变截面框架-剪力墙-薄壁筒结构弯扭耦连振动的常微分方程求解器解法

本文用沿高度方向分段连续化的方法,对沿高度方向为阶形变截面,在平面内为任意斜向布置的框架-剪力墙-薄壁筒协同工作体系,建立了弯扭耦连的振动方程,用常微分方程求解器(COLSYS)求解了自振频率及相应的振型。     

法拉第反常色散滤光器透射谱的普遍计算方法

报道了一种计算法拉第反常色散滤光器（ＦＡＤＯＦ）透射谱的普遍方法,该方法可计算不同碱金属元素工作在任意电偶极跃迁和任意磁场强度下的法拉第反常色散滤光器透射谱,对主动式和被动式法拉第反常色散滤光器同样适用,该方法还可进一步推广到其它类型的原子滤光器（如斯塔克型原子滤光器）的计算,给出了采用这种方法对铷主动式７７５．９ｎｍ法拉第反常色散滤光器透射谱的计算结果,与实验曲线符合较好。     

HL—1M中性束注入期间离子温度的变化

在ＭＬ－１Ｍ中性束注入期间,我们用电荷交换中性普子能谱仪测量了等离子体离子温度的。结果表明,加热效果比较好时,离子温度可提高１倍左右。     

纳米级尺寸参数对钛氧化物忆阻器的特性影响

随着忆阻器研究的不断深入, 忆阻器的研究已经进入微观阶段, 包括忆阻器内部结构的探究、内部粒子间的运动规律、各参数对忆阻器特性的影响等. 然而, 这些成果中没有关于尺寸参数对忆阻器特性影响的研究, 而尺寸参数是忆阻器成功制备的关键因素之一, 这大大限制了忆阻器的发展和实际应用. 本文从欧姆电阻定律入手, 从理论角度详细分析了尺寸参数对惠普忆阻器以及自旋忆阻器的性能影响. 在此基础上进行了一系列电路仿真实验, 得到不同尺寸参数下忆阻器的相关特性曲线. 文中各选取其中最具代表性的四组实验结果进行展示, 对这些结果进行了详细分析, 得到了惠普忆阻器工作的最佳尺寸范围在8-12 nm之间以及自旋忆阻器工作的最佳尺寸范围在500-600 nm 之间的结论. 实验结果不仅可为实际运用提供有力的支持, 同时也将为进一步研制钛氧化物忆阻器器件和相关理论工作提供重要的实验基础和理论依据.     

基于椭圆偏振光注入垂直腔表面发射激光器的正交偏振模式单周期振荡产生两路光子微波

提出了基于椭圆偏振光注入下垂直腔表面发射激光器(VCSEL)输出的正交偏振模式单周期(P1)振荡来同时获取两路光子微波的实现方案, 并进行了相关仿真研究. 结果表明: 在合适的参数条件下, 一个自由运行的VCSEL(定义为主VCSEL, M-VCSEL)可输出椭圆偏振光, 其X偏振分量和Y 偏振分量具有相同的激射频率; 将M-VCSEL输出的椭圆偏振光注入到另外一个VCSEL(定义为副VCSEL, S-VCSEL), 在给定主副VCSEL间频率失谐的条件下, 通过选择合适的注入强度可使S-VCSEL 中两个偏振分量均呈现单周期(P1)振荡, 从而可获得两正交的光子微波信号; 随着注入强度的增加, 光子微波的频率以及功率均呈现增加的趋势; 结合微波频率、功率以及输出光谱中第一边带和第二边带的幅度差在由注入强度和频率失谐所构成参数空间下的分布图, 可确定获取高品质微波信号的优化注入参数范围.     

光阴极注入器的驱动激光器

 光阴极注入器要求驱动激光器的激光时间抖动小、脉冲宽度窄、激光波长短和脉冲功率高。从原理和实验上介绍光阴极注入器的驱动激光器,包括连续波锁模振荡腔、时间同步,激光脉冲功率放大等;该激光器输出激光微脉冲宽度10ps,微脉冲时间抖动小于2ps,宏脉冲宽度2.5 μs, 峰值功率100kW, 已用于光阴极RF腔注入器实验,并获得了很好的结果。     

基于工作流的航天器测试信息化系统的建模与分析

针对我国航天器关键测试工作主要还是由测试人员手工完成的问题,通过对测试活动的分析研究,提出了一个开放的航天器信息化测试环境体系结构,并且将工作流的思想引入到航天器的信息化测试领域中,定义出了一种航天器测试流程建模语言,对提高我旧航天器测试的效率和水平将起到一定的作用.     

Enhanced Spin Injection into ZnO Semiconductor Measured by Magnetoresistance

We prepare 2× （NiFe/CoZnO）/ZnO/（CoZnO/Co）×2 spin valve structures used for spin injection by sputtering and photolithography. In the junctions, the free magnetic layer 2× （NiFe/CoZnO） and the fixed magnetic layer （CoZnO/Co） × 2 are used to realize the spin valve functions in the external switch magnetic field. Since the wide gap semiconductor ZnO layer is located between the two magnetic semiconductor layers CoZnO, the electrical ,spin injection from the magnetic semiconductor CoZnO into the non-magnetic semiconductor ZnO is realized. Based on the measured magnetoresistance and the Schmidt model, the spin polarization ratio in the ZnO semiconductor is deduced to be 11.7% at 90K and 7.0% at room temperature, respectively.     

The superiority of empirical bayes estimation of parameters in partitioned normal linear model

In this article,the empirical Bayes（EB）estimators are constructed for the estimable functions of the parameters in partitioned normal linear model.The superiorities of the EB estimators over ordinary least-squares（LS）estimator are investigated under mean square error matrix（MSEM）criterion.