全文获取类型
收费全文 | 3938篇 |
免费 | 1027篇 |
国内免费 | 952篇 |
专业分类
化学 | 1272篇 |
晶体学 | 119篇 |
力学 | 595篇 |
综合类 | 168篇 |
数学 | 1784篇 |
物理学 | 1979篇 |
出版年
2024年 | 37篇 |
2023年 | 111篇 |
2022年 | 157篇 |
2021年 | 151篇 |
2020年 | 93篇 |
2019年 | 131篇 |
2018年 | 89篇 |
2017年 | 145篇 |
2016年 | 150篇 |
2015年 | 183篇 |
2014年 | 333篇 |
2013年 | 259篇 |
2012年 | 247篇 |
2011年 | 283篇 |
2010年 | 302篇 |
2009年 | 330篇 |
2008年 | 308篇 |
2007年 | 258篇 |
2006年 | 257篇 |
2005年 | 241篇 |
2004年 | 224篇 |
2003年 | 209篇 |
2002年 | 156篇 |
2001年 | 168篇 |
2000年 | 133篇 |
1999年 | 118篇 |
1998年 | 120篇 |
1997年 | 98篇 |
1996年 | 87篇 |
1995年 | 97篇 |
1994年 | 90篇 |
1993年 | 80篇 |
1992年 | 83篇 |
1991年 | 72篇 |
1990年 | 47篇 |
1989年 | 42篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 9篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有5917条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
建立了不生产^239Pu的惯性约束矣变混合是可行的。我们使用BISON程序计算了200MW电站主要特征量随时间的变化,计算结果表明裂变包层并不总是次临界的。讨论了即维持高的功率输出又能避免超介的办法。 相似文献
72.
73.
苯对N,N-二甲基甲酰胺化合物1H NMR的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了N,N-二甲基甲酰胺(DMF)在四氯化碳和苯混合溶剂中的1H NMR。观察到N,N-二甲基甲酰胺(DMF)分子中两个甲基和混合溶剂中苯的共振吸收峰的化学位移随苯的摩尔分数增加而逐渐移向高场,而且两个甲基共振吸收峰向高场移动的程度不同,α甲基较β甲基为甚。DMF分子中两个甲基和混合溶剂中苯的化学位移可以用线性方程表示(δ=A+Bx),这里x是混合溶剂中苯的摩尔分数。相关系数R接近于-1。 相似文献
74.
针对90t RH精炼装置,以水力学模拟研究了吹气孔直径对真空循环精炼过程中钢液流动和混合特性的影响.模型和原型的相似比为15.模型吹气孔直径分别为0.8 mm和1.2 mm.结果表明,1.2 mm孔径下环流量和主要工艺参数间的关系为Ql Q80.26Du0.69Dd0.80;在给定的吹气量和插入管内径下,增大吹气孔直径并不显著改变精炼过程中钢液流动特征,环流量随吹气孔直径的增大而略有增大,其关系式为Ql=2.40Q 0.23gD0.72u D0.88d d0.13in;相应地,混合时间稍有缩短;0.8和1.2 mm孔径下,τm与搅拌能密度的关系分别为τm ε5和τm ε0.49. 相似文献
75.
我们用最近研制成功的LMA型低频力学谱测试系统对NiTi合金马氏体相进行了在很大频率范围内(0.003~1Hz)的低频等温力学谱和温度谱的测量.我们研究的形状记忆合金NiTi(Ni 50.2 at%)试样长34 mm,直径1 mm细丝.经一定热处理,分别在333 K. 343 K和353 K做了内耗随频率的变化的测量.实验表明:频率越小,内耗越大,也就是内耗随频率减少而增大.同时我们采用阶梯升温的方法在八个温度下每个温度测量三种频率(1 Hz, 0.1 Hz, 0.01 Hz)的内耗,结果清楚地表明:不同频率下,内耗峰都出现在372 K(99℃).而且频率越低,峰高越高.这是具有相变峰的特点:相变峰的峰温不随测量频率不同而变化,相变峰高度随频率减少而增大.我们还测量了在1 Hz与0.5 Hz频率下内耗随温度的变化.本文用马氏体相的位错理论初步讨论了上述实验结果. 相似文献
76.
77.
78.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
79.
倪仁兴 《浙江大学学报(理学版)》2007,34(1):1-6
研究了Banach空间中含k-次增生映射和φ-强增生映射的一类无紧性条件的广义拟变分包含解的存在惟一性与逼近问题,给出了一新的迭代算法和具混合误差的ishikawa迭代序列强收敛到变分包含解的充要条件,所得的结果改进和推广了近期许多相关结果. 相似文献
80.
在这一报告中将报告我和BABU教授合作的在hep-ph/0507217一文中有关中微子混合研究结果. 目前中微子实验数据所决定的混合角可归结为几何混合状况:sin2θ12=1/3,sin2θ23=1/2, 和sin2θ13=0. 我们在这一工作中建立了能实现这一几何混合的可重整化模型. 模型以非阿贝尔非连续群A4为描述中微子不同代混合的对称性. 这类模型对中微子质量有很强的限制. 而且能很自然地由轻子数破坏产生重子不对称的实验观测值. 很有趣的是这类模型中出现在轻子不守恒和无中微子双beta衰变中的相位是一样的. 相似文献