光电编码器温度漂移与补偿方法

本文对光电编码器的温度漂移与补偿问题进行了讨论.在理论分析与实验的基础上,提出了一种理想的温度补偿方法.     

四个麦芽品质性状的杂种优势和相关分析

本文对四个主要麦芽品质性状—a一淀粉酶活力、麦芽汁粘度、麦芽汁色度和搪化力进行了杂种优势和相关分析.(1)相对优势结果表明，在84个组合次中，呈正向优势的46个，占54.76男，负向优势34个，占40.48男，无显性4个，占4.75男;(2)四个品质性状的中亲优势平均值分别为一6.117、一9.965 40.452和一。.545s a-淀粉酶活力和糖化力的超高亲优势分别为一14.578和一8.201,麦芽汁粘度和色度的超低亲优势分别为5.442和70.455.四个性状杂种优势的变异系数均很大.(3)麦芽汁色度的F，对MP的回归系数(B)和相关系数(r)均达显著水平，分别为。..43和0.50，麦芽汁粘度的相关系数达显著水平，为一。.45,其余均未达显著水平，(4)除麦芽汁色度性状外，另三个性状的中亲优势、超亲优势和特殊配合力的相关均达显著或极显著水平.(5)四个麦芽品质性状间的相关结果表明，仅有a-淀粉酶活力和麦芽汁粘度间呈极显著负相关(r=一0.56').最后，文章根据实验结果，就啤酒大麦麦芽品质改良的遗传育种及其杂种优势应用进行了初步讨论.     

一些高Tc超导体的弹性性质

 本文用超声相比较方法测定了高T_c超导体La_1.85Sr_0.15CuO₄，La₂CuO₄和YBa₂Cu₃O₇的纵波和横波声速，进而导出了它们的纵向模量、切变模量、杨氏模量、泊松比、德拜温度及定体比热。在La_1.85Sr_0.15CuO₄样品上，还进行了压力实验，发现所有弹性模量都是随压强增加而增加。定体比热c_V和泊松比σ在高压下则略有下降。德拜温度是随压强增加而增加的。     

关于双重时序AR-MA模型的相关结构及与ARMA模型的比较

本文在文［４］的基础上讨论了双重时序ＡＲ（１）－ＭＡ（ｑ）模型的相关结构，在不假定白噪声序列为正态的情况下，证明了安鸿志［２］关于模型的相关结构的猜想是正确的，具体地构造了ＡＲ（１）－ＭＡ（３）模型的相关结构，并与ＡＲＭＡ模型进行了初步的比较，给出了一些抛砖引玉的讨论．     

荧光光纤温度传感器激励光源的选择

本文分析计算了荧光光纤温度传感器的温敏元件——GsAlAs/GaAs双异质结半导体材料的荧光辐射效率与激励光波长的关系。讨论了温度测量范围及温敏元件GaAlAs层铝含量对激励光源的限制,在0～200℃测温范围内,若采用LED作激励光源,其峰值波长应在0.70～0.76μm之间选择。     

Method for vessel attitude estimation by spatial correlation function for bottom reverberation

Under the assumption that the sea bottom is an almost-flat and randomly rough thin layer, a spatial correlation model for bottom reverberation is constructed. At high signal noise ratio, the phase of the spatial correlation function is the product of sound wave number and the vertical vector between two hydrophones. In a nominally horizontal plane, roll and pitch bring on the vertical vector between the hydrophones. Then an equation including roll, pitch and the phase of the spatial correlation function is found. If a parallelogram can be constructed by 3 hydrophones and the rat ios of its acreage to diagonals are not smaller than half of the wavelength, roll and pitch can be obtained analytically or by optimal method. However, the ranges of roll and pitch are restricted because of the phase ambiguity. Using Fisher information matrix, the Cramer-Rao lower bound is obtained. Results from computer simulation and sea test data prove the feasibility of the method.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

电阻温度系数的微机测定系统

本文介绍一种电阻温度系数微机测定实验的系统。     

韧性金属裂纹尖端损伤区内应变场测量——数字散斑相关法应用

本文用数字散斑相关方法测量了五种不同幂硬化指数韧性金属材料(铝和铜),双边裂纹尖端细观区域内应变场.对所得结果用韧性损伤模型进行了分析.在此法中以金属自然表面结构为散斑场,不同加载状态的散斑场进行比较,得到相对变形与应变.图象之间相关性 C 是变形参数或是位移及其导数的泛函.使其相关性 C 取最大值的试凑变形即为其真实变形场.这一方法在细观测量中应用得到满意的结果.