分形概念及其在材料科学中的应用

本文首先结合几个数学构造分形的例子介绍分形概念，然后对分形在材料科学中的应用作了简要介绍，主要包括：粉体生长中的分形、断裂面的分形、离子注入等非平衡方法产生的分形、表面分形、无机材料中的分形、自旋玻璃中的分形．     

液氮下工作的薄膜biPbSrCaCuO dc SQUID

利用电阻加热、单源混合分层蒸镀方法制备的 Bi PbSrCaCuO 超导薄膜,研制成功带双桥结的单圆孔的直流超导量子干涉器(dc SQUID).这些 dc SQUID 在78K 呈现出完全的周期性磁通响应的电压特性.在无屏蔽条件下,0—1Hz 频率范围内,78K 的磁通噪声的典型值为1.7×10~(-3)φ_0/(Hz)~(1/2),相应的能量分辨率为3.6×10~(-26)J/Hz.同时,我们发现了无偏置电流下的可以锁定的磁通响应的电压二次谐波现象,此现象尚未理解清楚,但它与 dc SQUID的 I—V 特性形状有密切关系,并对其进行了探讨.     

反气泡的形成与崩溃

比利时的物理学家使用高速摄像机首次观察到液体中“反气泡”的形成、运动和崩溃过程(DorboloSetal.NewJ.Phys .,2 0 0 4 ,5 :1 61 ) .众所周知,气泡是一球形的液体薄膜,里面包着空气,外面又被空气包围着.而反气泡,顾名思义,则是一球形的空气壳,里面包着液体,外面又为液体所包围.在液体中气泡会升到液面上来,而反气泡则沉到液体底部.比利时Liege大学的StephaneDorbolo等缓慢地将肥皂水倒入一个装有同样肥皂水的玻璃容器中.他们观察到在液面下产生了一注液体小球,然后,这注小球破裂成一系列反气泡.反气泡存在了两分钟之久.反气泡崩溃的方…     

超磁致伸缩材料国际会议情况介绍

日本高科技协会，于1996年11月6日-8日在美国夏威夷火努鲁鲁的日本东海大学太平洋中心组织召开了稀土超磁致伸缩材料基础和应用研究的国际会议．超磁致伸缩材料GMM（GiantManetostrictiveMa．tenals）为稀土元素钛Tb（Terbium）、镐Dy（DysPro－sium）和铁Fe的合金化合物，其基     

椭偏法测膜厚的直接计算方法

改进了椭偏法测薄膜折射率和膜厚的迭代计算方法，由测量得到的起偏角A和检偏角P直接算出薄膜折射率和膜厚．     

第二讲 高温超导约瑟夫森结技术及其应用

高温超导约瑟夫森结技术近年来发展很快，特别是台阶结、双晶结、双外延结、边缘结和邻近效应结等性能已达到实用水平，并应用于超导量子干涉器件、数字信号处理和高频有源器件中。文章介绍了这些结的技术和有关的应用。     

Effect of Substrates on CuInSe2 Nanoparticle Thin Films by Radio Frequency Reactive Sputtering

CuInSe2(CIS) nanoparticle thin films have been prepared by radio frequency reactive magnetron sputtering from compound ternary fan-shaped targets on low-temperature substrates with pure argon gas as the atmosphere.The stoichiometry of the ternary compound semiconductor quantum dots can easily be controlled by the ratios of the ternary elements and sputtering parameters.CIS nanoparticle thin films regularly shaped and distributed reasonably uniform in size on substrates of 7059 glass etc can be grown in this way.The average particle diameter can be varied between 40-80 nm by an appropriate choice of the substrate temperature,power density and total CIS coverage.the optical and electrical properties of the CIS films have also been studied.     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。     

激光致晶态Ag11In12Te26Sb51相变介质光学常量的研究

研究了结晶度对Ag11In12Te26Sb51相变薄膜光学常数的影响。用初始化仪使相变薄膜晶化，改变晶化参量得到不同的结晶度，当转速固定时，随激光功率的增加，折射率基本随之减小，消光系数先是增大，而后减小；当激光功率固定时，随转速的增大，折射率也随之增大，消光系数也是先增大后减小。非晶态与晶态间的变换、薄膜微结构的变化（包括晶型的转变和原子间键合状态的变化）以及薄膜内残余应力的影响Ag11In12Te26Sb51相变薄膜复数折射率的主要原因。测量了单层膜的透过率和CD－RW相变光盘中Ag11In12Te26Sb51薄膜非晶态和晶态的反射率。