偏轴圆柱形电容器的电场及其耐压能力

利用分式线性变换分析偏轴圆柱形电容器内的电场分布,通过数学软件MATLAB绘制出其电场线和等势线图,并研究其耐压能力.研究结论不仅能解决该电容器电场的计算问题,分析其内部电场分布规律,而且还可为一般的圆柱形电容器的加工制作精度提供理论依据,对提高圆柱形电容器的质量,定量计算实际生产中出现的工艺偏差具有一定的参考价值.     

非线性柱形涂层复合介质有效的直流-交流电响应

利用摄动展开方法, 研究了由圆柱形带涂层杂质随机嵌入基质所形成的非线性复合介质在外加 的带有不同频率和振幅的混合电场E₀ + E₁ sinωt+E₃ sin3ωt作用下有效的直流-交流电响应, 分别推导了复合介质在杂质核、涂层及基质区域的电势分布, 并在低杂质浓度下给出了复合介质有效的非线性响应及它们之间的关系. 关键词： 非线性柱形涂层复合介质 有效的非线性响应 外加交直流电场     

外电场辅助化学气相沉积方法制备网格状β-Ga2O3纳米线及其特性研究

利用外电场辅助化学气相沉积（CVD）方法,在蓝宝石衬底上制备出了由三组生长方向构成的网格状β-Ga₂O₃纳米线.研究了不同外加电压大小对β-Ga₂O₃纳米线表面形貌、晶体结构以及光学特性的影响.结果表明：外加电压的大小对样品的表面形貌有着非常大的影响,有外加电场作用时生长的β-Ga₂O₃纳米线取向性开始变好,只出现了由三组不同生长方向构成的网格状β-Ga₂O₃纳米线;并且随着外加电压的增加,纳米线分布变得更加密集、长度明显增长.此外,采用这种外电场辅助的CVD方法可以明显改善样品的结晶和光学质量.     

高温超导电缆终端预制式应力锥的设计与分析

高温超导电缆终端是高温超导电缆系统的重要组成部分。借鉴常规电缆终端预制式应力锥的设计理论,结合高温超导带材的特殊工作特性,选用耐低温的绝缘材料,对高温超导电缆终端预制式应力锥进行设计。运用有限元分析软件ANSYS对设计的高温超导电缆终端预制式应力锥进行建模和仿真计算,得到终端处的电场和电位分布,并将仿真结果和理论计算结果进行对比分析,验证设计的可行性,为进一步的研究奠定了基础。     

High-voltage SOI lateral MOSFET with a dual vertical field plate

A new silicon-on-insulator(SOI)power lateral MOSFET with a dual vertical field plate(VFP)in the oxide trench is proposed.The dual VFP modulates the distribution of the electric field in the drift region,which enhances the internal field of the drift region and increases the drift doping concentration of the drift region,resulting in remarkable improvements in breakdown voltage(BV)and specific on-resistance(Ron,sp).The mechanism of the VFP is analyzed and the characteristics of BV and Ron,spare discussed.It is shown that the BV of the proposed device increases from 389 V of the conventional device to 589 V,and the Ron,sp decreases from 366 m·cm2to 110 m·cm2.     

感生电场与动生电场的等效性探究

本文认为在感生电场的情况下,磁场的强弱变化可以引起磁场自身的横向运动,使得线圈中电子相对于磁场发生运动,从而等效为一个动生电场,受到洛伦兹力的作用.借助磁感线模拟磁场的运动方式,得到圆形回路中任意一点与磁场相对运动速度的表达式,进而推得该＂等效动生电场＂中的洛伦兹力.以螺线管为例,验证该方法可以解释感生电场所满足的规律.将感生电场与动生电场的产生原因统一为导体中电子与磁场的相对运动,相应电动势的非静电力统一为洛伦兹力.     

铁磁金属薄膜磁性的电场调制

文章主要介绍了Science上发表的Weisheit M 等人利用外加电场调制铁磁金属薄膜磁性的实验工作,该工作所用的实验方法简单、有效,为人们改变金属磁性开辟了一条崭新的道路,有序合金FePt和FePd具有垂直的磁晶各向异性,将它们置人碳酸丙烯脂的电解液中,利用铁磁薄膜和液体接触面形成的双电层电容结构,可以在样品表面产生很大的电场,从而可以调控金属薄膜费米面附近未成对的d电子的态密度.由于费米面附近电子填充数的变化,铁磁薄膜的磁晶各向异性也会受到调制,实验结果表明,-0.6mV的电压变化会导致厚度为2nm的FePt和FePd合金的矫顽力分别减少4.5%和增加1%,这是第一次观测到电场调控金属薄膜磁性的实验工作.     

Topological aspect of Chern--Simons p-branes

By generalizing the topological current of Abelian Chern--Simons (CS) vortices, we present a topological tensor current of CS p-branes based on the \phi -mapping topological current theory. It is revealed that CS p-branes are located at the isolated zeros of the vector field \phi(x), and the topological structure of CS p-branes is characterized by the winding number of the \phi-mappings. Furthermore, the Nambu--Goto action and the equation of motion for multi CS p-branes are obtained.     

外加电场对掺杂KNSBN晶体空间电荷场的影响

利用掺铈KNSBN晶体,在633nm下观察和测试了外加电场对晶体内部空间电荷场的基频和高阶分量的记录和擦除特性的影响,并对所得实验结果进行了分析。 关键词：     

电场中LiF分子吸附H_2的理论研究

采用密度泛函理论方法研究了电场中H_2在LiF分子上的吸附行为.结果表明,无电场时,H_2能在Li与F原子上形成弱的物理吸附.外加电场可显著提高其吸附强度, H_2在Li/F上的吸附能由无电场时的-0.112/-0.122eV提高到场强为0.005 a. u.时的-0.122/-0.171 eV, H_2吸附在F上时更稳定.利用分子中的原子量子理论(QTAIM)方法研究了电场增强吸附的机理,表明电场促进了H_2与LiF间的电荷转移,同时使LiF及H_2极化,增强了其间的静电作用,从而提高了吸附强度.电场中LiF最多能吸附10个H_2,相应的质量密度达43.5 wt%.表明电场诱导LiF材料吸附H_2是一种具有潜力的储氢方法.