低钴AB5型稀土系贮氢电极合金的研究

为了进一步降低AB5型混合稀土系贮氢合金的成本,采用Cr,Si,Cu替代Co和调节化学计量比的方法制备低钴AB5型贮氢合金。结果表明:3种取代元素在寿命方面的效果依次为Si>Cr>Cu,在放电容量和活化性能方面依次是Cu>Cr>Si。Cr,Cu,Si只有少量的替代才可能发挥其有利影响;通过非化学计量比的调节,低钴混合稀土系贮氢电极合金的放电容量、活化性能及倍率放电能力都能较好地达到实用要求,但是循环寿命有待提高。     

N,N-二甲基甲酰胺中电沉积制备镁镍储氢合金

采用恒电位沉积法, 选用适宜的添加剂和络合剂, 成功地从N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中沉积出致密的黑色Mg-Ni储氢合金膜. 并初步探讨了其共沉积机理. XRD显示沉积层中含有非晶态Mg-Ni相和微晶态Mg相. SEM图及相应能谱图分析表明合金颗粒以团聚状态存在, 合金成分不是很均匀. AAS分析表明沉积合金中Mg的原子摩尔分数达27.3%. LAND电池测试系统测得所镀合金膜的放电比容量最高为172.4 mAh/g.     

混合稀土对共晶Al-2%Fe合金组织形态的影响

研究了富La混合稀土对共晶Al-2?合金组织形态的影响. 当混合稀土加入量较少时, 合金中的α-Al相为明显的胞状枝晶;随着混合稀土加入量的增加, α-Al枝晶优先形核生长得到抑制, 共晶Al3Fe相得到细化;当稀土加入量增至0.6% (质量分数)共晶Al3Fe相尺寸逐渐增大. 并对混合稀土对共晶Al-2?合金组织形态的影响机制进行了探讨.     

粉末化学镀法制备的NiB／TiO2非晶态合金催化剂对环丁烯砜加氢反应的催化性能

 采用诱导沉积法及粉末化学镀法分别制备了纯态NiB及负载型NiB／TiO2非晶态合金催化剂．用XRD，ICP，SEM，TEM和DSC等手段对催化剂的物性及TiO2载体与NiB非晶态合金之间的相互作用进行了表征，考察了非晶态合金的结构、组成、形貌和热稳定性，并将其用于环丁烯砜加氢反应中．结果表明，相对于NiB而言，NiB／TiO2催化剂具有优良的热稳定性和催化活性，这缘于NiB和TiO2载体之间的相互作用及载体的分散作用．     

钴(Ⅱ)与5-(5-硝基-2-吡啶偶氮)-2,4-二氨基甲苯络合物吸附波及其应用

钴 (Ⅱ )在NH3·H2O -NH2OH·HCl-5_(5_硝基_2_吡啶偶氮)_2,4_二氨基甲苯体系中有一灵敏的极谱波 ,其峰电位Vp 为 -1.20V(vsSCE) ,钴质量浓度在0.25～25μg/L范围内与峰电流Ip′有良好的线性关系 ,检出限为0.12μg/L;经多种电化学方法证明该波为络合物吸附波 ,其电极过程为不可逆过程 ,电子转移数为2 ,此外还试验了多种离子对峰电流Ip′的影响;所拟方法已用于维生素B12 和模拟样中痕量钴的测定     

热缓冲剂对稀土贮氢合金吸氢动力学的影响

以铜粉作为热缓冲剂添加到稀土贮氢合金粉中,应用动力学机理函数计算机拟合的方法,研究了ML(NiCoMnAlCu)5和Mm(NiCoMnAlCu)5(ML为富镧混合稀土金属,Mm为富铈混合稀土金属)在α+β相区恒温吸氢动力学.研究结果表明,当铜粉与贮氢合金粉达到一定比例时,能够消除热传导对吸氢动力学的影响.富铈稀土合金和富镧稀土合金吸氢均受氢在β相的内扩散控制,合金中随La/Ce比例的减小,吸氢速度加快.     

Cu-Pd合金相稳定性的研究

应用伦琴射线、透射电镜、电子衍射、热分析、电阻等方法研究了Cu-Pd合金的相稳定性. Cu-Pd固溶合金在低温下的有序-无序转变属于Spinodal有序分解. 在300 ℃分解初期普遍存在位错和孪晶, 它们阻碍了原子的规则排列, 从而出现短程有序和伪孕育期反常现象, 使合金处于亚稳定状态. 随着热处理时间延长, 这些晶体缺陷逐渐消失, 最终形成稳定的长程有序相α″和β.     

从氨性柠檬酸溶液中电沉积Ni-Mo的机理研究

含钼大于约27％（质量分数）Ni－Mo合金，具有较高的耐蚀性，特别是在盐酸和硫酸溶液中，其耐蚀性优于SUS304不锈钢［1］．因此，人们对该种合金的电沉积进行了广泛的研究［1－4］．对合金共沉积机理也作了一定的研究．一般认为，钼不能单独进行电沉积，但它可以同铁族元素共沉积［5］．对钼与铁族元素的共沉积机理，人们已提出了几种假设．一般认为［3］，钼可能是多步还原，即六价钼首先被电化学还原成低价钼化合物，而后由吸附在诱导金属（铁族元素）上的原子氢进一步还原成合金中的零价钼，为了进一步弄清Ni－Mo合金的共沉积机理，本…     

X光电子能谱分析中光电子峰和俄歇峰的干扰及消除

X光电子能谱(XPS)在分析多元素材料时,光电子峰可能受到其它元素俄歇谱的干扰.在AlKα激发CrZnSi合金样品时,光电子峰Cr2p和俄歇峰ZnLMM相互干扰,而换用双阳极中的MgKα源激发,虽可消除此相互干扰,但样品表面的Cls和Nls又会受到ZnLMM干扰.类似地,AlKα激发的GaN样品中Nls受俄歇峰GaLMM的严重干扰,而换用MgKα源激发时,Cls峰又受到的GaLMM的干扰.交替使用Mg/Al双阳极激发源,可改变XPS分析中的俄歇谱及其背景对光电子峰的干扰位置,并用未受干扰的峰互相校正2组谱图能量位置,以对样品谱峰作出正确的分析.