶氮氯膦配位反应的表观速率常数的实验 ,该实验方法和原理简单 ,知识内容丰富 ,可以提高学生学习物理化学的兴趣 ,加深学生对快速反应课堂教学内容的理解和基本概念的掌握     

晶化温度对中孔分子筛（M41S）结构转变的影响

在低表面活性剂浓度及低表面活性剂与氧化硅比的条件下，研究了十六烷基三甲基溴化铵－硅酸钠体系中晶化温度对中孔分子筛Ｍ４１Ｓ材料结构转变的影响。结果有，晶化温度提高至１３５℃改变了原六方晶相ＭＣＭ－４１的结构，晶化温度提高到１５０℃后，中孔结构六方ＭＣＭ－４１晶格转变为变不稳定的层状相，     

Ar—Kr溶液扩散系数的分子动力学模拟及其与温度的关系

用分子动力学模拟方法研究确定Ａｒ－Ｋｒ溶液的自扩散系数Ｄ１、Ｄ２和互扩散系数Ｄ１２以及它们随温度变化的规律。结果表明，分别用Ｇｒｅｅｎ－Ｋｕｂｏ法和Ｅｉｎｓｔｅｉｎ法得到的扩散系数在数值上一致；该溶液的３种扩散系数均满足Ｄ＝Ｄ０ｅ＾Ｅ／ＲＴ关系。