吸收层成份比例对CIGS太阳电池性能的影响

本文利用传统的共蒸发三步法制备了CIGS薄膜及电池器件,通过X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)、Hall测试仪、太阳光模拟器I-V曲线测试等方法,研究了Cu和Ga元素比例的不同对电池二极管特性及效率的影响,获得了Cu/(In+ Ga)比值为0.89～0.93、Ga/(In+ Ga)比值为0.29～ 0.33是制备高效电池的理想范围的结论,并分析了偏离理想成份范围的电池性能下降的原因.最后通过工艺优化,制备出理想成份范围内的高质量CIGS薄膜,获得了15.27;的高转换效率电池.     

中红外激光晶体Er∶YSGG的生长及LD泵浦的激光性能

采用提拉法成功生长出了Er∶ YSGG晶体.吸收光谱分析表明Er∶ YSGG晶体在967.5nm有较强的吸收峰和较宽的吸收谱带.采用966nm半导体激光器泵浦YSGG/Er∶YSGG复合激光晶体元件,实现了2.796 μm的连续激光输出,最大输出功率439 mW,相应的斜率效率为12.5;,光光转换效率为10.6;.     

新型LD泵浦振荡器与多程放大系统联机实验

 新型LD泵浦振荡器采用环形结构，具有单纵模几率高、时间波形和幅度高度稳定等特点，这些特点使其与多程放大器的联机非常方便，没有系统多脉冲注入破坏风险和能量不稳破坏风险。联机实验取得了显著成果，输出能量达1.252kJ，是当前国内固体激光器单束输出最高能量，此时输出脉冲脉宽为1.26ns，光束口径为20cm×20cm，平均功率密度达2.5GW/cm²。     

Motion of a spherical particle in a fluid forced vortex by DO M and DTM

In this study, coupled equations of the motion of a particle in a fluid forced vortex were investigated using the differential transformation method （DTM） with the Pad6 approximation and the differential quadrature method （DO_M）. The significant contribution of the work is the introduction of two new, fast and efficient solutions for a spherical particle in a forced vortex that are improvements over the previous numerical results in the literature. These methods represent approximations with a high degree of accuracy and minimal computational effort for studying the particle motion in a fluid forced vortex. In addition, the velocity profiles （angular and radial） and the position trajectory of a particle in a fluid forced vortex are described in the current study.     

第13届亚洲物理奥林匹克竞赛实验试题简介

第13届亚洲物理奥林匹克竞赛的2道实验试题为"摩擦系数"和"电磁感应".本文较全面地介绍了试题内容并给出了解答.     

Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池二极管特性的研究

本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数.在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复合主要发生在PN结区内.量子效率分析表明,不同效率的CIGS电池在短波区(λ<520 nm)的光谱响应相差不大,而在长波区(520～1100 nm),低效率电池存在很大的吸收,这是由低质量的CIGS吸收层造成的.这进一步验证了光-暗态J-V曲线的分析结果,即高质量的吸收层是制备CIGS电池的关键.     

Novel deep—submicron x—ray lithography process for T—shaped gate patterns

The growing interest in the use of Gallium Arsenids semiconductor materials has presented many opportunities for device operational speed improvements but has also presented many problems for the device maker,A novel deep-submicron x-ray lithography process for T-shaped gate patterns useful for high-electron-mobility transistors(HEMT) is introduced in this work.In the fabrication of T-shaped gate a therr layer resists method is used.The x-ray exposure experiments were finished by Beijing Synchrotron Radiation Facility(BSRF) 3B1A beamline,and good result has been obtained.     

“黑盒子”实验中的电容器

以物理竞赛实验试题为例,讲述了黑盒子实验中电容器元件的判断方法。     

涡流检测中识别缺陷形状的一种新方法

涡流检测反演技术是一种非常重要的反演缺陷形状尺寸的无损检测方法．运用Dirichlet边界条件下涡流检测反演的远场区域导数,构造了反演缺陷形状的一种新算法,并且给出了二维及三维的算例,数值反演的结果与实际缺陷吻合得较好．从而说明了:对较小的波数,即使用较少的入射和观测方向的远场测量信息,亦可得到未知缺陷形状的一个合理的重构,算法是可行的、正确的．     

HT-7托卡马克低杂波天线的涡流及电磁力分析

用有限元方法详细分析并计算了HT 7超导托卡马克等离子体实验装置上低杂波天线壁上的涡流分布、感应磁场位形和天线所受电磁力.针对难以求解的磁场耦合问题,采用了新的迭代算法.具体的分析方法和计算结果对于研究复杂电磁环境下金属板上的涡流及其所受电磁力的分布具有一定的借鉴价值.