浅调制下双二波混频：I.内部空间电场

互不相干的两对相干光束同进作用于一块光折变晶体，在小调制的情况下（即晶体对光强的反应是线性的）依然会了明显的空间频率为两个基频的组合的内部宽间电场分量，本文从基本的Ｋｕｋｈｔａｒｅｖ方程组出发，把电场和电子数密度直接分解为组合频率的傅里叶分量，以解析解的形式给出了空间频率分别为Ｋ１－Ｋ２，Ｋ１＋Ｋ２，２Ｋ１和２Ｋ２的电场分量，数值解表明在一定条件下这些高频和组合分量很大且不可忽视。     

也谈均匀带电球面上的电场强度

指出在求解均匀带电球面上电场强度问题时存在的一种困惑，并给出避免困惑的几种不同的论证和求解方法．     

导体球壳上感应电荷及空间电场的分布(2)

本文利用镜象法讨论了在不接地导体球壳附近有点电荷时，空间的电场分布和球壳表面上感应电荷的分布。     

高温超导体电场穿透对电子能谱的影响

高温超导体在场致发射时伴正常态部分的空穴的产生，会出现非平衡现象。这引起超导体电子平衡态的化学势偏移，增加了外电场在ＨＴＳＣ材料体内的穿透深度，使导带底弯曲引起超导体场致发射电子能谱的改变。     

电场作用下紫膜中细菌视紫红质的圆二色性研究

垂直于测量光束的外电场对紫膜水悬浮液中的细菌视紫红质的圆二色性有很大影响。５０Ｈｚ正弦交流电场作用下产生５６８ｎｍ的正的差圆二色性峰，反向电脉冲串作用下产生５５６ｎｍ左右的负的差圆二色性峰，两峰峰位均未显示有随电压的变化而移动；但是，强度随外加电压的半加而增强；撤去电场后该两峰均即该消失。分析认为，电场下细菌视紫红质中存在柔性结构变化，这种结构变化也可用于存储信息。     

关于原子核的电四极矩

 一、原子核的电四极矩原子核的内禀电四极矩,来源于核电荷的非球形分布,一般可用并矢或(3×3)二秩不可约张量表示。如果选择核自旋轴I(沿z轴)为核电四极矩主轴,由于核对自旋轴的旋转对称性,电四极矩仅有一个独立分量,称为标量电四极矩.     

稳定平面涡旋的存在性

稳定平面涡旋由相应的Ｓｔｏｋｅｓ流函数所决定，而Ｓｔｏｋｅｓ流函数满足一个自由边值问题。本文在涡强函数是次线性增长的条件下，证明相应的自由边值问题的存在性。     

基于深度相位估计网络的涡旋光束相位校正

大气湍流会引起涡旋光束（VB）的相位畸变和模态扩散,造成湍流介质中通信性能下降。提出基于深度相位估计网络的拉盖尔-高斯（LG）光束相位补偿方法,以提高模态检测准确度,即通信的可靠性。分别利用使用和不使用高斯光作为探测光束两种方案进行学习,在光强图像与大气湍流引起的扰动相位之间建立映射关系,在接收端依据接收到的光强图像,预测湍流引起的扰动相位并进行相位校正。结果表明,所提深度网络能够较准确地实现相位预测,经补偿后,光束模态纯度达到95%以上,补偿后光强图像与发送端光强图像之间的均方误差明显减小。     

In0.83Al0.17As倍增层对In0.83Ga0.17As/GaAs雪崩光电探测器的特性影响

倍增层对雪崩光电探测器内部载流子的碰撞电离至关重要,因此,采用三元化合物In_0.83Al_0.17As作为倍增层材料,借助器件仿真工具Silvaco-TCAD,详细探究了In_0.83Ga_0.17As/GaAs雪崩光电探测器的倍增层厚度及掺杂浓度对其内部电场强度、电流特性和电容特性的影响规律。研究表明,随着倍增层厚度的增加,器件的电场强度和电容呈减小趋势。同时,倍增层掺杂浓度的增大会引起电容和倍增层内的电场强度峰值增加。进一步研究发现,随着倍增层厚度的增加,器件的穿通电压线性增大,击穿电压先减小后增大,但倍增层掺杂浓度的增加会引起器件击穿电压的减小。此外,用电场分布和倍增因子的结合解释了器件穿通电压与击穿电压的变化。     

引力形状因子的介质修正

将引力形状因子推广到了手征费米子的情形,并由此给出了熟知的自旋-涡旋耦合.计算了量子电动力学等离子体中引力形状因子的辐射修正.发现形状因子中存在两个结构对费米子在涡旋场中的散射振幅有贡献,其中之一来自于费米子的自能修正,指向介质中自旋-涡旋耦合的压低;另一结构来自于对引力子-费米子顶点的修正,这一修正不能解释为势能,而是对应初末态的跃迁矩阵元.两个结构均对手征涡旋效应产生贡献.辐射修正总的效果是对手征涡旋效应的增强.本文的结果从形状因子的角度澄清了自旋-涡旋耦合以及手征涡旋效应的联系和区别.另外,讨论了上述结果在量子色动力学等离子体中的应用,结果暗示辐射修正可能对重离子碰撞的自旋极化现象有一定效应.